Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули драйверов питания(1071)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Номинальное входное напряжение | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальный текущий рейтинг | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Конфигурация | Количество выходов | Частота переключения | Напряжение – изоляция | Минимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Выходной ток-Макс. | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FCAS20DN60BB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | Коробка | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fcas20dn60bb-datasheets-5324.pdf | Модуль 20-PowerSIP, формованные выводы | Без свинца | 20 | 20А | 600В | 22 Вт | 2 фаза | 1500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ20SL60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm20sl60-datasheets-5326.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 58 Вт | 20А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50325Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 160 мкА | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-fsb50325t-datasheets-5327.pdf | Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) | 29 мм | 3,1 мм | 12,2 мм | 15 В | 23 | 36 недель | 4,05 г | Нет СВХК | 16,5 В | 13,5 В | 23 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 1,5 А | е3 | Олово (Вс) | 10 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСБ50325 | 150 В | 1,5 А | 3 фаза | 3 | 15 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 250 В | 250 В | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCAS30DN60BB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Коробка | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fcas30dn60bb-datasheets-5335.pdf | Модуль 20-PowerSIP, формованные выводы | Без свинца | 20 | Нет | 30А | 39 Вт | 2 фаза | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 2,05 В | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ52006С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 150°С | -20°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fsb52006s-datasheets-5337.pdf | Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки | 29 мм | 3,15 мм | 12 мм | 23 | 6 недель | 4,05 г | 23 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 2,6А | 11 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | 16,5 В | 13,5 В | Электроника управления движением | 15 В | 0,16 мА | 3 фаза | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 60В | 5А | 60В | 2,6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБФ5Ч60Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | 20 кГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbf5ch60b-datasheets-5346.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 26,8 мм | 300В | Без свинца | 27 | 21 978 г | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 253В | 8541.29.00.95 | 1 | 5А | 23 мА | е3 | Олово (Вс) | 19 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 16,5 В | 13,5 В | 19 Вт | 300мВ | 10А | 750 нс | 600 нс | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2В | 5А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРАМС10УП60А-2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | iMOTION™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | ГИБРИДНЫЙ | 20 кГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irams10up60a-datasheets-5039.pdf | Модуль 23-PowerSIP, 19 выводов, формованные выводы | 62 мм | 22,3 мм | 5 мм | Без свинца | 23 | 99 недель | 20 В | 12 В | 23 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 120 мкА | е0 | Оловянный свинец | ЗИГ-ЗАГ | 15 В | 1,98 мм | Электроника управления движением | 15 В | 2,3 мА | 600В | 16А | 470 нс | 615 нс | 3 фаза | 20 кГц | 2000 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ30Ч60Ф | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbb30ch60f-datasheets-5276.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 4,5 мм | 27 мм | Без свинца | 27 | 17 недель | 13,32 г | 450В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 1 | 30А | 500 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ФСББ30Ч60 | 103 Вт | 800мВ | 5мА | 3 фаза | 1 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,75 В | 30А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБС10Ч60Ф | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fsbs10ch60f-datasheets-5363.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 10А | 600В | ФСБС10 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ15Ш60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm15sh60-datasheets-5285.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 32 | ФСБМ15 | 15А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,8 В | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ20Ч60БТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение-СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbb20ch60bt-datasheets-5365.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 20А | 600В | ФСББ20Ч60 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБФ10Ч60БТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | 20 кГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-fsbf10ch60bt-datasheets-5286.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,3 мм | 27 мм | 20 В | Без свинца | 27 | 21 978 г | 450В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 253В | 8541.29.00.95 | 1 | 10А | 600 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 400В | 20А | 750 нс | 600 нс | 3 фаза | 3 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,2 В | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС21962-4 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Интеллимод™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/powerexinc-ps219624c-datasheets-2381.pdf | Модуль 25-PowerDIP (1,134, 28,80 мм) | 24 | 25 | да | EAR99 | 5А | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | 600В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 24 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-XDMA-T24 | 3 фаза | 1500 В постоянного тока | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБС10Ш60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Силовой модуль | 10А | 600В | ФСБС10 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБС15Ч60Ф | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbs15ch60f-datasheets-5368.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 27 мм | 27 | 25 недель | 13,86 г | 450В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | 1 | 15А | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 13,5 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50325 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СПМ® | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fsb50325-datasheets-5295.pdf | Модуль 23-PowerDIP (0,551, 14,00 мм) | 29 мм | 3,1 мм | 12 мм | Без свинца | 23 | Нет СВХК | 16,5 В | 13,5 В | 23 | 1,5 А | 1 | 160 мкА | 50мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 15 В | ФСБ50325 | 250 В | 3А | 3 фаза | 3 | 1500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРАМ136-3023Б | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | iMOTION™ | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | ГИБРИДНЫЙ | 20 кГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-iram1363023b-datasheets-5298.pdf | Модуль 22-PowerSIP, 18 выводов, формованные выводы | 78 мм | 6 мм | 31,1 мм | 15 В | Без свинца | 18 | 13 недель | Нет СВХК | 20 В | 12 В | 18 | Нет | 1 | 3,35 мА | ЗИГ-ЗАГ | 15 В | 2,54 мм | ДРУГОЙ | 89 Вт | Электроника управления движением | 150 В | 30А | 830 нс | 1,08 мкс | 3 фаза | 1 | 20 кГц | 2000 В (среднеквадратичное значение) | 150 В | 30А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50450Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СПМ® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -25°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fsb50450t-datasheets-5305.pdf | Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) | 29 мм | 3,1 мм | 14 мм | 23 | 36 недель | 4,05 г | 23 | да | Нет | 1 | 1,5 А | НЕУКАЗАНО | 15 В | ФСБ50450 | 16,5 В | 13,5 В | 3 фаза | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБФ10Ч60БТЛ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-fsbf10ch60btl-datasheets-5307.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,3 мм | 27 мм | 20 В | Без свинца | 27 | 21.001333г | 450В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 4 | 10А | 600 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 20 Вт | 400В | 10А | 3 фаза | 3 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,2 В | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБФ15Ч60БТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbf15ch60bt-datasheets-5315.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 26,8 мм | Без свинца | 27 | 21 978 г | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 15А | е3 | Олово (Вс) | 25 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСБФ15Ч60 | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 16,5 В | 13,5 В | 750 нс | 550 нс | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,2 В | 30А | 2,2 В | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФПДБ20PH60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fpdb20ph60-datasheets-5250.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 20 В | Без свинца | 27 | 12А | 26 мА | 62,5 Вт | 300мВ | 5мА | 2 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ10Ш60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fsam10sh60-datasheets-5253.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 7,2 мм | Без свинца | 32 | 32 | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 16,5 В | 13,5 В | НЕ УКАЗАН | 43 Вт | Не квалифицирован | 10А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,8 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФПАБ50PH60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fpab50ph60-datasheets-5255.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 20 В | Без свинца | 27 | 30А | 26 мА | 143 Вт | 300мВ | 5мА | 2 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ15Ч60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbb15ch60bt-datasheets-5232.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 4,5 мм | 27 мм | Без свинца | 27 | 13,32 г | 450В | 27 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 15А | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСББ15Ч60 | 13,5 В | 50 Вт | 15А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | 2,3 В | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCBS0550 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СПМ® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fcbs0550-datasheets-5266.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 15 В | Без свинца | 27 | 6 недель | 13,86 г | Нет СВХК | 16,5 В | 13,5 В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 5А | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | НЕ УКАЗАН | Электроника управления движением | Не квалифицирован | 500В | 5А | 3 фаза | 3 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ15Ч60Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение-СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbb15ch60bt-datasheets-5232.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 15А | совместимый | 600В | ФСББ15Ч60 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ10Ш60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm10sh60-datasheets-5275.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 43 Вт | 10А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,5 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50550Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | 150°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 15 кГц | 160 мкА | Соответствует RoHS | 2011 г. | Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) | 29 мм | 3,1 мм | 300В | Без свинца | 23 | 4,05 г | 23 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 500В | 8541.29.00.95 | 1 | 1,8 А | е3 | Олово (Вс) | 4,5 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСБ50550 | 16,5 В | 3,5 А | 3 фаза | 3 | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБС5Ч60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbs5ch60-datasheets-5203.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 26,8 мм | 16,5 В | Без свинца | 27 | 13,86 г | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 5А | 100 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 25 Вт | 300В | 10А | 3 фаза | 3 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | 5А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50325С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СПМ® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 150°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 15 кГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fsb50325s-datasheets-5213.pdf | Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки | 29 мм | 12 мм | 16,5 В | Без свинца | 23 | 23 | 250 В | 1 | 160 мкА | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСБ50325 | 10 Вт | 150 В | 3А | 1,5 А | 3 фаза | 3 | 1500 В (среднеквадратичное значение) |
