| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBPC2510W T0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc15005mt0g-datasheets-1207.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 12 недель | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC2504T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpc2504t-datasheets-2473.pdf | 4-Квадратный, КБ ПК-Т | 28,8 мм | 25,4 мм | 28,8 мм | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | КБПК | 25А | 350А | 5 мкА | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC1504W T0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc15005mt0g-datasheets-1207.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 12 недель | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ3502-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microcommercialco-gbj3510bp-datasheets-1051.pdf | 4-СИП, ГБЖ | 4 | 12 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 350А | 1 | 35А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,05 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||
| KBPC1504T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpc1504t-datasheets-2464.pdf | 4-Квадратный, КБ ПК-Т | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Однофазный | 300А | 15А | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC1502W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | КБПЦ-В | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC3504TA | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 4-Квадратный, ГБПК | 6 недель | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC3501TA | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 4-Квадратный, ГБПК | 6 недель | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC25005W T0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc15005mt0g-datasheets-1207.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 12 недель | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC1502T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-gbpc1502t-datasheets-2475.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 300А | 15А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК2510 Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc15005mt0g-datasheets-1207.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 12 недель | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC1508T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpc1508t-datasheets-2476.pdf | 4-Квадратный, КБ ПК-Т | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC1510T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-Квадратный, КБ ПК-Т | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | 15А | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 7,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC15005W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | КБПЦ-В | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК2501М Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc15005mt0g-datasheets-1207.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-М | 12 недель | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC1502W T0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc15005mt0g-datasheets-1207.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 12 недель | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC1504W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | КБПЦ-В | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC1510W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | КБПЦ-В | 15А | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC1508W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | КБПЦ-В | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC2502W T0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbpc15005mt0g-datasheets-1207.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 12 недель | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC3502TA | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 4-Квадратный, ГБПК | 6 недель | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC5001W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-kbpc5010wg-datasheets-0987.pdf | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | S-XUFM-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 500А | 1 | 50А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 25 А | 50А | ||||||||||||||||||||||
| KBPC25005T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpc25005t-datasheets-2472.pdf | 4-Квадратный, КБ ПК-Т | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 350А | 25А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| РС402ГЛ-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-rs404glbp-datasheets-0659.pdf | 4-СИП, РС-4Л | 4 | 12 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | RS402 | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 200А | 1 | 4А | 100В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||
| GBPC3508TA | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 4-Квадратный, ГБПК | 6 недель | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC3508W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/comchiptechnology-kbpc5010wg-datasheets-0987.pdf | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | S-XUFM-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||
| MB1505W-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/microcommercialco-mb154wbp-datasheets-5042.pdf | 4-квадратный, МБ-35Вт | 4 | 12 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | МБ1505 | 4 | 10 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 300А | 1 | 15А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,2 В @ 7,5 А | 15А | ||||||||||||||||
| KBPC1501T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpc1501t-datasheets-2462.pdf | 4-Квадратный, КБ ПК-Т | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 300А | 15А | 100В | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC50005W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-kbpc5010wg-datasheets-0987.pdf | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | S-XUFM-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 500А | 1 | 50А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 25 А | 50А | ||||||||||||||||||||||
| KBPC5002W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-kbpc5010wg-datasheets-0987.pdf | 4-Квадратный, КБПК-З | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | S-XUFM-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 500А | 1 | 50А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 25 А | 50А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.