Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БУ1010-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1006e345-datasheets-0093.pdf | 4-СИП, БУ | 4 | 10 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 120А | 1 | 3,2А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,05 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSIB6A40-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gsib6a20e345-datasheets-1176.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 2,8А | 150А | 10 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 400В | Однофазный | 1 | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6К-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6dm351-datasheets-1114.pdf | 4-СИП, ГБУ | 8 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 175А | 6А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1008-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1006e345-datasheets-0093.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | БУ1008 | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3,2А | 1,05 В | 120А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 120А | 5 мкА | 800В | 120А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 800 В | 1,05 В при 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6Д-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6dm351-datasheets-1114.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 175А | 6А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 3 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6К-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6dm351-datasheets-1114.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | 4 | EAR99 | Олово | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 175А | 5 мкА | 800В | Однофазный | 6А | 5 мкА при 800 В | 1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ8Б-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu8mm345-datasheets-0367.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ804-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-gbu801g-datasheets-5908.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | ГБУ804 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 200А | 1 | 8А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 4 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS40P07G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts40p05ghd2g-datasheets-9305.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 20 А | 40А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P05GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 25 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1001 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | 4-СИП, КБУ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | 20 | Прямой | 5,05 кВ | 400 мкм | 10А | 300А | 10 мкА | 10А | 100В | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,05 В при 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1004Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu1005gt0-datasheets-5816.pdf | 4-СИП, КБУ | 5 недель | КБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6005-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-gbu6005g-datasheets-1436.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | GBU6005 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 175А | 1 | 6А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 3 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1006-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1006e345-datasheets-0093.pdf | 4-СИП, БУ | 4 | 10 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 120А | 1 | 3,2А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P03G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 25 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6М-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6dm351-datasheets-1114.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 175А | 6А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS40P05G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts40p05ghd2g-datasheets-9305.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 20 А | 40А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1003Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu1005gt0-datasheets-5816.pdf | 4-СИП, КБУ | 4 | 5 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 200А | 1 | 10А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ402-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-gbu406g-datasheets-1204.pdf | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | ГБУ402 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 150А | 4А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 2 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Г5СБА60-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g5sba60m351-datasheets-0955.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 3 А | 2,8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ8Г-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu8mm345-datasheets-0367.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1008А-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1008am345-datasheets-0159.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | Без свинца | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | БУ1008 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3А | 1,1 В | 90А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 90А | 5 мкА | 800В | 90А | Однофазный | 10А | 1 | 3А | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 5 А | ||||||||||||||||||||||||
| БУ1510-Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1506e345-datasheets-0177.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3,4А | 200А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000В | 200А | 5 мкА | 1кВ | Однофазный | 1 | 5 мкА при 1000 В | 1,05 В @ 7,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1006Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu1005gt0-datasheets-5816.pdf | 4-СИП, КБУ | 5 недель | КБУ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ1002-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-gbj1006bp-datasheets-0920.pdf | 4-СИП, ГБЖ | 4 | 12 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | GBJ1002 | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 170А | 1 | 10А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,05 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС35П06Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts35p05gc2g-datasheets-5647.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU8005-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-gbu801g-datasheets-5908.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | GBU8005 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 200А | 1 | 8А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 4 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU6J-M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6dm351-datasheets-1114.pdf | 4-СИП, ГБУ | 13 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 175А | 6А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ12085С-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1206e345-datasheets-9901.pdf | 4-ЭСИП, БУ-5С | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | Без свинца | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3,4А | 1,05 В | 150А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 150А | 5 мкА | 800В | 150А | Однофазный | 12А | 1 | 5 мкА при 800 В | 1,05 В при 6 А | ||||||||||||||||||||||||||
| GBJ1010-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/microcommercialco-gbj1006bp-datasheets-0920.pdf | 4-СИП, ГБЖ | 4 | 12 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | GBJ1010 | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 170А | 1 | 10А | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,05 В при 5 А | 10А |
