| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Приложения | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Ток утечки | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Тестовый ток | Напряжение проба | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные соединения | Зажимное напряжение | Пиковый импульсный ток | Обратное напряжение запирания | Пиковая импульсная мощность | Обратное напряжение проба | Защита от ЭСР | Направление | Количество однонаправленных каналов | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SMB10J28A-E3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb10j20ae352-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 28В | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMB10J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 100А | 1 мкА | 1 мА | 31,1 В | КРЕМНИЙ | Нет | 45,4 В | 45,4 В | 22А | 28В | 1кВт | 31,1 В | Однонаправленный | 1000 Вт 1 кВт | |||||||||||||||||||||
| P6KE250AHR0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, P6KE | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-p6ke43aa0g-datasheets-7383.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 10 недель | Автомобильная промышленность | ДО-204АС (ДО-15) | Нет | 237В | 1,8 А | 344В | 214В | 1 | 600 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMB10J10A-E3/5B | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb10j20ae352-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 10 В | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMB10J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 5 мкА | 100А | 5 мкА | 1 мА | 11,1 В | КРЕМНИЙ | Нет | 17В | 17В | 58,8А | 10 В | 1кВт | 11,1 В | Однонаправленный | 1000 Вт 1 кВт | ||||||||||||||||||||||
| SMB10J11A-E3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb10j20ae352-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 11В | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMB10J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 5 мкА | 100А | 5 мкА | 1 мА | 12,2 В | КРЕМНИЙ | Нет | 18,2 В | 18,2 В | 54,9А | 11В | 1кВт | 12,2 В | Однонаправленный | 1000 Вт 1 кВт | |||||||||||||||||||||
| SMBJ10CAE3/TR13 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-smbj12ae3tr13-datasheets-0253.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 14 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | Общего назначения | Двунаправленный | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | SMBJ10 | 2 | Одинокий | 1 | 5 мкА | 5 мкА | 1 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 11,1 В | 17В | 35,3А | 10 В | 600 Вт | 11,1 В | 600 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| SMB10J12A-E3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb10j20ae352-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 12 В | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMB10J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 5 мкА | 100А | 5 мкА | 1 мА | 13,3 В | КРЕМНИЙ | Нет | 19,9 В | 19,9 В | 50,3А | 12 В | 1кВт | 13,3 В | Однонаправленный | 1000 Вт 1 кВт | |||||||||||||||||||||
| SMBJ100CE3/TR13 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-smbj12ae3tr13-datasheets-0253.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 14 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | СМБДЖ100 | 2 | Одинокий | 1 | 1 мкА | 1 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 111В | 179В | 3,4А | 100 В | 600 Вт | Двунаправленный | 600 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| SMB10J10A-E3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb10j20ae352-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 10 В | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMB10J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 5 мкА | 100А | 5 мкА | 1 мА | 11,1 В | КРЕМНИЙ | Нет | 17В | 17В | 58,8А | 10 В | 1кВт | 11,1 В | Однонаправленный | 1000 Вт 1 кВт | ||||||||||||||||||||||
| SMB10J40A-E3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-smb10j20ae352-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 40В | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMB10J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 100А | 1 мкА | 1 мА | 44,4 В | КРЕМНИЙ | Нет | 64,5 В | 64,5 В | 15,5 А | 40В | 1кВт | 44,4 В | Однонаправленный | 1000 Вт 1 кВт | ||||||||||||||||||||||
| 1.5SMC18CA М6Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 1,5СМЦ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Общего назначения | ДО-214АБ (СМК) | Нет | 17,1 В | 60А | 25,5 В | 15,3 В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1.5SMC51CA М6Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 1,5СМЦ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Общего назначения | ДО-214АБ (СМК) | Нет | 48,5 В | 22А | 70,1 В | 43,6 В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1.5SMC33CA М6Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 1,5СМЦ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Общего назначения | ДО-214АБ (СМК) | Нет | 31,4 В | 34А | 45,7 В | 28,2 В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1.5SMC30CA М6Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 1,5СМЦ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Общего назначения | ДО-214АБ (СМК) | Нет | 28,5 В | 38А | 41,4 В | 25,6 В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1.5SMC200CA М6Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 1,5СМЦ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Общего назначения | ДО-214АБ (СМК) | Нет | 190В | 5,7А | 274В | 171В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMB10J11A-E3/5B | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb10j20ae352-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 11В | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMB10J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 5 мкА | 100А | 5 мкА | 1 мА | 12,2 В | КРЕМНИЙ | Нет | 18,2 В | 18,2 В | 54,9А | 11В | 1кВт | 12,2 В | Однонаправленный | 1000 Вт 1 кВт | ||||||||||||||||||||||
| 1.5SMC36CA М6Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 1,5СМЦ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Общего назначения | ДО-214АБ (СМК) | Нет | 34,2 В | 31А | 49,9 В | 30,8 В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMB10J14A-E3/5B | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-smb10j20ae352-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 14 В | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMB10J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 100А | 1 мкА | 1 мА | 15,6 В | КРЕМНИЙ | Нет | 23,2 В | 23,2 В | 43,1А | 14 В | 1кВт | 15,6 В | Однонаправленный | 1000 Вт 1 кВт | |||||||||||||||||||||
| SMB10J14A-E3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-smb10j20ae352-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 14 В | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMB10J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 100А | 1 мкА | 1 мА | 15,6 В | КРЕМНИЙ | Нет | 23,2 В | 23,2 В | 43,1А | 14 В | 1кВт | 15,6 В | Однонаправленный | 1000 Вт 1 кВт | ||||||||||||||||||||||
| SMB10J13A-E3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-smb10j20ae352-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 13В | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMB10J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 100А | 1 мкА | 1 мА | 14,4 В | КРЕМНИЙ | Нет | 21,5 В | 21,5 В | 46,5А | 13В | 1кВт | 14,4 В | Однонаправленный | 1000 Вт 1 кВт | |||||||||||||||||||||
| 1.5SMC27CA М6Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 1,5СМЦ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Общего назначения | ДО-214АБ (СМК) | Нет | 25,7 В | 42А | 37,5 В | 23,1 В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMB10J9.0A-E3/52 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smb10j20ae352-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 9В | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMB10J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 10 мкА | 100А | 10 мкА | 1 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | 9В | Нет | 15,4 В | 15,4 В | 64,9А | 9В | 1кВт | 10 В | Однонаправленный | 1000 Вт 1 кВт | ||||||||||||||||||||||
| 1.5SMC150CA М6Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 1,5СМЦ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Общего назначения | ДО-214АБ (СМК) | Нет | 143В | 7,6А | 207В | 128В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1.5SMC24CA М6Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 1,5СМЦ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Общего назначения | ДО-214АБ (СМК) | Нет | 22,8 В | 47А | 33,2 В | 20,5 В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD214C-T78ALF | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/bournsinc-cd214ct12calf-datasheets-9835.pdf | ДО-214АБ, СМК | 78В | 2 | 14 недель | 2 | EAR99 | Олово | е3 | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | CD214C | 2 | Одинокий | 1 | 5 мкА | 11,4А | 5 мкА | 1 мА | 86,7 В | КРЕМНИЙ | 5 Вт | 400 Вт | Нет | 126В | 1 | 126В | 11,4А | 78В | 1,5 кВт | 86,7 В | Да | Однонаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | |||||||||||||||||||||||
| SMCJ85CA-E3/9AT | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-smcj18ae357t-datasheets-4440.pdf | ДО-214АБ, СМК | 8,5 В | 2 | 29 недель | 2 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАН; ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMCJ | 2 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 200А | 1 мкА | 1 мА | 9,44 В | КРЕМНИЙ | 6,5 Вт | 85В | Нет | 94,4 В | 137В | 85В | 14,4 В | 10,9А | 8,5 В | 1,5 кВт | 9,44 В | Двунаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | ||||||||||||||||
| 1.5SMC56CA М6Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 1,5СМЦ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Общего назначения | ДО-214АБ (СМК) | Нет | 53,2 В | 20А | 77В | 47,8 В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMCJ8.0CA-E3/9AT | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smcj18ae357t-datasheets-4440.pdf | ДО-214АБ, СМК | 8В | 2 | 2 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАН; ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMCJ | 2 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Подавители переходных процессов | 100 мкА | 200А | 100 мкА | 1 мА | 8,89 В | КРЕМНИЙ | 6,5 Вт | 8В | Нет | 13,6 В | 13,6 В | 110,3А | 8В | 1,5 кВт | 8,89 В | Двунаправленный | 1500 Вт 1,5 кВт | ||||||||||||||||||||
| П4КЕ540-Б | Литтелфус Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | П4КЕ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Осевой | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/littelfuseinc-p4ke30ca-datasheets-1861.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 459В | 20 недель | Общего назначения | Однонаправленный | Подавители переходных процессов | 500 мА | 513В | Нет | 777В | 540 мА | 486В | 400 Вт | 1 | 400 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW04-376-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw0433be354-datasheets-8293.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 376В | 20 недель | 2 | Олово | Общего назначения | Однонаправленный | 400 Вт | BZW04 | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 800мА | 1 мкА | 418В | Нет | 418В | 670 мА | 603В | 376В | 1 | 603В | 670 мА | 376В | 400 Вт | Нет | Однонаправленный | 400 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.5SMC16CA М6Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 1,5СМЦ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Общего назначения | ДО-214АБ (СМК) | Нет | 15,2 В | 70А | 22,5 В | 13,6 В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.