| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПБРП123YT,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-pbrp123yt215-datasheets-3896.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,55. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПБРП123 | 3 | Одинокий | 30 | 250 мВт | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 40В | 600 мА | -5В | 190 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 230 @ 300 мА 5 В | 750 мВ при 6 мА, 600 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК114ЕФ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mmun2211lt1g-datasheets-1523.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБК1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 35 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УНР411800А | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-unr411300a-datasheets-6179.pdf | -50В | -100 мА | 3-ССИП | Без свинца | 300мВт | НС-Б1 | 300мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 20 @ 5 мА 10 В | 80 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 510 Ом | 5,1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTC123YE-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtc123je7-datasheets-5914.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Содержит свинец | 3 | 2,012816мг | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,55. | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Не квалифицирован | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 33 | 33 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTC114WE-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtc123je7-datasheets-5914.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 17 недель | 2,012816мг | 3 | НПН | 150 мВт | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТК115ЕЕ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ddtc123ee7-datasheets-6097.pdf | 50В | 20 мА | СОТ-523 | Содержит свинец | 3 | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Не квалифицирован | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 82 | 82 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА144ТЭТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | -50В | -100 мА | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДРДПБ16W-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-drdn005w7-datasheets-4818.pdf | -50В | -600мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 19 недель | 6,010099мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДРДПБ16 | 6 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 600 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600 мА | 50В | 50В | 300мВ | 600 мА | 200 МГц | 56 | 500нА | PNP — предварительное размещение + диод | 56 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| РН2109ACT(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | 100мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 100мВт | 50В | 50В | 150 мВ | 80 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДРК2115Т0Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-drc2115t0l-datasheets-4208.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ДРК2115 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD743EMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohmsemiconductor-dtd743eetl-datasheets-6812.pdf | СОТ-723 | 3 | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТД743 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 30 В | 30 В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 115 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УНР411Л00А | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-unr411300a-datasheets-6179.pdf | -50В | -100 мА | 3-ССИП | Содержит свинец | 300мВт | НС-Б1 | 300мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 20 @ 5 мА 10 В | 80 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1107АКТ(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | 100мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 100мВт | 50В | 50В | 150 мВ | 80 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТА144ВЕ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddta144ve7-datasheets-6134.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Содержит свинец | 3 | 2,012816мг | 3 | EAR99 | КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,47. | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Не квалифицирован | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 56 | 56 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА143ЕЭТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-dta143ekat146-datasheets-2360.pdf | -50В | -100 мА | СК-75, СОТ-416 | 50В | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| ДТБ513ЗМТ2Л | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10 | Нет | 260 МГц | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТБ513 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | -60мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -500мА | 12 В | 300мВ | 500 мА | 260 МГц | 140 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1418(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | да | 200мВт | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН2212T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2212lt1g-datasheets-1623.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 230мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МУН2212 | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 60 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 60 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТА143ЗЕ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ddta144ve7-datasheets-6134.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-523 | Содержит свинец | 3 | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Не квалифицирован | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 80 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1113ACT(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | неизвестный | 100мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 100мВт | 50В | 50В | 150 мВ | 80 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБРП123ЕТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-pbrp123et215-datasheets-3808.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ПБРП123 | 3 | Одинокий | 30 | 250 мВт | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 750 мВ | 600 мА | -10В | 120 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 180 @ 300 мА 5 В | 750 мВ при 6 мА, 600 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1110ACT(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | 100мВт | 100мВт | 50В | 50В | 150 мВ | 80 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC943ТУБТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-dtc943tubtl-datasheets-4141.pdf | СК | Без свинца | 3 | 7 недель | 85 | EAR99 | 35 МГц | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 мА | 20 В | 20 В | 100 мВ | 400 мА | 35 МГц | 820 | 40В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC923ТУБТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-dtc923tubtl-datasheets-4155.pdf | СК | Без свинца | 3 | 7 недель | 85 | EAR99 | 35 МГц | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 мА | 20 В | 20 В | 100 мВ | 400 мА | 35 МГц | 820 | 40В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTC123JE-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtc123je7-datasheets-5914.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | 19 недель | 2,012816мг | 3 | да | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДТК123 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| DDTA123JE-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddta144ve7-datasheets-6134.pdf | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | 3 | 18 недель | 2,012816мг | 3 | да | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДТА123 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTA143EE-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddta144ee7-datasheets-5912.pdf | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | 3 | 16 недель | 2,012816мг | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДТА143 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | Не квалифицирован | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 20 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 20 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТД114ЭТР | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pdtd143xtr-datasheets-7421.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | 320мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 320мВт | 50В | 100 мВ | 500 мА | 225 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 225 МГц | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1417(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | да | 200мВт | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1415(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | да | 200мВт | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 10 кОм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.