Транзисторные оптические датчики(1354)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Тип	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Прекращение действия	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Напряжение — номинальный постоянный ток	Пакет/ключи	Метод измерения	Длина	Входной ток	Высота	Ширина	Без свинца	Срок выполнения заказа на заводе	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Количество контактов	Код Pbfree	Дополнительная функция	Контактное покрытие	Материал корпуса	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Количество функций	Код JESD-609	Терминальные отделки	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Количество вариантов	Рассеяние активности	Время ответа	Количество элементов	Сенсорный экран	Выходное напряжение	Прямой ток	Прямое напряжение	Тип выхода	Прямой ток-Макс.	Максимальный ток во включенном состоянии	Особенности монтажа	Время подъема	Осень (тип.)	Расстояние внедрения	Размер зазора	Конфигурация вывода	Обратное напряжение проба	Максимальное напряжение проба	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Обратное напряжение (постоянный ток)	Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин.	Длина волны	Темный ток	Темный ток-Макс.	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ширина слота-ном.	Номинальный ток коллектора в состоянии включения
НОА0860-N55	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						12 недель		4													100мВт	15 мкс	1			50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Транзистор	3В		30 В		30 В	30 мА	50 мА						30 В	30 мА
НОА0871-L55	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						14 недель		4					Нет								100мВт	15 мкс	1			50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Транзистор	3В		30 В		30 В	30 мА	50 мА						30 В	30 мА
НОА0877-N55	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						14 недель		4													100мВт	15 мкс	1			50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Транзистор	3В		30 В	600мВ	30 В	30 мА	50 мА				100нА		30 В	30 мА
НОА0825-001	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год			Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта		20 мА				8 недель	Неизвестный	4					Нет								100мВт	15 мкс	1		30 В	50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,165 (4,2 мм)		Транзистор	3В		30 В	400мВ	30 В	30 мА	50 мА	3В			100нА		30 В	30 мА
НОА0865-N51	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						14 недель		4											100мВт	1	100мВт	15 мкс	1			50 мА	1,6 В	Фототранзистор				15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Транзистор	3В		30 В		30 В	30 мА	50 мА						30 В	30 мА
НОА0860-N51	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						14 недель		4					Нет								100мВт	15 мкс	1			50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Транзистор	3В		30 В	400мВ	30 В	30 мА	50 мА				100нА		30 В	30 мА
НОА0867-L55	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						14 недель		4													100мВт	15 мкс	1			50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Транзистор	3В		30 В	600мВ	30 В	30 мА	50 мА				100нА		30 В	30 мА
ОПБ891Н51З	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Свободное подвешивание	Свободное подвешивание	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2011 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта								4													100мВт			Инфракрасный (ИК)		50 мА								0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор			30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
НОА0865-L55	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						14 недель		4													100мВт	15 мкс	1			50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Транзистор	3В		30 В	400мВ	30 В	30 мА	50 мА				100нА		30 В	30 мА
НОА0825-003	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год			Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						14 недель		4				Поликарбонат	Нет								100мВт	15 мкс	1			50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,165 (4,2 мм)		Транзистор	3В		30 В		30 В	30 мА	50 мА						30 В	30 мА
НОА0875-N55	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						14 недель		4													100мВт	15 мкс	1			50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Транзистор	3В		30 В	400мВ	30 В	30 мА	50 мА				100нА		30 В	30 мА
НОА0875-Т51	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта		20 мА				14 недель	Неизвестный	4					Нет						100мВт	1	100мВт	15 мкс	1		30 В	50 мА	1,6 В	Фототранзистор				15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Транзистор	3В		30 В	400мВ	30 В	30 мА	50 мА	3В			100нА		30 В	30 мА
СФХ 9500-З	Опто-полупроводники OSRAM	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный		Поверхностный монтаж	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)				Соответствует ROHS3		/files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh9500z-datasheets-7112.pdf		Модуль, прорезной	Пересечение объекта																						13 мкс, 17 мкс												0,205 (5,2 мм)		Фототранзистор							60 мА						30 В	50 мА
РПИ-0125	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-25°К~85°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				Соответствует ROHS3	2005 г.	/files/rohm-rpi0125-datasheets-3491.pdf		Щелевой модуль	Пересечение объекта					Без свинца				да						1	е1	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)				80мВт	10 мкс, 10 мкс				50 мА				0,00495А		10 мкс	10 мкс	0,047 (1,2 мм)	1,2 мм	Фототранзистор		30 В	30 В		30 В	30 мА				950 нм		500нА			1,2 мм	0,45 мА
НОА0861-N55	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						14 недель		4													100мВт	15 мкс	1			50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Транзистор	3В		30 В	400мВ	30 В	30 мА	50 мА				100нА		30 В	30 мА
ТЛП1243(С8)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный			-30°К~95°К	Трубка	1 (без блокировки)				Соответствует RoHS	2004 г.												3	нет	С РАЗЪЕМОМ			Нет		1			НЕТ			75мВт	15 мкс				30 мА				0,05А	КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ	50 мкс	50 мкс	0,197 (5 мм)	5 мм	Фототранзистор			35В		35В	50 мА				940 нм		100нА		50 мА	5 мм	50 мА
РПИ-5100	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)				Соответствует ROHS3	2005 г.	/files/rohmsemiconductor-rpi5100-datasheets-7122.pdf		Модуль, контакты ПК, тип слота						Без свинца		Нет СВХК	5100	да		Медь, Серебро, Олово		Нет		1	е1	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)		80мВт	1	80мВт					50 мА		Фототранзистор				10 мкс	10 мкс		2 мм	Транзистор			30 В		30 В	30 мА	50 мА			950 нм		500нА			2 мм	0,2 мА
РПИ-0126К	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-30°К~85°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)		85°С	-30°С	Соответствует ROHS3	2008 год	/files/rohmsemiconductor-rpi0126k-datasheets-7007.pdf		4-СМД	Пересечение объекта								4														10 мкс, 10 мкс												0,047 (1,2 мм)		Фототранзистор		30 В	30 В			30 мА	50 мА						30 В	30 мА
СФХ 9315-З	Опто-полупроводники OSRAM	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный		Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)				Соответствует ROHS3		/files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh9315z-datasheets-7044.pdf			Пересечение объекта																						13 мкс, 17 мкс												0,205 (5,2 мм)		Фототранзистор							40 мА						15 В	15 мА
НОА0861-P55	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						12 недель		4													100мВт	15 мкс	1			50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Транзистор	3В		30 В		30 В	30 мА	50 мА						30 В	30 мА
АЭДС-9300	Бродком	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный		Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)				Соответствует RoHS	2006 г.	/files/broadcomlimited-aeds9300-datasheets-7055.pdf		4-DIP-модуль	Пересечение объекта														совместимый	1							15 мкс, 15 мкс							0,05А					0,106 (2,7 мм)		Фототранзистор							50 мА		30 В			100нА	30 В	10 мА	2,7 мм	10 мА
ОПБ867Т51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2011 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						10 недель		4													100мВт		1	Инфракрасный (ИК)		50 мА								0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ860Н11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на корпусе, сквозное отверстие	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2012 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта						51 неделя		4													100мВт		1	Инфракрасный (ИК)		50 мА								0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В		30 В		30 В	30 мА	50 мА			880 нм			30 В	30 мА
ОПС695	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~100°К	Масса	1 (без блокировки)		100°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-ops697-datasheets-6839.pdf		Радиальный	Пересечение объекта		20 мА																							30 В											Фототранзистор			30 В				50 мА						30 В
НОА1887-012	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на раму, винт, проволока	Крепление на корпусе, выводы проводов	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	Свинцовый провод	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa1887012-datasheets-6970.pdf	30 В	Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта	23,75 мм	50 мА	12,95 мм	15,62 мм		14 недель	Неизвестный	4				Поликарбонат	Нет							1	100мВт	15 мкс	1	Инфракрасный (ИК)	30 В	50 мА	1,6 В					15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	3В		30 В	400мВ	30 В	30 мА	50 мА	3В			100нА		30 В	30 мА
EE-SX911-R 1М	Omron Автоматизация и безопасность	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Усиленный		Крепление на шасси	-25°К~55°К	Масса	Непригодный					2002 г.	/files/omronautomationandsafety-eesx911r1m-datasheets-6975.pdf		Модуль, выводы проводов, тип слота	Пересечение объекта																																		0,197 (5 мм)		НПН — открытый коллектор
АЭДС-9310	Бродком	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный		Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)				Соответствует RoHS	2006 г.	/files/broadcomlimited-aeds9310-datasheets-6991.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта														совместимый	1							20 мкс, 20 мкс							0,05А					0,197 (5 мм)		Фототранзистор							50 мА		30 В			100нА	30 В	10 мА	5 мм	10 мА
НОА1884-012	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год		30 В	Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта		50 мА				8 недель	Нет СВХК	4				Полиэстер							100мВт	1	100мВт	15 мкс	1		30 В	50 мА	1,6 В	Фототранзистор				15 мкс	15 мкс	0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	3В		30 В	400мВ	30 В	30 мА	50 мА	3В			100нА		30 В	30 мА
EE-SA113	Omron Electronics Inc., подразделение EMC	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Панель, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~70°К	Масса	Непригодный				Соответствует RoHS	2003 г.	/files/omronelectronicsincemcdiv-eesa113-datasheets-7012.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						8 недель	Неизвестный	4																		30 мА	1,2 В									Фототранзистор			30 В		30 В	20 мА	50 мА	4В		940 нм
ОПБ890Л11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта								4																										0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор			30 В			30 мА	50 мА						30 В	30 мА

Транзисторные оптические датчики(1354)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии