Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Калибр проводов/кабелей | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Длина кабеля | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГБУ4А-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4bm351-datasheets-1039.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 13 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ6Ж | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, КБУ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | 12 | Прямой | КБУ | 2 мм | 6А | 250А | 10 мкА | 10А | 600В | Однофазный | 600В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР108-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Масса | 1 | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-br102bp-datasheets-9142.pdf | 4-Квадрат, ПБ-6 | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 150А | 1 | 10А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSS4B03G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 10 недель | ТС4Б | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 980 мВ при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ801Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu807gt0-datasheets-5722.pdf | 4-СИП, КБУ | 10 недель | КБУ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU4J-M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4bm351-datasheets-1039.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 13 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4А-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4bm351-datasheets-1039.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 13 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS8P06G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBJ2502G | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, КБЖ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | НЕТ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 25А | 350А | 5 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | 5А | 200В | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,05 В @ 12,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ803Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu807gt0-datasheets-5722.pdf | 4-СИП, КБУ | 5 недель | КБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР84 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-кв., БР-8 | 4 недели | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | 24 AWG | 8А | 125А | 10 мкА | 2м | 10А | 400В | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В @ 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSS4B03GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 10 недель | ТС4Б | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 980 мВ при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ2501ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSS4B04GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 10 недель | ТС4Б | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS15P06GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 15 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР106-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Масса | 1 | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-br102bp-datasheets-9142.pdf | 4-Квадрат, ПБ-6 | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 150А | 1 | 10А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1010-Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1006e345-datasheets-0093.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | БУ1010 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3,2А | 1,05 В | 120А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 120А | 5 мкА | 1кВ | 120А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 1000 В | 1,05 В при 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ805Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu807gt0-datasheets-5722.pdf | 4-СИП, КБУ | 5 недель | КБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSS4B02GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 10 недель | ТС4Б | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 980 мВ при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР1005-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Масса | 1 | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-br102bp-datasheets-9142.pdf | 4-Квадрат, ПБ-6 | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 150А | 1 | 10А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS8P05G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4Б-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4bm351-datasheets-1039.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 13 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 100В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ2508ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSS4B01GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 10 недель | ТС4Б | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 980 мВ при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР104-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Масса | 1 | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-br102bp-datasheets-9142.pdf | 4-Квадрат, ПБ-6 | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 150А | 1 | 10А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ2502ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4М-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4ge351-datasheets-7288.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ГБУ4М | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 4А | 1В | 150А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 1кВ | 150А | Однофазный | 1 | 3А | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-2КБП08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs2kbp06-datasheets-9803.pdf | 2А | Д | 17,5 мм | 15 мм | 6,8 мм | 14 недель | 4 | Нет | Одинокий | 2А | 63А | 10 мкА | 63А | 10 мкА | 800В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-2КББ05 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | Д | 17,5 мм | 15 мм | 6,5 мм | 14 недель | 52А | 10 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ802Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu807gt0-datasheets-5722.pdf | 4-СИП, КБУ | 5 недель | КБУ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 8 А | 8А |
