Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Алюминиевые полимерные конденсаторы - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Весели МАКСИМАЛЕН Мин Napraheneee - оинка Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль На Деликат PakeT / KORPUES Emcostath Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН Губина Колист Верна - Свины PBFREE CODE КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee HTS -KOD МЕСТОД УПАКОККИ Форматерминала Диклрикэскинмариал Терпимость КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН ТИП КОННАНСАРА Полаяня Rerйting (dc) naprayжeniee (urdc) Кодез (МЕТРИКА) Кодез (имиперал) Naprayeseee КОГФИИГИОНТРЕСА Пефер ТАНГАЛА Диамер Свина Терминал СОС (эKUVALENTNOESERYIRIKOPROOTROTERENEEE) Ток МООНТАНАНА ВОЛОНОВО Я ТОК - Ю.
FA0J226M04054VR FA0J226M04054VR Samwha USA
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В Ear99 Алхини ( Алхини
RR70G122MDN1PH RR70G122MDN1PH Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 4 13,9954 мм ROHS COMPRINT 10 мм Рриал 1,2 млн 12,5 мм 2 5 0038 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 4 0,15 5 ММ 7 МОМ 0,96 май 6.1a 2000.
FA0J127M6L059VR FA0J127M6L059VR Samwha USA
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В Ear99 Алхини ( Алхини
RR70E821MDN1PX RR70E821MDN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 2,5 В. 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2015 Рриал 820 мкф 11,5 мм 2 18 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,08 5 ММ 7 МОМ 0,513 Ма 5.6A 2000.
RR70E821MDN1KX RR70E821MDN1KX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 2,5 В. 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2009 Рриал 820 мкф 11,5 мм 2 18 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,08 3,5 мм 7 МОМ 0,513 Ма 5.6A 2000.
RR70E681MDN1PX RR70E681MDN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 2,5 В. 13.0048 ММ ROHS COMPRINT Рриал 680 мкф 11,5 мм 2 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,08 5 ММ 7 МОМ 0,425 Ма 5.6A 2000.
FA0G157M08069VR FA0G157M08069VR Samwha USA
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В Ear99 Алхини ( Алхини
RR50J821MDN1PH RR50J821MDN1PH Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 6,3 В. 13,9954 мм ROHS COMPRINT 2015 10 мм Рриал 820 мкф 12,5 мм 2 18 5 0038 ММ в дар Ear99 8532.22.00 МАССА Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,15 5 ММ 5 месяцев 1.292MA 7.22A 2000.
FA0G128M10126VR FA0G128M10126VR Samwha USA
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В Ear99 Алхини ( Алхини
FA0E227M6L059VR FA0E227M6L059VR Samwha USA
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В Ear99 Алхини ( Алхини
RR50J391MDN1PX RR50J391MDN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 6,3 В. 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2015 Рриал 390 мкф 11,5 мм 2 18 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 МАССА Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,15 5 ММ 5 месяцев 0,614 Ма 6.63a 2000.
RR50J391MDN1LX RR50J391MDN1LX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 6,3 В. 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2015 /files/nichicon-rr50j391mdn1lx-datasheets-6213.pdf Рриал 390 мкф 18 35052 ММ 20% Пола 5 месяцев 6.63a 2000.
RR50G821MDN1PH RR50G821MDN1PH Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 4 13,9954 мм ROHS COMPRINT 2009 10 мм Рриал 82 мкф 12,5 мм 2 18 5 0038 ММ в дар Ear99 8532.22.00 МАССА Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 4 0,15 5 ММ 5 месяцев 0,82 мая 7.22A 2000.
RR50G561MDN1PX RR50G561MDN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 4 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2015 Рриал 560 мкф 11,5 мм 2 18 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 МАССА Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 4 0,15 5 ММ 5 месяцев 0,56 Ма 6.63a 2000.
RR50G561MDN1KX RR50G561MDN1KX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 4 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2015 Рриал 560 мкф 11,5 мм 2 18 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 МАССА Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 4 0,15 3,5 мм 5 месяцев 0,56 Ма 6.63a 2000.
RR50G122MDN1PH RR50G122MDN1PH Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 4 13,9954 мм ROHS COMPRINT 2015 10 мм Рриал 1,2 млн 12,5 мм 2 18 5 0038 ММ в дар Ear99 8532.22.00 МАССА Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 4 0,15 5 ММ 5 месяцев 1,2 мая 7.22A 2000.
RR50E821MDN1PX RR50E821MDN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 2,5 В. 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2009 Рриал 820 мкф 11,5 мм 2 18 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,15 5 ММ 5 месяцев 0,513 Ма 6.63a 2000.
RR50E821MDN1KX RR50E821MDN1KX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 2,5 В. 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2015 Рриал 820 мкф 11,5 мм 2 18 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,15 3,5 мм 5 месяцев 0,513 Ма 6.63a 2000.
A700V127M002ATE028 A700V127M002ATE028 Креот
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер SMD/SMT 125 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 120 мкф 7,3 мм 2 ММ 4,3 мм 4,3 мм 2 в дар Ear99 Не 8532.29.00.40 Тр, Тисннн Фластик, 7 д -мошен J Bend Алхини ( 20% E3 МАТОВОЙ ОЛОВА (SN) - C ANQUELEM (ni) BARHEROM Алхини Полайованан 7343 2917 6 % 0,06 28 МОМ 3.1a 14,4 мка
RR50E561MDN1KX RR50E561MDN1KX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 2,5 В. 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2015 Рриал 560 мкф 11,5 мм 2 18 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,15 3,5 мм 5 месяцев 0,35 мая 6.63a 2000.
RR50E152MDN1PH RR50E152MDN1PH Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 2,5 В. 13,9954 мм ROHS COMPRINT 2009 10 мм Рриал 1,5 млн 12,5 мм 2 18 5 0038 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,15 5 ММ 5 месяцев 0,938 Ма 7.22A 2000.
RR50E102MDN1PX RR50E102MDN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 2,5 В. 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2015 Рриал 1 млн 11,5 мм 2 18 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,15 5 ММ 5 месяцев 0,625 мая 6.63a 2000.
RR50E102MDN1KX RR50E102MDN1KX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 2,5 В. 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2015 Рриал 1 млн 11,5 мм 2 18 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,15 3,5 мм 5 месяцев 0,625 мая 6.63a 2000.
PLF0E681MDO1 PLF0E681MDO1 Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 105 ° С -55 ° С 11 9888 мм ROHS COMPRINT 2,5 В. 8 ММ Рриал 680 мкф 12 ММ 12 ММ СОУДНО ПРИОН 2 3,5 мм в дар Ear99 8532.22.00 Проволока Алхини ( 20% E4 Сребро (Ag) Алхини Полайованан 2,5 В. 0,08 % 600 мкм 6 месяцев 5.7a 2000. 340 мка
PXA6.3VC101MF60TP PXA6.3VC101MF60TP United Chemi-Con
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю SMD/SMT 105 ° С -55 ° С 6,3 В. ROHS COMPRINT 6,3 В. Алхини 100 мкф 6,3 мм 20% 0,12 % 27 МОМ 2.4a 126 Мка
A700V107M006ATE018 A700V107M006ATE018 Креот
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 SMD/SMT 125 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 6,3 В. 100 мкф 7,3 мм 2 ММ 4,3 мм 2 в дар Ear99 8532.29.00.40 Тр, 7 д.Мо J Bend Алхини ( 20% E3 МАТОВОЙ ОЛОВА (SN) - C ANQUELEM (ni) BARHEROM Алхини Полайованан 7343 2917 6 % В дар 0,06 18 МО Пефер 3.9a 25 мк
397ULR6R3MFF 397ulr6r3mff Иллин
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 105 ° С -55 ° С 6,3 В. 8 9916 ММ ROHS COMPRINT Рриал 390 мкф 2 35052 ММ Алхини (Влагн) 20% Алхини Пола 430 МОСТ 5.7a 2000.
RNU1C271MDN1PX RNU1C271MDN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 16 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 2013 Рриал 270 мкф 11,5 мм 2 18 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Алхини Пола 0,08 5 ММ 8 МОМ 0,864 Ма 5A 2000.
RNU1C181MDN1PX RNU1C181MDN1PX Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 16 13.0048 ММ ROHS COMPRINT Рриал 180 мкф 11,5 мм 2 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 Лю Проволока Алхини ( 20% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Алхини Пола 0,08 5 ММ 8 МОМ 0,576 Ма 5.7a 2000.
RNU1C181MDN1 RNU1C181MDN1 Унишикон
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -55 ° С 13.0048 ММ ROHS COMPRINT 16 Рриал 180 мкф 11,5 мм 2 35052 ММ в дар Ear99 8532.22.00 МАССА Алхини 20% E3 Олово (sn) Алхини Пола 0,08 % 3,5 мм 8 МОМ 5.7a 2000. 576 Мка

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.