Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный импульсный ток | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBLA01HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbla01d2g-datasheets-1606.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS8P07GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SBA60L-5701E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС8П04Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SBA60L-5701E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS6P07GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | ТС-6П | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SBA60L-6847E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ206HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbl205d2g-datasheets-9775.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Г2СБА80-М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sba80m351-datasheets-2003.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 60А | 1 | 1,5 А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 750 мА | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||
| ТС8П03Г Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SBA60L-5704E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSS4B02G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 12 недель | ТС4Б | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 980 мВ при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SBA60L-5703E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS6P06GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC104L-6740E4/51 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS8P02GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR4MF-L010 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cbr4mfl010-datasheets-2009.pdf | 4-СИП, ДМ | 4 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 300А | 1 | 4А | 0,2 мкс | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,3 В при 2 А | 4А | |||||||||||||||||||
| ГБЛА08 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbla01d2g-datasheets-1606.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 12 недель | ГБЛ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS10P06GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10p05gd2g-datasheets-7207.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 800В | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSS4B04G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 12 недель | ТС4Б | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБ210С-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microcommercialco-mb22stp-datasheets-0596.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 4 | 10 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 100В | 500 мкА при 100 В | 850 мВ при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||
| МБЛ104С-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 5,3 мм | 1,5 мм | 4,6 мм | 4 | 14 недель | 135,992662мг | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПДСО-Г4 | 30А | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 1 | 1А | 400В | 5 мкА при 400 В | 950 мВ при 400 мА | 1А | |||||||||||||||
| TSS4B02GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 12 недель | ТС4Б | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 980 мВ при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS8P01GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBRLD1-02 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/centralsemiconductorcorp-cbrld102bk-datasheets-1995.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4-ПДЛИП | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS6P04G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS8P01GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts8p01gd2g-datasheets-0972.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 12 недель | ТС-6П | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS20P04GHD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts20p05gd2g-datasheets-7179.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 20 А | 20А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS6P02GHC2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts6p05gd2g-datasheets-7890.pdf | 4-СИП, ТС-6П | 23 недели | ТС-6П | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSS4B01G C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tss4b03gd2g-datasheets-0174.pdf | 4-СИП, ТС-4Б | 12 недель | ТС4Б | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 980 мВ при 4 А | 4А |
