Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Время включения | Выходной ток-Макс. | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Время выключения-Nom (toff) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DBLS157GHC1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls157grdg-datasheets-6853.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 1кВ | 2 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EABS1GHREG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-eabs1dhrgg-datasheets-9767.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | АБС | Однофазный | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,2 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBP06ML-6161E4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 1,57 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБ34-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microcommercialco-pb31bp-datasheets-1364.pdf | 4-Квадрат, ПБ-3 | 4 | 8 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 50А | 1 | 3А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,2 В @ 1,5 А | 3А | |||||||||||||||||||||||
| DBLS106GHC1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls104grdg-datasheets-6761.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 800В | 2 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EABS1JHREG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-eabs1dhrgg-datasheets-9767.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | АБС | Однофазный | 600В | 1 мкА при 600 В | 1,7 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д2СБ20 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-d2sb80d2g-datasheets-0563.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS103GHC1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls104grdg-datasheets-6761.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 200В | 2 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS3L30R07W2H3FB11BPSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-fs3l30r07w2h3fb11bpsa1-datasheets-1498.pdf | Содержит свинец | 32 | 31 | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Не содержит галогенов | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 12 | Р-XUFM-X32 | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 88 нс | 650В | 45А | 350 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д2СБ40 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-d2sb80d2g-datasheets-0563.pdf | 4-СИП, ГБЛ | ГБЛ | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS102G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls104grdg-datasheets-6761.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 100 В | 2 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3Н259-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 679-1 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-6801-datasheets-2411.pdf | 4-Квадрат, Н.Б. | 4 | 4 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | Одинокий | 4 | 25А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 100 В | Однофазный | 1 | 20 мкА при 100 В | 1,2 В при 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2SB80HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-d2sb80d2g-datasheets-0563.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д2СБ10 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-d2sb80d2g-datasheets-0563.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS153G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls157grdg-datasheets-6853.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 200В | 2 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2SB10HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-d2sb80d2g-datasheets-0563.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS105GHC1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls104grdg-datasheets-6761.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 600В | 2 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2SB20HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-d2sb80d2g-datasheets-0563.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д2СБ05 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-d2sb80d2g-datasheets-0563.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS101GHC1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls104grdg-datasheets-6761.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 50В | 2 мкА при 50 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2SB05HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-d2sb80d2g-datasheets-0563.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR1-L010M PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1l040m-datasheets-0691.pdf | 4-SIP | 4 | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100 В | Однофазный | 50А | 1 | 1,5 А | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1 В @ 1 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS151GHC1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls157grdg-datasheets-6853.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 50В | 2 мкА при 50 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR1-L060M PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1l040m-datasheets-0691.pdf | 4-SIP | 4 | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 50А | 1 | 1,5 А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В @ 1 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS153GHC1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls157grdg-datasheets-6853.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | ДБЛС | Однофазный | 200В | 2 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АБС15МХРЕГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-abs15mreg-datasheets-4207.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | АБС | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 1,5 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБДЖЛ2002-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Трубка | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microcommercialco-gbjl2010bp-datasheets-0617.pdf | 4-СИП, ГБЖ | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | 8541.10.00.80 | е4 | Серебро (Ag) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 240А | 1 | 20А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,05 В при 10 А | 20А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПБ310-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microcommercialco-pb31bp-datasheets-1364.pdf | 4-Квадрат, ПБ-3 | 4 | 8 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 50А | 1 | 3А | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,2 В @ 1,5 А | 3А | |||||||||||||||||||||||
| DBLS103G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls104grdg-datasheets-6761.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ДБЛС | Однофазный | 200В | 2 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | 1А |
