Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) | Код HTS | Калибр проводов/кабелей | Контактное сопротивление | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Подача | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальное номинальное напряжение (переменный ток) | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Длина кабеля | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КБУ1002-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-kbu1010g-datasheets-0838.pdf | 4-СИП, КБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 240А | 1 | 10А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ406-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/comchiptechnology-gbu406g-datasheets-1204.pdf | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | ГБУ406 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 150А | 4А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ401-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/comchiptechnology-gbu406g-datasheets-1204.pdf | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | ГБУ401 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 150А | 4А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 2 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBJ401G | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-kbj406g-datasheets-9395.pdf | 100В | 4А | 4-СИП, КБЖ | 40пФ | 25,2 мм | 19,3 мм | 9,7 мм | Освобождать | 4 | 31 неделя | 4 | нет | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 4А | 4А | 1В | 120А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 100В | 120А | Однофазный | 1 | 70В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ8Г-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu8mm345-datasheets-0367.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР102 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-кв., БР-10 | 4 | 4 недели | 10 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 12 | Прямой | 100мОм | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПУФМ-W4 | 3 мм | 10А | 250 В | 150А | 10 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 10А | 200В | Однофазный | 1 | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF1504S | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-df1504st-datasheets-9341.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,4 мм | 6,5 мм | 4 | 9 недель | 299,00242мг | 4 | нет | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,1 В | 50А | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 400В | 50А | Однофазный | 1 | 280В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1010А-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1008am345-datasheets-0159.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | Без свинца | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | БУ1010 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3А | 880мВ | 90А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000В | 90А | 5 мкА | 1кВ | Однофазный | 10А | 1 | 3А | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6Г-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6dm351-datasheets-1114.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | ГБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1006А5С-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1008am345-datasheets-0159.pdf | 4-ЭСИП, БУ-5С | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | БУ1006 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3А | 90А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 90А | 5 мкА | 600В | Однофазный | 1 | 3А | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ8Б-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu8mm345-datasheets-0367.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1006-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-kbu1010g-datasheets-0838.pdf | 4-СИП, КБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 240А | 1 | 10А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU6C-E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6me345-datasheets-7734.pdf | 4-СИП, ГБУ | 21 неделя | ГБУ | Однофазный | 150 В | 5 мкА при 150 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6М-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6dm351-datasheets-1114.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | 4 | EAR99 | Олово | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 175А | 5 мкА | 800В | Однофазный | 6А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ602ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1008-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-kbu1010g-datasheets-0838.pdf | 4-СИП, КБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 240А | 1 | 10А | 800В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЖ2508Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, КБЖ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 10 | Прямой | 250,25кВ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 2 мм | 25А | 350А | 5 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | 5А | 800В | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,05 В @ 12,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1006-Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1006e345-datasheets-0093.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | БУ1006 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 3,2А | 1,05 В | 120А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 120А | 5 мкА | 600В | 120А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1001-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-kbu1010g-datasheets-0838.pdf | 4-СИП, КБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 240А | 1 | 10А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1008-Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1006e345-datasheets-0093.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | БУ1008 | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3,2А | 1,05 В | 120А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 120А | 5 мкА | 800В | 120А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 800 В | 1,05 В при 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6Г-Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6me345-datasheets-7734.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ГБУ6Г | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 6А | 1В | 175А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 400В | 175А | Однофазный | 1 | 3,8А | 5 мкА при 400 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSIB6A20-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gsib6a20e345-datasheets-1176.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 4 | 10 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 150А | 1 | 2,8А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 3 А | 2,8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6А-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6dm351-datasheets-1114.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 175А | 6А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR1005 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-кв., БР-10 | 4 | 4 недели | 35Ом | 10 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 4 | Р-ПУФМ-W4 | 10А | 150А | 10 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 10А | 50В | Однофазный | 1 | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ8А-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu8mm345-datasheets-0367.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 8 А | 3,9 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1208-Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1206e345-datasheets-9901.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3,4А | 1,05 В | 150А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 150А | 5 мкА | 800В | 150А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 800 В | 1,05 В при 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4М-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4bm351-datasheets-1039.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 13 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Г5СБА20-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g5sba60m351-datasheets-0955.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,05 В при 3 А | 2,8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР86 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2017 год | 4-кв., БР-8 | 4 недели | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | 24 AWG | 8А | 125А | 10 мкА | 4,5 м | 10А | 600В | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4Д-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4bm351-datasheets-1039.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 13 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 150А | 1 | 3А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 4 А | 4А |
