| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Номинальная мощность | Эмкость на частотах | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Приложения | Полярность | Состав | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Ток утечки | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные соединения | Зажимное напряжение | Пиковый импульсный ток | Обратное напряжение запирания | Пиковая импульсная мощность | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Направление | Количество однонаправленных каналов | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Количество двунаправленных каналов |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1,5КЕ15А-Т | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Осевой | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-15ke6v8at-datasheets-5152.pdf | 15 В | 5,3 мм | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 9,5 мм | Освобождать | 2 | 12 недель | 2 | нет | EAR99 | Олово | 1,5 кВт | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 260 | 1,5КЕ15 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Подавители переходных процессов | 5 мкА | 71А | 5 мкА | 12,8 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 мА | 14,3 В | КРЕМНИЙ | Нет | 21,2 В | 1 | 21,2 В | 71А | 12,8 В | 1,5 кВт | 14,3 В | Однонаправленный | 1 | 1500 Вт 1,5 кВт | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМБГ150КА-М3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbg16cam35b-datasheets-5905.pdf | ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» | 2 | 33 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | 2 | 1 | Р-ПДСО-Г2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 167В | 2,5 А | 150 В | 243В | 2,5 А | 150 В | 600 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6268A-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-15ke47ae354-datasheets-4347.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 6,4 В | 2 | 8 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | Олово | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Подавители переходных процессов | 500 мкА | 133А | 500 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 10 мА | 7,13 В | КРЕМНИЙ | Нет | 11,3 В | 1 | 11,3 В | 133А | 6,4 В | 1,5 кВт | 7,13 В | Однонаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ160CAHR5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMBJ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АА, СМБ | 16 недель | Автомобильная промышленность | ДО-214АА (СМБ) | Нет | 178В | 2,4А | 259В | 160 В | 600 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6276A-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-15ke47ae354-datasheets-4347.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 13,6 В | 2 | 8 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | Олово | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 66,7А | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 мА | 15,2 В | КРЕМНИЙ | Нет | 22,5 В | 1 | 22,5 В | 66,7А | 13,6 В | 1,5 кВт | 15,2 В | Однонаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6288A-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-15ke47ae354-datasheets-4347.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 43,6 В | 2 | 8 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | Олово | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 21,4А | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 мА | 48,5 В | КРЕМНИЙ | Нет | 70,1 В | 1 | 70,1 В | 21,4А | 43,6 В | 1,5 кВт | 48,5 В | Однонаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПСМБ7.5АНЕ3_А/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PAR® | Поверхностный монтаж | -65°С~185°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tpsmb36ahe3ah-datasheets-5896.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 11 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Автомобильная промышленность | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 6,4 В | 600 Вт | Нет | 7,13 В | 53,1А | 11,3 В | 6,4 В | 1 | 600 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6275A-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-15ke47ae354-datasheets-4347.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 12,8 В | 2 | 8 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | Олово | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 70,8А | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 мА | 14,3 В | КРЕМНИЙ | Нет | 21,2 В | 1 | 21,2 В | 70,8А | 12,8 В | 1,5 кВт | 14,3 В | Однонаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4KE56CA-B | Литтелфус Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | П4КЕ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Осевой | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/littelfuseinc-p4ke30ca-datasheets-1861.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 47,8 В | 2 | 19 недель | нет | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | Двунаправленный | ПРОВОЛОКА | 260 | 2 | 1 | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | О-PALF-W2 | 5,3А | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 53,2 В | КРЕМНИЙ | Нет | 77В | 77В | 5,3А | 47,8 В | 400 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ130CAHR5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMBJ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АА, СМБ | 16 недель | Автомобильная промышленность | ДО-214АА (СМБ) | Нет | 144В | 3А | 209В | 130 В | 600 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6281A-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Осевой | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-15ke47ae354-datasheets-4347.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 23,1 В | 2 | 8 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | Олово | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 40А | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 мА | 25,7 В | КРЕМНИЙ | Нет | 37,5 В | 1 | 37,5 В | 40А | 23,1 В | 1,5 кВт | 25,7 В | Однонаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1,5КЕ200А-Т | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Осевой | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-15ke6v8at-datasheets-5152.pdf | 200В | 5,3 мм | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 9,5 мм | Освобождать | 2 | 12 недель | 2 | нет | EAR99 | Олово | 1,5 кВт | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 260 | 1,5КЕ200 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Подавители переходных процессов | 5 мкА | 5,5 А | 5 мкА | 171В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 мА | 190В | КРЕМНИЙ | Нет | 274В | 1 | 274В | 5,5 А | 171В | 1,5 кВт | 190В | Однонаправленный | 1 | 1500 Вт 1,5 кВт | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6289A-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-15ke47ae354-datasheets-4347.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 47,8 В | 2 | 8 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | Олово | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 19,5А | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 мА | 53,2 В | КРЕМНИЙ | Нет | 77В | 1 | 77В | 19,5А | 47,8 В | 1,5 кВт | 53,2 В | Однонаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6280A-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-15ke47ae354-datasheets-4347.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 20,5 В | Без свинца | 2 | 8 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | Олово | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1,5 кВт | 1 | Подавители переходных процессов | 45,2А | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 22,8 В | КРЕМНИЙ | Нет | 33,2 В | 1 | 33,2 В | 45,2А | 20,5 В | 1,5 кВт | 25,2 В | Однонаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4KE62CA-B | Литтелфус Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | П4КЕ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Осевой | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/littelfuseinc-p4ke30ca-datasheets-1861.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 53В | 2 | 19 недель | нет | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | Двунаправленный | ПРОВОЛОКА | 260 | 2 | 1 | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | О-PALF-W2 | 4,8А | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 58,9 В | КРЕМНИЙ | Нет | 85В | 85В | 4,8А | 53В | 400 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6270A-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Осевой | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-15ke47ae354-datasheets-4347.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 7,78 В | 2 | 8 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | Олово | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Подавители переходных процессов | 50 мкА | 112А | 50 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 мА | 8,65 В | КРЕМНИЙ | Нет | 13,4 В | 1 | 13,4 В | 112А | 7,78 В | 1,5 кВт | 8,65 В | Однонаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMB8J5.0CA-M3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb8j50cae352-datasheets-4461.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 5В | Нет | 6,4 В | 87А | 5В | 9,2 В | 87А | 5В | 800 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMB8J33CA-M3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb8j50cae352-datasheets-4461.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 33 недели | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 36,7 В | 15А | 33В | 53,3 В | 15А | 33В | 800 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1,5КЕ220А-Т | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Осевой | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-15ke6v8at-datasheets-5152.pdf | 220В | 5,3 мм | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 9,5 мм | Освобождать | 2 | 21 неделя | 2 | нет | EAR99 | Олово | 1,5 кВт | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 260 | 1,5КЕ220 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Подавители переходных процессов | 5 мкА | 4,6А | 5 мкА | 185В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 мА | 209В | КРЕМНИЙ | Нет | 328В | 1 | 328В | 4,6А | 185В | 1,5 кВт | 209В | Однонаправленный | 1 | 1500 Вт 1,5 кВт | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMB8J40CA-M3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb8j50cae352-datasheets-4461.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 33 недели | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 44,4 В | 12,4А | 40В | 64,5 В | 12,4А | 40В | 800 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6286A-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-15ke47ae354-datasheets-4347.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 36,8 В | 2 | 8 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | Олово | е3 | Общего назначения | 1,5 кВт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 25,3А | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 мА | 40,9 В | КРЕМНИЙ | Нет | 59,3 В | 1 | 59,3 В | 25,3А | 36,8 В | 1,5 кВт | 40,9 В | Однонаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8312ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoz8312di-datasheets-3310.pdf | 12-УФДФН Открытая площадка | 18 недель | Нет | 2,3 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | 12 | 12-ДФН-ЭП (3,5х2,5) | 1 мкА | 2,5 В | Да | 2,8 В | 18А 8/20мкс | 9В | 2,5 В Макс. | 5 | 9В | 18А | 2,5 В | 160 Вт | Однонаправленный | 160 Вт | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПСМБ9.1АНЕ3_А/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PAR® | Поверхностный монтаж | -65°С~185°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tpsmb36ahe3ah-datasheets-5896.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 11 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Автомобильная промышленность | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 7,78 В | 600 Вт | Нет | 8,65 В | 44,8А | 13,4 В | 7,78 В | 1 | 600 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMB8J36CA-M3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb8j50cae352-datasheets-4461.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 33 недели | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 40В | 13,8А | 36В | 58,1 В | 13,8А | 36В | 800 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ8.5CAE3/TR13 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-smbj12ae3tr13-datasheets-0253.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 14 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Общего назначения | Двунаправленный | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | SMBJ8.5 | 2 | Одинокий | 1 | 1 мкА | 1 мкА | 1 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 41,7А | 8,5 В | 14,4 В | 4,4А | 8,5 В | 600 Вт | 9,44 В | Двунаправленный | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПСМБ6.8А/1 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ПАР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~185°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 185°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tpsmb36ahe3ah-datasheets-5896.pdf | 6,8 В | ДО-214АА, СМБ | 4,57 мм | 2,44 мм | 3,94 мм | Содержит свинец | 6 недель | 2 | 600 Вт | Общего назначения | Однонаправленный | Зенер | 1 | ДО-214АА (СМБЖ) | 500 мкА | 10 мА | Нет | 6,45 В | 57,1А | 10,5 В | 5,8 В | 1 | 10,5 В | 57,1А | 5,8 В | 600 Вт | 6,45 В | 1 | 600 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMB8J26CA-M3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb8j50cae352-datasheets-4461.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 33 недели | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 28,9 В | 19А | 26В | 42,1 В | 19А | 26В | 800 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMB8J8.0CA-M3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb8j50cae352-datasheets-4461.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 8В | Нет | 8,89 В | 58,8А | 8В | 13,6 В | 58,8А | 8В | 800 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMB8J18CA-M3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb8j50cae352-datasheets-4461.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 33 недели | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 20 В | 27,4А | 18В | 29,2 В | 27,4А | 18В | 800 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ8.0CE3/TR13 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-smbj12ae3tr13-datasheets-0253.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 14 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | SMBJ8.0 | 2 | Одинокий | 1 | 50 мкА | 1 мА | КРЕМНИЙ | 8В | Нет | 8,89 В | 15 В | 40А | 8В | 600 Вт | Двунаправленный | 600 Вт | 1 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.