Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Пиковый обратный ток | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G2SB60L-5753E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sb60l5700e351-datasheets-2276.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 750 мА | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ06-3Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl06l5308e351-datasheets-2344.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ08Л-5701Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl06l5308e351-datasheets-2344.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-6841M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5700m351-datasheets-2300.pdf | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ06Л-5600Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl06l5308e351-datasheets-2344.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G5SBA60L-6088E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g5sba60l6088e351-datasheets-2354.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 3 А | 2,8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ08Л-7000Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl06l5308e351-datasheets-2344.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП207Г C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbp204gc2-datasheets-2191.pdf | 4-СИП, КБП | КБП | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,2 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4ДЛ-5303М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБЛ110С-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 5,3 мм | 1,5 мм | 4,6 мм | 4 | 14 недель | 135,992662мг | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | НЕ УКАЗАН | 1 | 950 мВ | 30А | КРЕМНИЙ | 30А | Однофазный | 1 | 1А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 950 мВ при 400 мА | 1А | ||||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-5702M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5700m351-datasheets-2300.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS15P01GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Г2СБА20-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sba80m351-datasheets-2003.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 60А | 1 | 1,5 А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 750 мА | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦБР1Ф-010 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1f010-datasheets-2295.pdf | 4-круглый, корпус | 4 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | O-PBCY-W4 | 50А | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 100В | Однофазный | 1 | 1,5 А | 0,2 мкс | 10 мкА при 100 В | 1,3 В при 1 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||
| Г3СБА60-5410М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5700m351-datasheets-2300.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-5708E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5703e351-datasheets-2286.pdf | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Г3СБА80Л-6000М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5700m351-datasheets-2300.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-5700M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5700m351-datasheets-2300.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA80L-6000E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5703e351-datasheets-2286.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-5700E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5703e351-datasheets-2286.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR1F-D040S | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1fd060str13-datasheets-2035.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 400В | 5 мкА | 400В | Однофазный | 50А | 1 | 1А | 0,2 мкс | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-5704M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5700m351-datasheets-2300.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G5SBA60L-6088M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g5sba60l6088m351-datasheets-2338.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 3 А | 2,8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-5705E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5703e351-datasheets-2286.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-5708M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5700m351-datasheets-2300.pdf | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SB60L-5751E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sb60l5700e351-datasheets-2276.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 750 мА | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBRLD1-04 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/centralsemiconductorcorp-cbrld102bk-datasheets-1995.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4-ПДЛИП | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-5703M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5700m351-datasheets-2300.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SB60L-5753E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sb60l5700e351-datasheets-2276.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 750 мА | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SB60L-5752E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sb60l5700e351-datasheets-2276.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 750 мА | 1,5 А |
