Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Подача | Прямой ток | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГБЛ04-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl01m351-datasheets-0836.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||
| КБУ407Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu406gt0-datasheets-0921.pdf | 4-СИП, КБУ | 5 недель | КБУ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС10П06Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ603Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu607gt0-datasheets-5746.pdf | 4-СИП, КБУ | 5 недель | КБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ6Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, КБУ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | 8 | Прямой | КБУ | 2 мм | 6А | 250А | 10 мкА | 10А | 400В | Однофазный | 400В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Г3СБА60-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20m351-datasheets-0807.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 80А | 4А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В @ 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ10-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl01m351-datasheets-0836.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||
| TS20P06G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 20 А | 20А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ2506 Д2 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | 4 | 5 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 300А | 1 | 25А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,2 В при 25 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ15А | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, ГБУ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | 15А | 240А | 5 мкА | 5А | 50В | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 15 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ06-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl01m351-datasheets-0836.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ1502ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS10P07G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП308Г | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, КБП | 15 недель | КБП | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 3 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС15П07Г С2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 15 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ1008ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ10-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl01m351-datasheets-0836.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ801 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 10 недель | ГБУ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ1502ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБЖ | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ08-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl01m351-datasheets-0836.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В @ 2 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBJ1501ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБЖ | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП304Г | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, КБП | 15 недель | КБП | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 3 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ01-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl01m351-datasheets-0836.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ15005ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБЖ | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Г2СБ20-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sb80e351-datasheets-0542.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 20,9 мм | 10,7 мм | 3,56 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,5 А | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | Однофазный | 1 | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В @ 750 мА | |||||||||||||||||||||||
| ГБЛ08-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl01m351-datasheets-0836.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В @ 2 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||
| КБУ6А | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, КБУ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | 80 | Прямой | 5,05 кВ | КБУ | 400 мкм | 6А | 250А | 10 мкА | 10А | 50В | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП310Г | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, КБП | 15 недель | КБП | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 3 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Г3СБА80-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20m351-datasheets-0807.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 80А | 4А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В @ 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS10P05G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 10 А | 10А |
