Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBPC5001W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-gbpc3506wg-datasheets-9746.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | S-XUFM-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 100 В | Однофазный | 450А | 1 | 50А | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 25 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК4002 Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc4010t0g-datasheets-1574.pdf | 4-квадратный, GBPC40 | 12 недель | Однофазный | 200В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 20 А | 40А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛВЭ1560-М3/П | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Стандартный | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-lve1560m3p-datasheets-1567.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 8 недель | ГСИБ-5С | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 900 мВ при 7,5 А | 3,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC50005W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-gbpc3506wg-datasheets-9746.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | S-XUFM-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 450А | 1 | 50А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 25 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC1508W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-gbpc3502w-datasheets-9777.pdf | 800В | 15А | 4-Квадратный, ГБПК-З | 180пФ | 29 мм | 11,23 мм | 29 мм | Без свинца | 12 недель | 17.21г | Нет СВХК | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | Нет | GBPC1508 | Одинокий | 83,3 Вт | 1 | GBPC-W | 15А | 15А | 1,1 В | 300А | 5 мкА | 300А | 5 мкА | 800В | 300А | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 7,5 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК2501-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-gbpc3502g-datasheets-1612.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ГБПК2501 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 100 В | Однофазный | 350А | 1 | 25А | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC35010T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/genesicemiconductor-gbpc35010t-datasheets-2574.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 недели | 4 | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC5004W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-gbpc3506wg-datasheets-9746.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | S-XUFM-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 450А | 1 | 50А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 25 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC25005W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-gbpc3502w-datasheets-9777.pdf | 50В | 25А | 4-Квадратный, ГБПК-З | 180пФ | 29 мм | 11,23 мм | 29 мм | Без свинца | 12 недель | 17.21г | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | Нет | GBPC25005 | Одинокий | 83,3 Вт | 1 | GBPC-W | 25А | 1,1 В | 300А | 5 мкА | 300А | 5 мкА | 50В | 300А | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК25005-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-gbpc3502g-datasheets-1612.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | GBPC25005 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 350А | 1 | 25А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC3501-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-kbpc5010g-datasheets-1036.pdf | 4-Квадрат, КБ ПК | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 100 В | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР1004-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/comchiptechnology-br5010g-datasheets-5812.pdf | 4-кв., КОМ. | 4 | 10 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | Однофазный | 240А | 1 | 10А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 25 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC5006W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 50А | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 25 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC5008W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 400А | 50А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 25 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC5004W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 50А | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 25 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC5002T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpc5002t-datasheets-2552.pdf | 4-Квадратный, КБ ПК-Т | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 400А | 50А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 25 А | 50А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC3504-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-kbpc5010g-datasheets-1036.pdf | 4-Квадрат, КБ ПК | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК2502 Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc15005mt0g-datasheets-1207.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 12 недель | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR10005-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/comchiptechnology-br5010g-datasheets-5812.pdf | 4-кв., КОМ. | 4 | 10 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | Однофазный | 240А | 1 | 10А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC50005T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpc50005t-datasheets-2553.pdf | 4-Квадратный, КБ ПК-Т | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 400А | 50А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 25 А | 50А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР1010-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/comchiptechnology-br5010g-datasheets-5812.pdf | 4-кв., КОМ. | 4 | 10 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | Однофазный | 240А | 1 | 10А | 1кВ | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 25 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC3506W T0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc15005mt0g-datasheets-1207.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 12 недель | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК15005-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-gbpc3502g-datasheets-1612.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | GBPC15005 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 300А | 1 | 15А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 7,5 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC3504W T0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc15005mt0g-datasheets-1207.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 12 недель | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC5001W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2003 г. | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 400А | 50А | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 25 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC35005-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-kbpc5010g-datasheets-1036.pdf | 4-Квадрат, КБ ПК | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК2508-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-gbpc3502g-datasheets-1612.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | GBPC2508 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 350А | 1 | 25А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК1508-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-gbpc3502g-datasheets-1612.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | GBPC1508 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-D4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 300А | 1 | 15А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 7,5 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MP358W-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Масса | 1 | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-mp358wbp-datasheets-1474.pdf | 4-Квадратный, МП-50Вт | 4 | 12 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC3510W T0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc15005mt0g-datasheets-1207.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 12 недель | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А |
