| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Срок выполнения заказа на заводе | Поставщик пакета оборудования | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГБЛА02 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbla01d2g-datasheets-1606.pdf | 4-СИП, ГБЛ | ГБЛ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 4 А | 4А | |||||
| TS20P06GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 20 А | 20А | |||
| ТС6П01Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||
| TS6P05GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||
| ТС6П06Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||
| ТСС4Б01Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | ТС4Б | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 980 мВ при 4 А | 4А | ||||||
| TS6P04G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||
| TS8P01GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||
| TS20P04GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 20 А | 20А | |||
| TS6P02GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||
| TSS4B01G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 12 недель | ТС4Б | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 980 мВ при 4 А | 4А | ||||
| ТС6П03Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||
| TS6P02GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||
| TS8P01G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||
| TS8P03G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||
| TSS4B01GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 12 недель | ТС4Б | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 980 мВ при 4 А | 4А | |||
| TS6P06GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||
| TS25PL06G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts25pl05gd2g-datasheets-1759.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 950 мВ при 12,5 А | 25А | ||||||
| ТС8П07Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||
| TS8P03GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||
| TS20P04G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 20 А | 20А | ||||
| TS6P04GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||
| TS6P03GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||
| ТС20П04Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 20 А | 20А | ||||
| ТС6П02Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||
| TS15P07GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||
| ТС4К40 Д3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts4k60d3g-datasheets-0135.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ТС4К | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||
| TS8P04G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||
| TS15P03GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts15p06gd2g-datasheets-7161.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||
| ТС4К80HD3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts4k60d3g-datasheets-0135.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ТС4К | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 4 А | 4А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.