Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТВС-диоды(68624)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | Номинальная мощность | Эмкость на частотах | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Приложения | Полярность | Код дела (метрика) | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Код JESD-30 | Ток утечки | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Тестовый ток | Напряжение проба | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные соединения | Зажимное напряжение | Пиковый импульсный ток | Обратное напряжение запирания | Пиковая импульсная мощность | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Защита от ЭСР | Направление | Количество однонаправленных каналов | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Обратный ток-Макс. | Зажимное напряжение-Макс. | Обратное испытательное напряжение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СЗММБЗ33ВАЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbz5v6alt3g-datasheets-2832.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 26В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | Автомобильная промышленность | ДА | 40 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБЗ*В | 3 | 2 | 50нА | 870 мА | 26В | 31,35 В | КРЕМНИЙ | Нет | 46В | 46В | 870 мА | 26В | 40 Вт | Однонаправленный | 2 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЗММБЗ5В6АЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbz5v6alt3g-datasheets-2832.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | 3В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 18 часов назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Автомобильная промышленность | Однонаправленный | ДА | 24 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБЗ*А | 3 | Общий анод | 24 Вт | 2 | 5 мкА | 3А | 5 мкА | 3В | 20 мА | 5,32 В | КРЕМНИЙ | 3В | Нет | 8В | 2 | 8В | 3А | 3В | 24 Вт | 5,88 В | Да | Двунаправленный | 2 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LXES03AAA1-154 | Мурата Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/murataelectronics-lxes03aaa1134-datasheets-3191.pdf | 0201 (0603 Метрическая система) | 2 | EAR99 | 0,05 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | 1 | Р-ЦДСО-Н2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 4В | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭСД5З6.0Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-esd5z70t1g-datasheets-2945.pdf | СК-79, СОД-523 | 70пФ | 1,2 мм | 700 мкм | 900 мкм | 6В | Без свинца | 800 мкм | 2 | 15 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | 70пФ при 1 МГц | е3 | Общего назначения | Однонаправленный | Без галогенов | ДА | 240 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ЭСД5З | 2 | Одинокий | 40 | 181 Вт | 1 | Подавители переходных процессов | 10нА | 8,8А | 10нА | 6В | 1 мА | 6,8 В | КРЕМНИЙ | 6В | Нет | 8,8 А 8/20 мкс | 6 В Макс. | 20,5 В | 8,8А | 6В | 181 Вт | 6,8 В | Да | Однонаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||
| SZMMBZ27VCLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbz15vdlt1g-datasheets-3218.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | 22В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Автомобильная промышленность | Однонаправленный | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБЗ*В | 3 | Общий катод | 2 | Подавители переходных процессов | 50нА | 1А | 50нА | 22В | 1 мА | 25,65 В | КРЕМНИЙ | Нет | 38В | 2 | 38В | 1А | 22В | 40 Вт | 25,65 В | Да | Двунаправленный | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ESDM3031MXT5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-esdm3031mxt5g-datasheets-3464.pdf | 0201 (0603 Метрическая система) | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 20 пФ @ 1 МГц Макс. | Общего назначения | Нет | 4,4 В | 11А 8/20мкс | 8В | 3,3 В Макс. | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ESDM3551MXT5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-esdm3551mxt5g-datasheets-3621.pdf | 0201 (0603 Метрическая система) | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 21 пФ @ 1 МГц Макс. | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | USB | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5,6 В | 8А | 8,2 В | 5,5 В Макс. | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ESD5111FCT5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-esd5111fct5g-datasheets-3475.pdf | 2-XFBGA, WLCSP | 5,5 пФ | Без свинца | 2 | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ СПОСОБНОСТЬ, НИЗКАЯ ЕМКОСТЬ | 5,5 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | НИЖНИЙ | Одинокий | 1 | Р-PBCC-N2 | 3,3 В | 5В | КРЕМНИЙ | Нет | 3,68 В | 16А 100нс | 3,3 В Макс. | 1 | 6,5 В | 16А | 3,3 В | Двунаправленный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭСД9К3.3СТ5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-esd9c50st5g-datasheets-3507.pdf | СОД-923 | 13пФ | 800 мкм | 400 мкм | 650 мкм | 3,3 В | Без свинца | 600 мкм | 2 | 13 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | 12,8 пФ @ 1 МГц | е3 | Автомобильная промышленность | Без галогенов | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ОУР9 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 1 мкА | 3,3 В | 1 мА | 5В | КРЕМНИЙ | Нет | 3,3 В Макс. | 10 В | 3,3 В | 150 мВт | 5В | 5В | Да | Однонаправленный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2B5M4CT,L3F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2b5m4ctl3f-datasheets-3478.pdf | СОД-882 | 12 недель | 0,2 пФ @ 1 МГц | Нет | 4В | 2А 8/20 мкс | 15 В | 3,6 В Макс. | 30 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2B6M4CT,L3F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2b6m4ctl3f-datasheets-3472.pdf | СОД-882 | 2 | 12 недель | НИЗКАЯ ЕМКОСТЬ | 0,2 пФ @ 1 МГц | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | НИЖНИЙ | 1 | Р-XBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 5,5 В | 30 Вт | Нет | 5,6 В | 2А 8/20 мкс | 15 В | 5,5 В Макс. | 30 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПЭСД36ВС1УЛ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~150°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-pesd36vs1ul315-datasheets-3484.pdf | СОД-882 | 30пФ | 1,02 мм | Без свинца | 620 мкм | 2 | 8 недель | 2 | 18пФ при 1 МГц | е3 | Олово (Вс) | Автомобильная промышленность | Однонаправленный | 150 Вт | НИЖНИЙ | 260 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | 10нА | 2,5 А | 36В | 39В | КРЕМНИЙ | Нет | 38,2 В | 2,5 А 8/20 мкс | 36 В Макс. | 80В | 2,5 А | 36В | 150 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2B7AE,H3F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2b7aeh3f-datasheets-3325.pdf | СК-79, СОД-523 | 12 недель | 8,5 пФ @ 1 МГц | Нет | 5,8 В | 4А 8/20 мкс | 20 В | 5,5 В Макс. | 80 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГГ0402055Р042П | Корпорация AVX | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ГиГАРД | Поверхностный монтаж | 125°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 0402 (1005 Метрическая единица) | 2 | 15 недель | да | НИЗКАЯ ЕМКОСТЬ | 5пФ @ 1МГц | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | 0402 | ДА | ДВОЙНОЙ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 1 | Р-ПДСО-Р2 | ОДИНОКИЙ | 5,2 В | КРЕМНИЙ | 5В | 60 Вт | Нет | 4А 8/20 мкс | 16В | 5В | 60 Вт | 1 | 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭСД9К5.0СТ5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-esd9c50st5g-datasheets-3507.pdf | СОД-923 | 6,2 пФ | 800 мкм | 400 мкм | 650 мкм | 5В | Без свинца | 600 мкм | 2 | 13 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | 6пФ при 1 МГц | е3 | Олово (Вс) | Автомобильная промышленность | Без галогенов | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ОУР9 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Подавители переходных процессов | 500нА | 500нА | 5В | 1 мА | 11В | КРЕМНИЙ | 5В | Нет | 5 В Макс. | 10 В | 5В | 150 мВт | 11В | 11В | Да | Однонаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2B6.8AFS,L3M | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2b68afsl3m-datasheets-2760.pdf | СОД-923 | 12 недель | 9пФ при 1 МГц | Общего назначения | Нет | 5,8 В | 1А 8/20мкс | Тип 7 В | 5 В Макс. | 7В | 1А | 5В | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ33ВАЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbz5v6alt3g-datasheets-2832.pdf | 33В | 1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | 26В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 40 Вт | е3 | Общего назначения | ДА | 40 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ*А | 3 | Общий анод | 40 | 40 Вт | 2 | 50нА | 870 мА | 50 мкА | 26В | 1 мА | 31,35 В | КРЕМНИЙ | Нет | 46В | 2 | 46В | 870 мА | 26В | 40 Вт | 31,35 В | 34,65 В | Да | Однонаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭСД5З7.0Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-esd5z70t1g-datasheets-2945.pdf | СК-79, СОД-523 | 65пФ | 1,2 мм | 700 мкм | 900 мкм | 7В | Без свинца | 800 мкм | 2 | 15 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | 65пФ при 1 МГц | е3 | Общего назначения | Однонаправленный | Без галогенов | ДА | 240 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ЭСД5З | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Подавители переходных процессов | 10нА | 8,8А | 10нА | 7В | 1 мА | 7,5 В | КРЕМНИЙ | 7В | Нет | 8,8 А 8/20 мкс | 7 В Макс. | 22,7 В | 8,8А | 7В | 200 Вт | 7,5 В | 7,5 В | Да | Однонаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ6В2АЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbz5v6alt3g-datasheets-2832.pdf | 6,2 В | 1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.50 | 24 Вт | е3 | Олово (Вс) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ*А | 3 | 40 | 225 МВт | 2 | 5,89 В | КРЕМНИЙ | 3В | Нет | 2,76А | 8,7 В | 3В | 2 | 0,5 мкА | 8,7 В | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ESD200B1CSP0201XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-esd200b1csp0201xtsa1-datasheets-2974.pdf | 2-СМД, без свинца | 580 мкм | Без свинца | 2 | 8 недель | 2 | EAR99 | ESD200B1CSP0201XTSA1 | 6,5 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | Без галогенов | НИЖНИЙ | Одинокий | 1 | 100 нА | 5,5 В | 6В | КРЕМНИЙ | Нет | 16А 8/20мкс | Тип 13 В | 5,5 В Макс. | 13В | 16А | 5,5 В | Двунаправленный | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ15ВАЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbz5v6alt3g-datasheets-2832.pdf | 15 В | 1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | 12 В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 40 Вт | е3 | Общего назначения | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ*А | 3 | Общий анод | 40 | 40 Вт | 2 | 50нА | 1,9 А | 5 мкА | 15 В | 12 В | 1 мА | 14,25 В | КРЕМНИЙ | Нет | 21В | 2 | 21В | 1,9 А | 12 В | 40 Вт | 14,25 В | 15,75 В | Да | Однонаправленный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭСД5В0ЛБ-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microcommercialco-esd5v0lbtp-datasheets-3117.pdf | 0402 (1006 Метрическая единица) | 2 | 12 недель | EAR99 | 80пФ при 1 МГц | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | НИЖНИЙ | 1 | Р-PBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 5В | 400 Вт | Нет | 6В | 25А 8/20мкс | 16В | 5 В Макс. | 400 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBZ27VCLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz15vdlt1g-datasheets-3218.pdf | 27В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | 22В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | 8541.10.00.50 | 40 Вт | е3 | Общего назначения | Однонаправленный | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ*В | 3 | Общий катод | 40 | 40 Вт | 2 | Подавители переходных процессов | 50нА | 1А | 50нА | 22В | 1 мА | 16В | КРЕМНИЙ | Нет | 2 | 38В | 1А | 22В | 40 Вт | 25,65 В | 28,35 В | Да | Двунаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2S5M4CT,L3F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s5m4ctl3f-datasheets-3129.pdf | СОД-882 | 12 недель | 0,35 пФ @ 1 МГц | Нет | 3,7 В | 2А 8/20 мкс | 15 В | 3,6 В Макс. | 1 | 30 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д12В0М1У2С9-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-d12v0m1u2s97-datasheets-3163.pdf | СОД-923 | 20пФ | 2 | 17 недель | EAR99 | Олово | 20пФ @ 1МГц | е3 | Общего назначения | Однонаправленный | 100 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | 4А | 100 нА | 12 В | 13В | КРЕМНИЙ | Нет | 4А 8/20 мкс | 12 В Макс. | 1 | 25 В | 4А | 12 В | 100 Вт | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ20ВАЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbz5v6alt3g-datasheets-2832.pdf | 20 В | 1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | 17В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 40 Вт | е3 | Общего назначения | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ*А | 3 | Общий анод | 40 | 40 Вт | 2 | 50нА | 1,4 А | 50 мкА | 17В | 1 мА | 19В | КРЕМНИЙ | Нет | 28В | 2 | 28В | 1,4 А | 17В | 40 Вт | 19В | 21В | Да | Однонаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭСД9С12СТ5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-esd9x12st5g-datasheets-3064.pdf | СОД-923 | 30пФ | 800 мкм | 430 мкм | 650 мкм | 12 В | Без свинца | 600 мкм | 2 | 13 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | 30пФ @ 1МГц | е3 | Общего назначения | Однонаправленный | Без галогенов | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ОУР9 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Подавители переходных процессов | 1 | 1 мкА | 5,9А | 1 мкА | 12 В | 1 мА | 13,5 В | КРЕМНИЙ | Нет | 5,9 А 8/20 мкс | 12 В Макс. | 23,7 В | 5,9А | 12 В | 150 мВт | 13,5 В | 13,5 В | Да | 140 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ9В1АЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbz5v6alt3g-datasheets-2832.pdf | 9,1 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | 6В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 8 часов назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.50 | 24 Вт | е3 | Олово (Вс) | Общего назначения | Однонаправленный | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ*А | 3 | Общий анод | 40 | 24 Вт | 2 | 300нА | 1,7 А | 300нА | 6В | 1 мА | 8,65 В | КРЕМНИЙ | 6В | Нет | 14 В | 2 | 14 В | 1,7 А | 6В | 24 Вт | 8,65 В | 9,56 В | Да | Двунаправленный | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ15ВДЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz15vdlt1g-datasheets-3218.pdf | 15 В | 1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | 12,8 В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 40 Вт | е3 | Общего назначения | Однонаправленный | АЭК-Q101 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБЗ*В | 3 | Общий катод | 40 Вт | 2 | Подавители переходных процессов | 100 нА | 1,9 А | 100 нА | 15 В | 12,8 В | 1 мА | 14,3 В | КРЕМНИЙ | Нет | 21,2 В | 2 | 21,2 В | 1,9 А | 12,8 В | 40 Вт | 14,3 В | 15,8 В | Да | Двунаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||
| LXES03AAA1-134 | Мурата Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/murataelectronics-lxes03aaa1134-datasheets-3191.pdf | 0201 (0603 Метрическая система) | 2 | 13 недель | да | EAR99 | 0,035пФ при 1 МГц | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | 1 | Р-ЦДСО-Н2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 6,3 В | 1 |
