Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3Н256-Е4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp005me472-datasheets-1228.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е4 | СЕРЕБРО | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | Не квалифицированный | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 400В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||
| 2КБП06М-Е4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp005me472-datasheets-1228.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | СЕРЕБРО | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 4 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 600В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП10М-28Э4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp005me472-datasheets-1228.pdf | 4-СИП, КБПМ | КБПМ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП02-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~165°К | Масса | 1 | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microcommercialco-2kbp04bp-datasheets-9302.pdf | 4-СИП, КБПЛ | 4 | 8 недель | да | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,2 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||
| КБП06МЛ-6161Е4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 1,57 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBP08ML-6747E4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,3 В при 1,57 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП04М-43Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | КБПМ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 1,57 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБ31-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microcommercialco-pb31bp-datasheets-1364.pdf | 4-Квадрат, ПБ-3 | 4 | 8 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100 В | Однофазный | 50А | 1 | 3А | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1,2 В @ 1,5 А | 3А | |||||||||||||||||||
| 3Н257-Э4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp005me472-datasheets-1228.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е4 | СЕРЕБРО | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | Не квалифицированный | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 600В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||
| 3КБП06М-Е4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-3kbp01me451-datasheets-8607.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | СЕРЕБРО | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 4 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 600В | Однофазный | 80А | 1 | 3А | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 3 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||
| 3Н248-Е4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | СЕРЕБРО | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 4 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | Однофазный | 1 | 1,5 А | 5 мкА при 200 В | 1,3 В при 1,57 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||
| 3Н253-Е4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp005me472-datasheets-1228.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е4 | СЕРЕБРО | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | Не квалифицированный | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 50В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | ||||||||||||||||||||||
| КБП02М-61Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | КБПМ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,3 В при 1,57 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП08МЛ-7001Е4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2KBP08ML-6581E4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП10МЛ-001Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | 165°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-СИП, КБПМ | 9 недель | 4 | Нет | Одинокий | КБПМ | 2А | 5мкА | 1кВ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП08М-Е4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp005me472-datasheets-1228.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | СЕРЕБРО | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 4 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 800В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП08МЛ-24Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3Н251-Э4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | СЕРЕБРО | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 4 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 800В | Однофазный | 1 | 1,5 А | 5 мкА при 800 В | 1,3 В при 1,57 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||
| 2KBP06ML-6762E4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3КБП005М-Е4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-3kbp01me451-datasheets-8607.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | СЕРЕБРО | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 4 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 50В | Однофазный | 80А | 1 | 3А | 5 мкА при 50 В | 1,05 В при 3 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||
| 3Н247-Е4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | СЕРЕБРО | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 4 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 100 В | Однофазный | 1 | 1,5 А | 5 мкА при 100 В | 1,3 В при 1,57 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||
| 3КБП08М-Е4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-3kbp01me451-datasheets-8607.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | СЕРЕБРО | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 4 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 800В | Однофазный | 80А | 1 | 3А | 5 мкА при 800 В | 1,05 В при 3 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||
| 2KBP06ML-5303E4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП10МЛ-5/22 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦБР2-060 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductorcorp-cbr2060-datasheets-1306.pdf | 4-круглый, корпус | 7,6 мм | 5,1 мм | 7,6 мм | 4 | 14 недель | нет | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | O-PBCY-W4 | 60А | 10 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 1 | 2А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В @ 1 А | 2А | |||||||||||||||||||
| ЦБП2005-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microcommercialco-kbp206bp-datasheets-4631.pdf | 4-СИП, КБПР | 4 | 8 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицированный | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||
| 2KBP06ML-6420E4/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3КБП08М-01Е4/П | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-3kbp01me451-datasheets-8607.pdf | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,05 В при 3 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП10МЛ-6767Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, КБПМ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А |
