Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TS8P05GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 10 недель | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК50005М Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc4010t0g-datasheets-1574.pdf | 4-Квадратный, ГБПК40-М | 12 недель | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 25 А | 50А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ3506-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-kbu3510g-datasheets-9733.pdf | 4-СИП, КБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В @ 17,5 А | 4,2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ10005-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-kbu1010g-datasheets-0838.pdf | 4-СИП, КБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-PSIP-W4 | 240А | 10 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 1 | 10А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК2506-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microcommercialco-gbpc2506bp-datasheets-1599.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 | 12 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | С-ПУФМ-Д4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 300А | 1 | 25А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC3510T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-gbpc3510t-datasheets-3338.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR501L-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/comchiptechnology-br5010lg-datasheets-9980.pdf | 4-SIP, с радиатором | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 25 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК5001М Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc4010t0g-datasheets-1574.pdf | 4-Квадратный, ГБПК40-М | 12 недель | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 25 А | 50А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР25005-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/comchiptechnology-br5010g-datasheets-5812.pdf | 4-кв., КОМ. | 4 | 10 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | Однофазный | 400А | 1 | 25А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 25 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1006А5С-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1008am345-datasheets-0159.pdf | 4-ЭСИП, БУ-5С | 4 | 10 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 90А | 1 | 3А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК3502-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-gbpc3502g-datasheets-1612.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | GBPC3502 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК4010 Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc4010t0g-datasheets-1574.pdf | 4-квадратный, GBPC40 | 12 недель | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 20 А | 40А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR508L-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/comchiptechnology-br5010lg-datasheets-9980.pdf | 4-SIP, с радиатором | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 25 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC3510-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microcommercialco-gbpc3504bp-datasheets-9595.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | С-ПУФМ-Д4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК50005 Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc4010t0g-datasheets-1574.pdf | 4-квадратный, GBPC40 | 12 недель | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 25 А | 50А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-2КББ05Р | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishay-vs2kbb05r-datasheets-3334.pdf | 2А | Д | 17,5 мм | 15 мм | 6,5 мм | 14 недель | 4 | Нет | Одинокий | 1,9 А | 52А | 10 мкА | 52А | 10 мкА | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК5002 Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc4010t0g-datasheets-1574.pdf | 4-квадратный, GBPC40 | 12 недель | Однофазный | 200В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 25 А | 50А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ3502-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-kbu3510g-datasheets-9733.pdf | 4-СИП, КБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В @ 17,5 А | 4,2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС40П06Г С2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts40p05ghd2g-datasheets-9305.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 20 А | 40А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P03GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 25 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MP1002G-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-mp1010gg-datasheets-0910.pdf | 4-Квадрат, МП-8 | 4 | 12 недель | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 175А | 1 | 10А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MP1001G-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-mp1010gg-datasheets-0910.pdf | 4-Квадрат, МП-8 | 4 | 12 недель | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 175А | 1 | 10А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР2504-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/comchiptechnology-br5010g-datasheets-5812.pdf | 4-кв., КОМ. | 4 | 10 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | Однофазный | 400А | 1 | 25А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 25 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГСИБ15А20-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gsib15a60e345-datasheets-8227.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | Без свинца | 4 | 10 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 3,5 А | 1В | 200А | 10 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 200В | 200А | Однофазный | 15А | 1 | 10 мкА при 200 В | 1 В при 7,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| MP1006G-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-mp1010gg-datasheets-0910.pdf | 4-Квадрат, МП-8 | 4 | 12 недель | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 175А | 1 | 10А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR1-D010 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1d060pbfree-datasheets-7701.pdf | 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) | 46 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 50А | 1А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR1-D080 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1d060pbfree-datasheets-7701.pdf | 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) | 46 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 50А | 1А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSS4B04GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 10 недель | ТС4Б | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФБ2005 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-dfb2080-datasheets-7235.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 4 | 11 недель | 7г | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 20А | 1,1 В | 250А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 250А | 10 мкА | 50В | 250А | Однофазный | 1 | 35В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25P04GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p05gd2g-datasheets-0979.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 6 недель | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 25 А | 25А |
