Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Алюминиевые полимерные конденсаторы - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Весели МАКСИМАЛЕН Мин Napraheneee - оинка Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано На Деликат PakeT / KORPUES Emcostath Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН Колист Верна Колист Свины PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee HTS -KOD МЕСТОД УПАКОККИ Форматерминала Диклрикэскинмариал Терпимость КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН ТИП КОННАНСАРА Полаяня Rerйting (dc) naprayжeniee (urdc) Naprayeseee КОГФИИГИОНТРЕСА Пефер ТАНГАЛА Диамер Свина Терминал Rraзmerkod СОС (эKUVALENTNOESERYIRIKOPROOTROTERENEEE) Ток МООНТАНАНА Пелосител вейрпимосте НЕГАТИВНА ВОЛОНОВО Я Эsr ТОК - Ю.
RS80J681MCN1PX RS80J681MCN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 2 18 Ear99 8532.22.00 Алхини ( Алхини
94SP567X0004EBP 94sp567x0004ebp Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 105 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 4 Рриал 560 мкф 10,5 мм 2 600 мкм Ear99 Oppr yзmerayt-anpri 100 кг-300 кг Проволока Алхини ( 20% E4 Алхини Полайованан 4 Не 0,08 600 мкм 3,5 мм 14 МОМ Чereз krepleneee oTwerStiqueavy 4.08a 1000 асо 224 Мка
SPCX181M04R12 SPCX181M04R12 Cornell Dubilier Electronics (CDE)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 SMD/SMT 105 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 4 Алхини 180 мкф 7,3 мм 1,9 мм 4,3 мм 2 Ear99 Тр, 13 д.Мо Полайованан 4 2917 20% 20% 3000 мат 1000 асо 12 месяцев
SPCX151M06R12 SPCX151M06R12 Cornell Dubilier Electronics (CDE)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 SMD/SMT 105 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT Алхини 150 мкф 7,3 мм 1,9 мм 4,3 мм 2 Ear99 Тр, 13 д.Мо 20% Полайованан 6,3 В. 2917 3000 мат 1000 асо 12 месяцев
APSA4R0ELL391MFA5G APSA4R0ELL391MFA5G United Chemi-Con
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА Рриал 105 ° С -55 ° С 4 10 4902 мм ROHS COMPRINT 4 6,3 мм Рриал 390 мкф 10,5 мм 10,5 мм СОУДНО ПРИОН 2,5 мм 20% 0,12 % 24 м 3.3a 2000.
APSA4R0ELL271MFA5G APSA4R0ELL271MFA5G United Chemi-Con
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА Рриал 105 ° С -55 ° С 4 10 4902 мм ROHS COMPRINT 4 6,3 мм Рриал 270 мкф 10,5 мм 10,5 мм СОУДНО ПРИОН 2,5 мм 20% 0,12 % 20 месяцев 3.16a 2000.
RNU0J122MDN1 RNU0J122MDN1 Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Рриал 105 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 6,3 В. 8 ММ Алхини 1,2 млн 11,5 мм 2 3,5 мм в дар Ear99 8532.22.00 МАССА 20% E3 Олово (sn) Полайованан 0,08 % 9 МОМ 6.1a 1512 май
16SEPC180MX+S 16sepc180mx+s Panasonic
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Лю 105 ° С -55 ° С 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 16 8 ММ Рриал 180 мкф 9 мм 2 8 9 3,5 мм в дар Коробка Алхини ( 20% Алхини Пола 16 10 % 600 мкм 10 месяцев 5A 5000 576 Мка
APS-6R3ELL391MHB5S APS-6R3ELL391MHB5S United Chemi-Con
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 105 ° С -55 ° С 11.5062 ММ ROHS COMPRINT 6,3 В. 8 ММ Рриал 390 мкф 11,5 мм 11,5 мм СОУДНО ПРИОН 3,5 мм в дар 20% 6,3 В. 0,12 % 600 мкм 12 месяцев 4.77a 2000.
94SP397X06R3EBP 94sp397x06r3ebp Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА Рриал 105 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 6,3 В. 8 ММ 390 мкф 10,5 мм 2 600 мкм Ear99 Oppr yзmerayt-anpri 100 кг-300 кг Проволока Алхини ( 20% E4 Сребро (Ag) Алхини Полайованан Не 0,08 3,5 мм 16 месяцев Чereз krepleneee oTwerStiqueavy 3.81a 245,7 мка
APS-2R5ELL681MHB5S APS-2R5ELL681MHB5S United Chemi-Con
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 105 ° С -55 ° С 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2,5 В. Рриал 680 мкф 11,5 мм СОУДНО ПРИОН 3,5 мм в дар Не 20% 0,12 % 600 мкм 10 месяцев 5.23a 2000.
RS81C271MDN1PX RS81C271MDN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 16 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 2015 6,3 мм Рриал 270 мкф 8 ММ 2 18 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Alюmioniй (ryхoй/twerdый) 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 5 ММ 15 МАМ 3.8a 2000.
RS81C271MDN1JT RS81C271MDN1JT Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 16 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 2015 6,3 мм Рриал 270 мкф 8 ММ 2 18 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Alюmioniй (ryхoй/twerdый) 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 2,5 мм 15 МАМ 3.8a 2000.
RS80J681MCN1JT RS80J681MCN1JT Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 6,3 В. 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 2015 Рриал 680 мкф 2 18 24892 ММ Ear99 8532.22.00 Алхини ( 20% Алхини Пола 8 МОМ 4.7a 2000.
RS80J561MDN1 RS80J561MDN1 Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 6,3 В. 6,3 мм Рриал 560 мкф 8 ММ 2 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Коробка Алхини 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,1 % 2,5 мм 8 МОМ 5A 2000. 882 Мка
RS80J331MDNASQPX RS80J331MDNASQPX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 6,3 В. 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 2015 6,3 мм Рриал 330 мкф 8 ММ 2 18 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,1 5 ММ 8 МОМ 0,519 Ма 5A 5000
RS80G561MDNASQPX RS80G561MDNASQPX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 4 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 2015 6,3 мм Рриал 560 мкф 8 ММ 2 18 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 4 0,1 5 ММ 7 МОМ 0,56 Ма 5.6A 5000
RS80G561MDN1PX RS80G561MDN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 4 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 6,3 мм Рриал 560 мкф 8 ММ 2 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 4 0,1 5 ММ 7 МОМ 0,56 Ма 5.6A 2000.
RS80G561MDN1 RS80G561MDN1 Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 4 6,3 мм Рриал 560 мкф 8 ММ 2 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Коробка Алхини 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 4 0,1 % 2,5 мм 7 МОМ 5.6A 2000. 560 мка
ESR470M0J1516 ESR470M0J1516 Cornell Dubilier Electronics (CDE)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 SMD/SMT 105 ° С -55 ° С В 6,3 В. Алхини 47 мкф 7,9 мм 3,3 мм 5,31 мм 2 в дар Ear99 Тргенд Охртел 20% E3 Олово (sn) Полайованан 0,06 % В дар 3121 25 месяцев Пефер 1.6a 3 мка
RS80E821MDN1PX RS80E821MDN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 2,5 В. 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 6,3 мм Рриал 820 мкф 8 ММ 2 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,1 5 ММ 7 МОМ 0,512 мая 5.6A 2000.
567ULR6R3MFF 567ulr6r3mff Иллин
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 105 ° С -55 ° С 6,3 В. 8 9916 ММ ROHS COMPRINT Рриал 560 мкф 2 35052 ММ Алхини (Влагн) 20% Алхини Пола 300 МОСТ 5.7a 2000.
RS80E821MDN1 RS80E821MDN1 Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 2,5 В. 6,3 мм Рриал 820 мкф 8 ММ 2 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Коробка Алхини 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,1 % 2,5 мм 7 МОМ 5.6A 2000. 512 Мка
ESR220M1B1516 ESR220M1B1516 Cornell Dubilier Electronics (CDE)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 SMD/SMT 105 ° С -55 ° С В 12,5 В. Алхини 22 мкф 7,9 мм 3,3 мм 5,31 мм 2 в дар Ear99 Тргенд Охртел 20% E3 Олово (sn) Полайованан 0,06 % В дар 3121 4 МАМ Пефер 1.6a 3 мка
567ULR6R3MEF 567ulr6r3mef Иллин
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 105 ° С -55 ° С 6,3 В. 8 9916 ММ ROHS COMPRINT Рриал 560 мкф 2 24892 ММ Алхини (Влагн) 20% Алхини Пола 300 МОСТ 4.7a 2000.
RS80E561MDN1 RS80E561MDN1 Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 2,5 В. 6,3 мм Рриал 560 мкф 8 ММ 2 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Коробка Алхини 20% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Алхини Пола 0,1 % 2,5 мм 7 МОМ 5.6A 2000. 500 мк
567ULR4R0MFH 567ULR4R0MFH Иллин
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 105 ° С -55 ° С 4 13.0048 ММ ROHS COMPRINT Рриал 560 мкф 2 35052 ММ Алхини (Влагн) 20% Алхини Пола 300 МОСТ 6.1a 2000.
RS80E471MDN1 RS80E471MDN1 Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 2,5 В. 6,3 мм Рриал 470 мкф 8 ММ 2 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Коробка Алхини 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,1 % 2,5 мм 7 МОМ 5.6A 2000. 500 мк
PXA16VC331MJ12TP PXA16VC331MJ12TP United Chemi-Con
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 105 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 16 SMD/SMT 330 мкф СОУДНО ПРИОН 20% 0,12 % 14 МОМ 5.05a 1.056MA
RS80E331MDNASQPX RS80E331MDNASQPX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 2,5 В. 8 9916 ММ ROHS COMPRINT 2015 6,3 мм Рриал 330 мкф 8 ММ 2 18 24892 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,1 5 ММ 7 МОМ 0,5 мая 5.6A 5000

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.