Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Обратный ток-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КБПФ406Г Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbpf406gb0g-datasheets-2143.pdf | 4-СИП, КБФ | 4 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 260 | 30 | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 120А | 1 | 4А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||
| КБП101Г C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbp102gc2-datasheets-2131.pdf | 4-СИП, КБП | КБП | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБПФ305Г Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbpf306gb0g-datasheets-2120.pdf | 4-СИП, КБФ | 4 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 260 | 30 | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 80А | 1 | 3А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 3 А | 3А | |||||||||||||||||||
| КБП103Г С2 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbp102gc2-datasheets-2131.pdf | 4-СИП, КБП | КБП | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС25П05Г-К Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25p06gkc2g-datasheets-2132.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 4 | EAR99 | НЕТ | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 350А | 1 | 25А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 25 А | 25А | |||||||||||||||||||||||
| КБПФ404Г Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbpf406gb0g-datasheets-2143.pdf | 4-СИП, КБФ | 4 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 260 | 30 | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 120А | 1 | 4А | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||
| КБПФ304Г Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbpf306gb0g-datasheets-2120.pdf | 4-СИП, КБФ | 4 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 260 | 30 | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 80А | 1 | 3А | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 3 А | 3А | |||||||||||||||||||
| TS10P03GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС15П01Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 15 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС15П06Г-К С2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p07gkd2g-datasheets-2114.pdf | 4-СИП, ТС-6П | EAR99 | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS20P01G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 20 А | 20А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КБПФ205Г C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbpf206gb0g-datasheets-2096.pdf | 4-СИП, КБФ | КБПФ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 1 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS15P05GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ММБ2Г-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/comchiptechnology-mmb1gg-datasheets-2057.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ММБ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 800 мА | 800мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБПФ206Г Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbpf206gb0g-datasheets-2096.pdf | 4-СИП, КБФ | 4 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 260 | 30 | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||
| TS6P01GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ТС6К40 Д3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6k60d3g-datasheets-9844.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ТС4К | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБ10Г-ХФ | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | 4-СМД, Крыло Чайки | ММБ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 800 мА | 800мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR1U-D020S | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1ud010str13-datasheets-1031.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | 5 мкА | 200В | Однофазный | 50А | 1 | 1А | 0,05 мкс | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,05 В при 1 А | 1А | |||||||
| CBR1U-D020S Ч | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1ud020sh-datasheets-2109.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,05 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS101G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls104grdg-datasheets-6761.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 50В | 2 мкА при 50 В | 1,1 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБ10Г-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | 4-СМД, Крыло Чайки | ММБ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 800 мА | 800мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБ4Г-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/comchiptechnology-mmb1gg-datasheets-2057.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ММБ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 800 мА | 800мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС15П07Г-К Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p07gkd2g-datasheets-2114.pdf | 4-СИП, ТС-6П | EAR99 | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR1F-D080 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1fd080-datasheets-2077.pdf | 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) | 4 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 50А | 1 | 1А | 0,35 мкс | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,3 В при 1 А | 1А | ||||||||||||
| ТС15П05Г-К Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p07gkd2g-datasheets-2114.pdf | 4-СИП, ТС-6П | EAR99 | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR1F-D060 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1fd080-datasheets-2077.pdf | 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) | 4 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 50А | 1 | 1А | 0,35 мкс | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,3 В при 1 А | 1А | ||||||||||||
| ТС15П05Г-К С2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p07gkd2g-datasheets-2114.pdf | 4-СИП, ТС-6П | EAR99 | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБ2Г-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/comchiptechnology-mmb2ghf-datasheets-2083.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ММБ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 800 мА | 800мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБПФ306Г Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbpf306gb0g-datasheets-2120.pdf | 4-СИП, КБФ | 4 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 260 | 30 | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 80А | 1 | 3А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 3 А | 3А |
