| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Номинальная мощность | Эмкость на частотах | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Приложения | Полярность | Код дела (метрика) | Состав | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Прямое напряжение | Ток утечки | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные соединения | Зажимное напряжение | Пиковый импульсный ток | Обратное напряжение запирания | Пиковая импульсная мощность | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Защита от ЭСР | Направление | Количество однонаправленных каналов | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Количество двунаправленных каналов | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Обратное испытательное напряжение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ММБЗ15ВДЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz15vdlt1g-datasheets-3218.pdf | 15 В | 1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | 12,8 В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 40 Вт | е3 | Общего назначения | Однонаправленный | АЭК-Q101 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБЗ*В | 3 | Общий катод | 40 Вт | 2 | Подавители переходных процессов | 100нА | 1,9 А | 100нА | 15 В | 12,8 В | 1 мА | 14,3 В | КРЕМНИЙ | Нет | 21,2 В | 2 | 21,2 В | 1,9 А | 12,8 В | 40 Вт | 14,3 В | 15,8 В | Да | Двунаправленный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LXES03AAA1-134 | Мурата Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/murataelectronics-lxes03aaa1134-datasheets-3191.pdf | 0201 (0603 Метрическая единица) | 2 | 13 недель | да | EAR99 | 0,035пФ при 1 МГц | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | 1 | Р-ЦДСО-Н2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 6,3 В | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ6В8АЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbz5v6alt3g-datasheets-2832.pdf | 6,8 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | 4,5 В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 24 Вт | е3 | Общего назначения | ДА | 24 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ*А | 3 | Общий анод | 40 | 24 Вт | 2 | 500нА | 2,5 А | 500нА | 4,5 В | 1 мА | 6,46 В | КРЕМНИЙ | Нет | 9,6 В | 2 | 9,6 В | 2,5 А | 4,5 В | 24 Вт | 6,46 В | 7,14 В | Да | Однонаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2B7AFU,H3F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2b7afuh3f-datasheets-3274.pdf | СК-76, СОД-323 | 12 недель | 8,5 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | Нет | 5,8 В | 4А 8/20 мкс | 20 В | 5,5 В Макс. | 80 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ12ВАЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbz5v6alt3g-datasheets-2832.pdf | 12 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | 8,5 В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | 40 Вт | е3 | Общего назначения | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ*А | 3 | Общий анод | 40 | 40 Вт | 2 | 2,35 А | 900 мВ | 200нА | 2,35 А | 200нА | 8,5 В | 1 мА | 11,4 В | КРЕМНИЙ | Нет | 17В | 17В | 2,35 А | 8,5 В | 40 Вт | 11,4 В | 12,6 В | Да | Однонаправленный | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ10ВАЛТ116 | РОМ Полупроводник | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2007 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 12 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | 105пФ на 1 МГц | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 150°С | 10 | 2 | Р-ПДСО-Г3 | 9,5 В | КРЕМНИЙ | 6,5 В | Нет | 1,7 А | 14,2 В | 6,5 В Макс. | 2 | 24 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30КПА28А | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 30кПа | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Осевой | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/littelfuseinc-30kpa36a-datasheets-2508.pdf | P600, Осевой | 28В | Без свинца | 2 | 18 недель | 2 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | Однонаправленный | ПРОВОЛОКА | 260 | 2 | 40 | 1 | Подавители переходных процессов | 5мА | 606А | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 50 мА | 31,28 В | КРЕМНИЙ | 8 Вт | 30000 Вт | Нет | 50В | 1 | 50В | 606А | 28В | 30кВт | 31,28 В | 30000Вт 30кВт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ2С6.2ФС,Л3М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s62fsl3m-datasheets-2739.pdf | СОД-923 | 2 | 12 недель | EAR99 | 32пФ при 1 МГц | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 5,8 В | 1 | 5В | 6,2 В | 6,45% | 5мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5555 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n5555-datasheets-2902.pdf | ДО-13 | Без свинца | 14 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Да | Общего назначения | Однонаправленный | Зенер | Одинокий | 1 | ДО-13 | 5 мкА | 5 мкА | 1 мА | Нет | 33В | 32А | 47,5 В | 30,5 В | 1 | 47,5 В | 32А | 30,5 В | 1,5 кВт | 33В | Однонаправленный | 1 | 1500 Вт 1,5 кВт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30КПА45СА | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 30кПа | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Осевой | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/littelfuseinc-30kpa36a-datasheets-2508.pdf | P600, Осевой | 45В | 2 | 17 недель | 2 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | Двунаправленный | ПРОВОЛОКА | 260 | 2 | 1 | 40 | 1 | Подавители переходных процессов | 500 мкА | 391,5А | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | 50,3 В | КРЕМНИЙ | 8 Вт | 30000 Вт | Нет | 77,4 В | 77,4 В | 391,5А | 45В | 30кВт | 50,3 В | 30000Вт 30кВт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2B6.8ACT,L3F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | ЛАВИНА | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2b68actl3f-datasheets-2845.pdf | СОД-882 | 9пФ | 400 мкм | 2 | 12 недель | да | 9пФ при 1 МГц | Общего назначения | НИЖНИЙ | 1 | 1 | 150°С | Р-XBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | 5,8 В | КРЕМНИЙ | 5В | Нет | 1А 8/20мкс | Тип 7 В | 5 В Макс. | 7В | 1А | 5В | Двунаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭСД7331MUT5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-esd7331mut5g-datasheets-2927.pdf | 0201 (0603 Метрическая единица) | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 0,4 пФ @ 1 МГц | USB | Нет | 4В | 7,5 В | 3,3 В Макс. | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС5В0БА1ЕСТ15Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 0201 (0603 Метрическая единица) | Без свинца | 2 | 12 недель | 2 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | НИЖНИЙ | 260 | 10 | 1 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 5В | Нет | 6В | 1А 8/20мкс | 5 В Макс. | 10 В | 1А | 5В | 10 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭСДА5-1Ф4 | СТМикроэлектроника | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-esda51f4-datasheets-2911.pdf | 0201 (0603 Метрическая единица) | 2 | 15 недель | 110пФ на 1 МГц | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | НИЖНИЙ | ESDA5 | 1 | Р-PBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 5,5 В | Нет | 5,8 В | 11А | 9В | 5,5 В | 1 | 110 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭСД5З3.3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-esd5z70t1g-datasheets-2945.pdf | СК-79, СОД-523 | Без свинца | 2 | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | 105пФ на 1 МГц | е3 | Олово (Вс) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | Нет | 5В | 11,2 А 8/20 мкс | 3,3 В Макс. | 1 | 14,1 В | 11,2А | 3,3 В | 158 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АК3-058С | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | АК3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Осевой | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/littelfuseinc-ak3058c-datasheets-2774.pdf | Осевой, прямоугольный кронштейн (центр 24,15 мм) | 6нФ | 58В | 2 | 17 недель | Нет СВХК | 2 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 6000пФ на 10 кГц | Общего назначения | Двунаправленный | ДВОЙНОЙ | 2 | 1 | 1 | Подавители переходных процессов | 3кА | ОДИНОКИЙ | 70В | КРЕМНИЙ | Нет | 64В | 3000А 3кА 8/20мкс | 110 В | 3кА | 58В | 70В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭСДЗВ5-1БФ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ЕСДЗ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-esdzv51bf4-datasheets-2682.pdf | 0201 (0603 Метрическая единица) | 2 | 15 недель | Нет СВХК | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | 6пФ при 1 МГц | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | 0201 | ДА | НИЖНИЙ | ЭСДЗВ5 | 1 | Р-PBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 5,5 В | 70 Вт | Нет | 7А 8/20 мкс | 10 В | 5,5 В Макс. | 70 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ2С24ФС,Л3М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s24fsl3m-datasheets-2792.pdf | СОД-923 | 12 недель | EAR99 | 8,5 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | Нет | 22,8 В | 19 В Макс. | 1 | 19В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС3В3БА1ЕСТ15Р | РОМ Полупроводник | 0,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 0201 (0603 Метрическая единица) | 2 | 12 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | НИЖНИЙ | 260 | 10 | 1 | Р-XBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 3,3 В | 28 Вт | Нет | 4В | 3,5 А 8/20 мкс | 8В | 3,3 В Макс. | 28 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АК10-530С | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | АК10 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/littelfuseinc-ak10380c-datasheets-2707.pdf | Осевой, прямоугольный кронштейн (центр 24,15 мм) | 2 | 17 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 1000пФ на 10 кГц | е4 | Серебро (Ag) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | 260 | 30 | 1 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 560В | 10000А 10кА 8/20мкс | 750В | 10 кА | 530В | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д5В0Х1Б2ЛП-7Б | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-d5v0h1b2lp7b-datasheets-3004.pdf | 0402 (1006 Метрическая единица) | 2 | 12 недель | EAR99 | 85пФ при 1 МГц | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | НИЖНИЙ | 1 | Р-PBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 0,25 Вт | 5,5 В | 375 Вт | Нет | 6В | 30А 8/20мкс | 12,5 В | 5,5 В Макс. | 375 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5В6АЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbz5v6alt3g-datasheets-2832.pdf | 5,6 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 3В | Без свинца | 1,3 мм | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | 225 МВт | е3 | Олово (Вс) | Общего назначения | Однонаправленный | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ*А | 3 | 40 | 2 | 5 мкА | 3А | 3В | 5,32 В | КРЕМНИЙ | 3В | Нет | 8В | 2 | 8В | 3А | 3В | 24 Вт | Двунаправленный | 2 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д5В0М1У2ЛП3-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-d5v0m1u2lp37-datasheets-3016.pdf | 0201 (0603 Метрическая единица) | 2 | 13 недель | 2 | да | EAR99 | 55пФ на 1 МГц | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НИЖНИЙ | 1 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 6,2 В | 10А 8/20мкс | 5,5 В Макс. | 1 | 11В | 10А | 5,5 В | 120 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30КПА28СА | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | 30кПа | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Осевой | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/littelfuseinc-30kpa36a-datasheets-2508.pdf | P600, Осевой | 28В | Без свинца | 2 | 18 недель | 2 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | Двунаправленный | ПРОВОЛОКА | 260 | 2 | 1 | 40 | 1 | Подавители переходных процессов | 10 мА | 606А | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 50 мА | 31,28 В | КРЕМНИЙ | 8 Вт | 30000 Вт | Нет | 50В | 50В | 606А | 28В | 30кВт | 31,28 В | 30000Вт 30кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д5В0П1Б2ЛП-7Б | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-d5v0p1b2lp7b-datasheets-2988.pdf | 0402 (1006 Метрическая единица) | 2 | 17 недель | 2 | EAR99 | Золото | 8пФ @ 1МГц | е4 | Общего назначения | Двунаправленный | 250 мВт | НИЖНИЙ | Одинокий | 1 | 4А | 100нА | 5,5 В | 7В | КРЕМНИЙ | Нет | 6В | 4А 8/20 мкс | 5,5 В Макс. | 13В | 4А | 5,5 В | 250 мВт | Да | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2B7AFS,L3M | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2b7afsl3m-datasheets-2854.pdf | СОД-923 | 12 недель | 8,5 пФ @ 1 МГц | Нет | 5,8 В | 4А 8/20 мкс | 20 В | 5,5 В Макс. | 80 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2B6.8E,L3F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2b68el3f-datasheets-2960.pdf | СК-79, СОД-523 | 12 недель | 2 | 15пФ при 1 МГц | Общего назначения | Одинокий | 5В | Нет | 5,8 В | 5 В Макс. | 5В | Двунаправленный | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ2С5.6АСЛ,Л3Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s56asll3f-datasheets-2825.pdf | 0201 (0603 Метрическая единица) | 12 недель | 40пФ при 1 МГц | Общего назначения | Нет | 5,3 В | 3,5 В Макс. | 1 | 3,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ESD5581MXT5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-esd5581mxt5g-datasheets-3060.pdf | 0201 (0603 Метрическая единица) | 2 | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | 10 пФ @ 1 МГц Макс. | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | НИЖНИЙ | 1 | Р-PBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | 6,2 В | КРЕМНИЙ | 0,25 Вт | 5В | Нет | 5,2 В | 6А 8/20 мкс | 12 В | 5 В Макс. | 1 | 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АК3-380С-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | АК | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microcommercialco-ak3380cbp-datasheets-2646.pdf | Осевой, прямоугольный кронштейн (центр 24,15 мм) | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНЫЕ ЗАЖИМНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ, ДОБРЕНЫ UL | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | 260 | 10 | 1 | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 380В | Нет | 401В | 3000А 3кА 8/20мкс | 520В | 380В | 1 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.