Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Обратный ток-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TS6P01GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС6К40 Д3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6k60d3g-datasheets-9844.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ТС4К | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SBS26HREG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-sbs25reg-datasheets-0182.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | АБС | Однофазный | 60В | 50 мкА при 60 В | 700 мВ при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR1F-D020S | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1fd060str13-datasheets-2035.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | 5 мкА | 200В | Однофазный | 50А | 1 | 1А | 0,2 мкс | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,3 В при 1 А | 1А | |||||||||
| ТСС4Б02Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 12 недель | ТС4Б | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 980 мВ при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС15П04Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU606HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС20П02Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 20 А | 20А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBLS104G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbls103grdg-datasheets-7653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TS15PL05GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15pl05gd2g-datasheets-1503.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 900 мВ при 7,5 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ602 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS8P07GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBLS105G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbls103grdg-datasheets-7653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR1F-D060S TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1fd060str13-datasheets-2035.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | совместимый | ДА | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 50А | 1А | 0,3 мкс | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||
| TS20P05GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 20 А | 20А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU1006HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CBRLD1-08 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/centralsemiconductorcorp-cbrld102bk-datasheets-1995.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4-ПДЛИП | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBRLD1-06 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/centralsemiconductorcorp-cbrld102bk-datasheets-1995.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4-ПДЛИП | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС10К60HD3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10k80d3g-datasheets-0104.pdf | 4-СИП, ГБЛ | ТС4К | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR10-J090 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Коробка | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/centralsemiconductorcorp-cbr10j040-datasheets-9234.pdf | 4-квадратный, см | 4 | совместимый | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 4 | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 900В | Однофазный | 150А | 1 | 5А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,2 В при 5 А | 5А | ||||||||||||||||||||||
| G2SBA60L-5705E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS8P03GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС10К40HD3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10k80d3g-datasheets-0104.pdf | 4-СИП, ГБЛ | ТС4К | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SBA60L-5702E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ8С-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/comchiptechnology-tb2sg-datasheets-0615.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 30А | 1А | 800В | 10 мкА при 800 В | 950 мВ при 400 мА | 800мА | ||||||||||||||||||||||||
| G2SBA60L-5700E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБ1Г-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/comchiptechnology-mmb1gg-datasheets-2057.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ММБ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 800 мА | 800мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК106-5700Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS15PL06GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15pl05gd2g-datasheets-1503.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 930 мВ при 7,5 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS8P01GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 8 А | 8А |
