Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Расстояние между строками | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ММДФ2Н02ЕР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmdf2n02er2-datasheets-0328.pdf | 25 В | 2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 17нс | 18 нс | 27 нс | 3,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,1 Ом | 245 мДж | 25 В | 2 N-канала (двойной) | 532пФ при 16 В | 100 мОм при 2,2 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7389PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7389trpbf-datasheets-2611.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | EAR99 | IRF7389PBF | 30В | 2,5 Вт | N и P-канал | 650пФ при 25В | 29 мОм при 5,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 33 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММДФ2П02ХДР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmdf2p02hdr2-datasheets-0282.pdf | -20В | -2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММДФ2П02HD | 8 | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 66нс | 37 нс | 25 нс | 3,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,16 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 588пФ при 16 В | 160 мОм при 2 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD2P01R2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntmd2p01r2-datasheets-0315.pdf | -16В | -2,3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Олово (Вс) | 710мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 35 нс | 29 нс | 33 нс | -3,85А | 10 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 16 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 9А | 0,1 Ом | 350 мДж | -16В | 2 P-канала (двойной) | 750пФ при 16В | 100 мОм при 2,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,3А | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMWD15UN,518 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 В | 4,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1450пФ при 16В | 18,5 мОм при 5 А, 4,5 В | 700 мВ при 1 мА | 11,6А | 22,2 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTQD6968NR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntqd6968nr2-datasheets-0491.pdf | 20 В | 7А | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 1,39 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 1,81 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 25нс | 25 нс | 60 нс | 6,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 0,03 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 16 В | 22 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9956PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-irf9956pbf-datasheets-0803.pdf | 30В | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4,05 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 100мОм | 8 | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF9956PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 6,2 нс | 8,8 нс | 3 нс | 13 нс | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 16А | 44 мДж | 30В | 2 N-канала (двойной) | 190пФ при 15В | 1 В | 100 мОм при 2,2 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 14 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8910PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf8910trpbf-datasheets-2538.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF8910PBF | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 10А | 82А | 0,0134Ом | 19 мДж | 2 N-канала (двойной) | 960пФ при 10 В | 13,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,55 В @ 250 мкА | 10А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМВД30УН,518 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-pmwd30un518-datasheets-0827.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | EAR99 | неизвестный | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,3 Вт | МО-153АБ | 5А | 0,04 Ом | 2 N-канала (двойной) | 1478пФ при 10 В | 33 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 700 мВ при 1 мА | 5А | 28 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9952PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf9952trpbf-datasheets-4868.pdf | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 4,05 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 100мОм | 8 | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF9952PBF | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 14нс | 6,9 нс | 20 нс | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | 1В | 16А | 44 мДж | 30В | N и P-канал | 190пФ при 15В | 1 В | 100 мОм при 2,2 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3,5 А 2,3 А | 14 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7341PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7341trpbf-datasheets-5055.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 22 недели | EAR99 | IRF7341PBF | 55В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 740пФ при 25В | 50 мОм при 4,7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,7А | 36 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTQD6866R2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntqd6866r2-datasheets-0357.pdf | 20 В | 6,9А | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Олово (Вс) | 940 МВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 45нс | 90 нс | 40 нс | 4,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,032Ом | 175 пФ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1400пФ при 16В | 32 мОм при 6,9 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7316PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7316trpbf-datasheets-5874.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF7316PBF | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 4,9А | 30А | 0,058 Ом | 140 мДж | 2 P-канала (двойной) | 710пФ при 25 В | 58 мОм при 4,9 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,9А | 34 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7307PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7307trpbf-datasheets-5044.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 12 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7307PBF | 30 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 1,4 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 5,2А | 21А | 0,05 Ом | N и P-канал | 660пФ при 15 В | 50 мОм при 2,6 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 5,2 А 4,3 А | 20 НК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7103PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7103trpbf-datasheets-4741.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 12 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7103PBF | 30 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | 50В | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 3А | 10А | 0,13 Ом | 2 N-канала (двойной) | 290пФ при 25В | 130 мОм при 3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3А | 30 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7343PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7343trpbf-datasheets-5047.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 14 недель | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF7343PBF | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 2 Вт | 55В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 4,7А | 38А | 0,05 Ом | 72 мДж | N и P-канал | 740пФ при 25В | 50 мОм при 4,7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,7 А 3,4 А | 36 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7331PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7331trpbf-datasheets-0543.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF7331PBF | НЕ УКАЗАН | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 7А | 0,03 Ом | 2 N-канала (двойной) | 1340пФ при 16В | 30 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 7А | 20 НК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7328PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf7328trpbf-datasheets-5865.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF7328PBF | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 8А | 32А | 0,021 Ом | 2 P-канала (двойной) | 2675пФ при 25 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А | 78 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7313PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/infineontechnologies-irf7313trpbf-datasheets-4670.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 28 недель | EAR99 | IRF7313PBF | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 650пФ при 25В | 29 мОм при 5,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 6,5 А | 33 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7379PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7379trpbf-datasheets-5371.pdf | 5,8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 2,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7379PBF | 2,5 Вт | 2 | 17нс | 18 нс | 25 нс | 4,3А | 20 В | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | 1В | 46А | 0,045 Ом | 30В | N и P-канал | 520пФ при 25В | 1 В | 45 мОм при 5,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 5,8 А 4,3 А | 25 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7319PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7319trpbf-datasheets-5882.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 недель | EAR99 | IRF7319PBF | 30В | 2 Вт | N и P-канал | 650пФ при 25В | 29 мОм при 5,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 33 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7317PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7317trpbf-datasheets-2708.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | EAR99 | IRF7317PBF | 20 В | 2 Вт | N и P-канал | 900пФ при 15 В | 29 мОм при 6 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 6,6 А 5,3 А | 27 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПК8207(ТЕ12Л,К) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 20 В | 6А | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 750 мВт | ТПК*207 | 1,5 Вт | 2 | 8-СОП (5,5х6,0) | 2,01 нФ | 6А | 12 В | 20 В | 450мВт | 2 N-канала (двойной) | 2010пФ при 10В | 20 мОм при 4,8 А, 4 В | 1,2 В @ 200 мкА | 6А | 22 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 20 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9910PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf9910trpbf-datasheets-2746.pdf | 20 В | 10А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF9910PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 14нс | 7,5 нс | 15 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,55 В | 0,0093Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 900пФ при 10 В | 2,55 В | 13,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,55 В @ 250 мкА | 10А 12А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7325TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7325trpbf-datasheets-0573.pdf | -12В | -7,8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 2 Вт | IRF7325PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 8-СО | 2,02 нФ | 7,8А | 8В | 12 В | 2 Вт | -12В | 2 P-канала (двойной) | 2020пФ при 10В | 24 мОм при 7,8 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 7,8А | 33 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 24 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7314PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7314trpbf-datasheets-6218.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 39 недель | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF7314PBF | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,4 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 5,3А | 21А | 0,058 Ом | 150 мДж | 2 P-канала (двойной) | 780пФ при 15В | 58 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 5,3А | 29 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7303PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7303trpbf-datasheets-2398.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 22 недели | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7303PBF | 30 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,4 Вт | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 4,9А | 20А | 0,05 Ом | 2 N-канала (двойной) | 520пФ при 25В | 50 мОм при 2,4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,9А | 25 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7329PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7329trpbf-datasheets-5288.pdf | -12В | -9,2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | Нет СВХК | 17МОм | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7329PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 8,6 нс | 260 нс | 340 нс | -9,2А | 8В | -12В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | -900мВ | -12В | 2 P-канала (двойной) | 3450пФ при 10 В | -900 мВ | 17 мОм при 9,2 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 9,2А | 57 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6020C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdc6020c-datasheets-0623.pdf | 5,9А | 6-SSOT Плоский вывод, SuperSOT™-6 FLMP | Без свинца | Нет СВХК | 6 | 1,2 Вт | 1,6 Вт | 2 | 8нс | 8 нс | 26 нс | 5,9А | 12 В | 1В | 20 В | N и P-канал | 677пФ при 10 В | 27 мОм при 5,9 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5,9 А 4,2 А | 8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7901D1TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЕТКИ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7901d1trpbf-datasheets-0555.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | IRF7901D1PBF | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 780пФ при 16В | 38 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6,2А | 10,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня |
