Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГСИБ15А40-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gsib15a60e345-datasheets-8227.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 7 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 3,5 А | 1В | 200А | 10 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 400В | 200А | Однофазный | 1 | 10 мкА при 400 В | 1 В при 7,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P04GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 25 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6А-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6dm351-datasheets-1114.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 175А | 6А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ810-Г | Комчип Технология | 1,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-gbu801g-datasheets-5908.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | ГБУ810 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 200А | 1 | 8А | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ601-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-gbu6005g-datasheets-1436.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | ГБУ601 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 175А | 1 | 6А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 3 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ3502-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-kbu3510g-datasheets-9733.pdf | 4-СИП, КБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В @ 17,5 А | 4,2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС40П06Г С2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts40p05ghd2g-datasheets-9305.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 20 А | 40А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P03GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 25 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P07GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 25 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DFB20100 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-dfb2080-datasheets-7235.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 4 | 11 недель | 7г | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 20А | 1,1 В | 250А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 250А | 10 мкА | 1кВ | 250А | Однофазный | 1 | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 20 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ606-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-gbu6005g-datasheets-1436.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | ГБУ606 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 175А | 1 | 6А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 3 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P01GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 25 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ602-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-gbu6005g-datasheets-1436.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | ГБУ602 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 175А | 1 | 6А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 3 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ12065С-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | isoCink+™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1206e345-datasheets-9901.pdf | 4-ЭСИП, БУ-5С | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3,4А | 1,05 В | 150А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 150А | 5 мкА | 600В | 150А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 6 А | |||||||||||||||||||||||||
| ТС40П06Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts40p05ghd2g-datasheets-9305.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 20 А | 40А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P02GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 25 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P06GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 25 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС35П05Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts35p05gc2g-datasheets-5647.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P05GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 25 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС35П06Г С2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts35p05gc2g-datasheets-5647.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС35П07Г С2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts35p05gc2g-datasheets-5647.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ604-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-gbu6005g-datasheets-1436.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | ГБУ604 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 175А | 1 | 6А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 3 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF1501S | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-df1504st-datasheets-9341.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,4 мм | 6,5 мм | Без свинца | 4 | 9 недель | 299,00242мг | 4 | нет | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | DF1501 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,1 В | 50А | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 100В | 50А | Однофазный | 1,5 А | 1 | 70В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1,5 А | ||||||||||||||||||||||
| ГБУ8Д-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu8mm345-datasheets-0367.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU6C-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6me345-datasheets-7734.pdf | 4-СИП, ГБУ | 21 неделя | 4 | ГБУ | Однофазный | 150 В | 5 мкА при 150 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P07GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 25 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ8К-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu8mm345-datasheets-0367.pdf | 4-СИП, ГБУ | 8 недель | EAR99 | неизвестный | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФБ2010 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-dfb2080-datasheets-7235.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 4 | 11 недель | 7г | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 20А | 1,1 В | 250А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 250А | 10 мкА | 100В | 250А | Однофазный | 1 | 70В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6М-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6dm351-datasheets-1114.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 175А | 6А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS40P05G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts40p05ghd2g-datasheets-9305.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 20 А | 40А |
