| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Напряжение проба-мин. | Прямое напряжение-Макс. | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TS10P01GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ205HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbl205d2g-datasheets-9775.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В @ 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TS20P06GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 20 А | 20А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TS20P01GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 20 А | 20А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС10П04Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС10П03Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TS20P03GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 20 А | 20А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TS20P07GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 20 А | 20А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС6П04Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TS20P01GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 20 А | 20А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TS25PL05G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25pl05gd2g-datasheets-1759.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 920 мВ при 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS20P02G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 20 А | 20А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TS15P04G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU1003HD2G | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС15П01Г С2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TS10P07GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS10P02G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBLS102G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbls103grdg-datasheets-7653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TS15P01GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 15 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS10P05GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBLS107G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbls103grdg-datasheets-7653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,7 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TS10KL100HD3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10kl80d3g-datasheets-9723.pdf | 4-СИП, КБЖЛ | 12 недель | КБЖЛ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU1005HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС10П02Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBLS103G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbls103grdg-datasheets-7653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ДБЛС | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TS15P02GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 15 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС10П01Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS10P07GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR6F-060 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-cbr6f100-datasheets-1199.pdf | 4-квадратный, см | 4 | нет | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | 150°С | -65°С | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | 600В | 1,3 В | МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 125А | 1 | 6А | 0,3 мкс | ||||||||||||
| TS15P05GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 15 А | 15А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.