Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TS10P01GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛА10HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbla01d2g-datasheets-1606.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||
| TS10P04G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ601 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ06HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbl06d2g-datasheets-7038.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ202 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbl205d2g-datasheets-9775.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1 В @ 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||
| GBLA06HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbla01d2g-datasheets-1606.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||
| DBLS209GHC1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls203grdg-datasheets-0167.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ДБЛС | Однофазный | 1,4 кВ | 2 мкА при 1400 В | 1,3 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЦБР1-020 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cbr2060-datasheets-1306.pdf | 4-круглый, корпус | 4 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | O-PBCY-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 50А | 1 | 1,5 А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 1 А | 1,5 А | ||||||||
| ГБУ403 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛА04 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbla01d2g-datasheets-1606.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ404 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛА10 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbla01d2g-datasheets-1606.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ207HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbl205d2g-datasheets-9775.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В @ 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBLA04HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbla01d2g-datasheets-1606.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU602HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 175А | 1 | 6А | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||
| ГБЛ204HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbl205d2g-datasheets-9775.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1 В @ 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU1004 D2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||
| GBU1004HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||
| D2SB40HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-d2sb80d2g-datasheets-0563.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU1001HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЦБР1-100 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cbr2060-datasheets-1306.pdf | 4-круглый, корпус | 4 | 12 недель | нет | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | O-PBCY-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 50А | 1 | 1,5 А | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1 В при 1 А | 1,5 А | ||||||||
| KBP02ML-6127E4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,3 В при 1,57 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU403HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||
| GBLA02HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbla01d2g-datasheets-1606.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU15L06HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbu15l05d2g-datasheets-1314.pdf | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 960 мВ при 7,5 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ1003 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛА005 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbla01d2g-datasheets-1606.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛА06 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbla01d2g-datasheets-1606.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ01 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbl06d2g-datasheets-7038.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 4 А | 4А |
