Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7343PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7343trpbf-datasheets-5047.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 14 недель | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF7343PBF | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 2 Вт | 55В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 4,7А | 38А | 0,05 Ом | 72 мДж | N и P-канал | 740пФ при 25В | 50 мОм при 4,7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,7 А 3,4 А | 36 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7331PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7331trpbf-datasheets-0543.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF7331PBF | НЕ УКАЗАН | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 7А | 0,03 Ом | 2 N-канала (двойной) | 1340пФ при 16В | 30 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 7А | 20 НК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6036P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdc6036p-datasheets-0552.pdf | 6-SSOT Плоский вывод, SuperSOT™-6 FLMP | СуперСОТ™-6 | 20 В | 900мВт | 2 P-канала (двойной) | 992пФ при 10 В | 44 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5А | 14 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6000НЗ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdc6000nz-datasheets-0558.pdf | 6-SSOT Плоский вывод, SuperSOT™-6 FLMP | СуперСОТ™-6 ФЛМП | 20 В | 1,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 840пФ при 10 В | 20 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7,3А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7309PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7309trpbf-datasheets-5452.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7309PBF | 30 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 1,4 Вт | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | МС-012АА | 4А | 16А | 0,05 Ом | N и P-канал | 520пФ при 15В | 50 мОм при 2,4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4А 3А | 25 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7301PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf7301trpbf-datasheets-5527.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF7301PBF | НЕ УКАЗАН | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,4 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 5,2А | 21А | 0,05 Ом | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 15 В | 50 мОм при 2,6 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 5,2А | 20 НК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7304PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7304trpbf-datasheets-6191.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF7304PBF | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 1,4 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 4,3А | 17А | 0,09 Ом | 2 P-канала (двойной) | 610пФ при 15 В | 90 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 4,3А | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7104PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7104trpbf-datasheets-2453.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7104PBF | 30 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 2,3А | 10А | 0,25 Ом | 2 P-канала (двойной) | 290пФ при 15В | 250 мОм при 1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,3А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7105PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-irf7105trpbf-datasheets-6154.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7105PBF | 30 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 2 Вт | 25 В | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 3,5 А | 14А | 0,1 Ом | N и P-канал | 330пФ при 15В | 100 мОм при 1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3,5 А 2,3 А | 27 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М8ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m8tb-datasheets-0488.pdf | 6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *M8 | 8 | 10 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 25нс | 4,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 24А | 0,047Ом | N и P-канал | 520пФ при 10В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 6А 4,5А | 7,2 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| US5K3TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 30В | 1,5 А | Без свинца | 5 | 1,5 А | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К4ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8k4tb-datasheets-0377.pdf | 30В | 9А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К4 | 8 | 10 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 15нс | 9А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 9А | 36А | 0,024 Ом | 2 N-канала (двойной) | 1190пФ при 10 В | 17 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 21 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М9ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m9tb-datasheets-0493.pdf | 9А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *M9 | 8 | 10 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 30 нс | 5А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 9А | 36А | 0,025 Ом | N и P-канал | 1190пФ при 10 В | 18 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 9А 5А | 21 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XP0487800L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-xp0487800l-datasheets-0222.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 150 мВт | СМИНИ6-Г1 | 12пФ | 100 мА | 50В | 150 мВт | 2 N-канала (двойной) | 12пФ при 3В | 12 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 1 мкА | 100 мА | Ворота логического уровня | 12 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7324PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7324trpbf-datasheets-6998.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 19 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7324PBF | 30 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 9А | 71А | 0,018Ом | 2 P-канала (двойной) | 2940пФ при 15В | 18 мОм при 9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9А | 63 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF5850TR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/infineontechnologies-irf5850-datasheets-0069.pdf | -20В | -2,2 А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Содержит свинец | 6 | 960мВт | 6-ЦОП | 320пФ | 14нс | 2,2А | 20 В | 960мВт | -20В | 2 P-канала (двойной) | 320пФ при 15В | 135 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,2А | 5,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 135 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMD65N02N8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/diodesincorporated-zxmd65n02n8ta-datasheets-0523.pdf | 20 В | 5,7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 8 | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,6А | 0,025 Ом | 2 N-канала (двойной) | 25 мОм при 6 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 6,6А | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7331TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irf7331trpbf-datasheets-0543.pdf | 20 В | 7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 30МОм | 8 | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7331PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 7,6 нс | 22нс | 50 нс | 110 нс | 7А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 7А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1340пФ при 16В | 1,2 В | 30 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 20 НК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UM5K1NTR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohmsemiconductor-um5k1ntr-datasheets-0404.pdf | 30В | 100 мА | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 5 | Нет СВХК | 13Ом | 5 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К1 | 5 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 15 нс | 35 нс | 35 нс | 80 нс | 100 мА | 20 В | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,1 А | 30В | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 13пФ @ 5В | 1,5 В | 8 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО615Н | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИПМОС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bso615n-datasheets-0338.pdf | 60В | 2,6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | БСО615 | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 15нс | 2,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10,4А | 0,15 Ом | 60 мДж | 2 N-канала (двойной) | 380пФ при 25В | 150 мОм при 2,6 А, 4,5 В | 2 В @ 20 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7910PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7910trpbf-datasheets-2765.pdf | 12 В | 10А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7910PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 9,4 нс | 22нс | 6,3 нс | 16 нс | 10А | 12 В | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 0,015 Ом | 12 В | 2 N-канала (двойной) | 1730пФ при 6В | 2 В | 15 мОм при 8 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 26 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7350PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7350pbf-datasheets-0477.pdf | 2,1А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | Нет СВХК | 210мОм | 8 | 2 Вт | IRF7350PBF | 2 Вт | 2 | 8-СО | 380пФ | 13нс | 40 нс | 30 нс | 2,1А | 20 В | 100 В | 100 В | 4В | 2 Вт | 480мОм | 100 В | N и P-канал | 380пФ при 25В | 4 В | 210 мОм при 2,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,1 А 1,5 А | 28 НК при 10 В | Стандартный | 210 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7530PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7530trpbf-datasheets-5416.pdf | 20 В | 5,4А | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,048 мм | 910 мкм | 3,048 мм | Без свинца | 8 | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 1,3 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7530PBF | 1,3 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 8,5 нс | 11нс | 16 нс | 36 нс | 5,4А | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 0,03 Ом | 33 мДж | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1310пФ при 15В | 30 мОм при 5,4 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 26 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTQD6968NR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntqd6968nr2-datasheets-0491.pdf | 20 В | 7А | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,39 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 8 | 30 | 1,81 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 25нс | 25 нс | 60 нс | 6,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 0,03 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 16 В | 22 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7338PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineon-irf7338pbf-datasheets-8560.pdf | 6,3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 34мОм | 8 | 2 Вт | IRF7338PBF | 2 Вт | 2 | 8-СО | 640пФ | 13нс | 25 нс | 27 нс | 6,3А | 8В | 12 В | 2 Вт | 34мОм | 12 В | N и P-канал | 640пФ при 9В | 34 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6,3А 3А | 8,6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 34 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УП0487800Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-up0487800l-datasheets-0412.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | Нет | 125 МВт | ССМИНИ6-Ф1 | 12пФ | 200 нс | 200 нс | 100 мА | 7В | 50В | 125 МВт | 2 N-канала (двойной) | 12пФ при 3В | 12 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 1 мкА | 100 мА | Ворота логического уровня | 12 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К5ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8k5tb-datasheets-0440.pdf | 30В | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К5 | 8 | 10 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 6нс | 3,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 14А | 0,15 Ом | 2 N-канала (двойной) | 140пФ при 10В | 83 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 3,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К1ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8k1tb-datasheets-0423.pdf | 30В | 5А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К1 | 8 | 10 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 6 нс | 8нс | 5 нс | 22 нс | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 20А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 230пФ при 10В | 51 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 5,5 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М3ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m3tb-datasheets-0418.pdf | 5А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *М3 | 8 | 10 | 2 | Другие транзисторы | 25нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 20А | N и P-канал | 230пФ при 10В | 51 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 5А 4,5А | 3,9 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7311TR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/infineontechnologies-irf7311tr-datasheets-0451.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 6,6А | 26А | 0,029 Ом | 100 мДж | 2 N-канала (двойной) | 900пФ при 15 В | 29 мОм при 6 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 6,6А | 27 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
