Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули драйверов питания(1071)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Номинальное входное напряжение | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальный текущий рейтинг | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Конфигурация | Количество выходов | Частота переключения | Напряжение – изоляция | Максимальное напряжение проба | Минимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФСББ15Ч60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbb15ch60bt-datasheets-5232.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 4,5 мм | 27 мм | Без свинца | 27 | 13,32 г | 450В | 27 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 15А | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСББ15Ч60 | 13,5 В | 50 Вт | 15А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | 2,3 В | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCBS0550 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СПМ® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fcbs0550-datasheets-5266.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 15 В | Без свинца | 27 | 6 недель | 13,86 г | Нет СВХК | 16,5 В | 13,5 В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 5А | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | НЕ УКАЗАН | Электроника управления движением | Не квалифицированный | 500В | 5А | 3 фаза | 3 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ15Ч60Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение-СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbb15ch60bt-datasheets-5232.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 15А | совместимый | 600В | ФСББ15Ч60 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ10Ш60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm10sh60-datasheets-5275.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 43 Вт | 10А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,5 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50550Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | 150°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 15 кГц | 160 мкА | Соответствует RoHS | 2011 г. | Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) | 29 мм | 3,1 мм | 300В | Без свинца | 23 | 4,05 г | 23 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 500В | 8541.29.00.95 | 1 | 1,8 А | е3 | Олово (Вс) | 4,5 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСБ50550 | 16,5 В | 3,5 А | 3 фаза | 3 | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБС5Ч60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbs5ch60-datasheets-5203.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 26,8 мм | 16,5 В | Без свинца | 27 | 13,86 г | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 5А | 100 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 25 Вт | 300В | 10А | 3 фаза | 3 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | 5А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРАМС06UP60B | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | iMOTION™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Коробка | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | ГИБРИДНЫЙ | 20 кГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/infineontechnologies-irams06up60b-datasheets-5120.pdf | Модуль 23-PowerSIP, 19 выводов, формованные выводы | 62 мм | 22,3 мм | 5 мм | 15 В | Без свинца | 25 | 13 недель | Нет СВХК | 20 В | 12 В | 23 | Нет | 1 | 1,6 мА | е0 | Оловянный свинец | 7,5 Вт | ЗИГ-ЗАГ | 15 В | 1,98 мм | 7,5 Вт | Электроника управления движением | Р-ПЗФМ-Т25 | 450В | 6А | 470 нс | 615 нс | 3 фаза | 3 | 2000 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБС15Ч60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 20 кГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbs15ch60-datasheets-5134.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 27 мм | Без свинца | 27 | 13,86 г | 16,5 В | 13,5 В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 253В | 8541.29.00.95 | 1 | 15А | 100 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 32 Вт | 600В | 30А | 3 фаза | 3 | 20 кГц | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ15Ш60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsam15sh60-datasheets-5141.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 32 | да | EAR99 | 15А | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 600В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ФСАМ15 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | Р-XDMA-T32 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБС3Ч60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbs3ch60-datasheets-5145.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 27 мм | 20 В | Без свинца | 27 | 25 недель | 13,86 г | 450В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 3А | 100 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 400В | 3А | 3 фаза | 3 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ30Ш60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 100°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 15 кГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fsam30sh60a-datasheets-5153.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 8,3 мм | 31 мм | Без свинца | 32 | 52 недели | 32,58 г | Неизвестный | 16,5 В | 13,5 В | 32 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 15 В | 8541.29.00.95 | 1 | 30А | е3 | Олово (Вс) | 62 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | 62 Вт | 125°С | 4,5 В | 30А | 3 фаза | 6 | 15 кГц | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,5 В | 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ15SL60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm15sl60-datasheets-5160.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | ФСБМ15 | 46 Вт | 15А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50250С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СПМ® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 150°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 15 кГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fsb50250s-datasheets-5161.pdf | Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки | 29 мм | 3,05 мм | 12 мм | Без свинца | 23 | 4,05 г | Нет СВХК | 400В | 23 | да | 500В | 1 | 1А | 200 мкА | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСБ50250 | 10 Вт | 1А | 500В | 2А | 1А | 3 фаза | 3 | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ30СМ60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fsam30sm60a-datasheets-5163.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 7,2 мм | 31 мм | Без свинца | 32 | 32,58 г | 32 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 30А | е3 | Олово (Вс) | 62 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | 16,5 В | 13,5 В | 62 Вт | 30А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | 2,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCBS0650 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СПМ® | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 100°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fcbs0650-datasheets-5170.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 27 | 6А | 500В | 500В | 6А | 3 фаза | 3 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФПДБ30PH60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | ПФК СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fpdb30ph60-datasheets-5172.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 26,8 мм | Без свинца | 26 мА | 27 | 6 недель | 13,32 г | Нет СВХК | 20 В | 27 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 20А | 8541.29.00.95 | 1 | 26 мА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 83 Вт | Импульсный регулятор или контроллеры | 15400В | 450В | 5мА | 2 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 3,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ10Ш60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 15 кГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fsam10sh60a-datasheets-5180.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 7,2 мм | 31 мм | Без свинца | 32 | 32,58 г | Нет СВХК | 16,5 В | 32 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 253В | 8541.29.00.95 | 1 | 10А | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДВОЙНОЙ | 15 В | 13,5 В | 43 Вт | 20А | 270 нс | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,5 В | 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАБ20ПХ60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fsab20ph60-datasheets-5188.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 4,5 мм | 16,5 В | Без свинца | 27 | 11А | 600В | 1 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФПАБ30PH60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fpab30ph60-datasheets-5192.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 20 В | Без свинца | 27 | 20А | 26 мА | 83 Вт | 300мВ | 5мА | 2 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРАМ256-1067А2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | iMOTION™ | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-iram2561067a2-datasheets-5119.pdf | Модуль 29-PowerSSIP, 21 вывод, формованные выводы | 10А | 600В | 3 фаза | 2000 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМП15П12Д | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Крепление на шасси | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | Силовой модуль | Содержит свинец | 30А | 1,2 кВ | 14 нс | 3 фаза | 2500 В постоянного тока | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ20Ч60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbb20ch60-datasheets-5068.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 27 мм | Без свинца | 27 | 13,32 г | 16,5 В | 13,5 В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 20А | е3 | Олово (Вс) | 61 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСББ20Ч60 | 61 Вт | 20А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | 20А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ15SL60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsam15sl60-datasheets-5075.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 7,2 мм | Без свинца | 32 | ФСАМ15 | 15А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ15СМ60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2011 г. | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 7,2 мм | 34,8 мм | 300В | Без свинца | 32 | 32,58 г | 32 | да | Нет | 253В | 1 | 15А | 26 мА | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСАМ15 | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 16,5 В | 13,5 В | 50 Вт | 600В | 30А | 320 нс | 830 нс | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФКАС50СН60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fcas50sn60-datasheets-5091.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 50А | 600В | 1 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ30Ш60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm30sh60a-datasheets-5093.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 30А | 62 Вт | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ20SL60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsam20sl60-datasheets-5094.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 32 | 58 Вт | 20А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ15Ш60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm15sh60a-datasheets-5095.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 32 | 15А | ФСБМ15 | 50 Вт | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,5 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ10СМ60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm10sm60a-datasheets-5096.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 32 | 10А | 43 Вт | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ15СМ60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm15sm60a-datasheets-5100.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 15А | ФСБМ15 | 50 Вт | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В |
