Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTB123ECT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | EAR99 | ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 1 | не_совместимо | 8541.21.00.75 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 0,3 В | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 39 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMUN2211LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmun2211lt1g-datasheets-1523.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММУН22**Л | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 35 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB123TCT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3 | 3 | 7 недель | EAR99 | ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 40В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 100 | 0,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВММУН2112LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mun5112t1g-datasheets-6218.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 246мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 246мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 60 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC123YEBHZGTL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СК-89, СОТ-490 | 3 | 20 недель | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,5. | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 150 мВт | 250 МГц | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 33 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC123EM3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmun2231lt1g-datasheets-1634.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-723 | 1,25 мм | 550 мкм | 850 мкм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DTC123 | 3 | Одинокий | 40 | 260мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 6В | 8 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 8 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC143XMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dtc143xkat146-datasheets-4420.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,1. | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 10 | 150 мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-mmun2211lt1g-datasheets-1523.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-723 | 1,25 мм | 550 мкм | 850 мкм | 50В | Без свинца | 3 | 2 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DTC114 | 3 | Одинокий | 40 | 260мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 6В | 35 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| DDTD142TC-7-F | Диодс Инкорпорейтед | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-ddtd142jc7f-datasheets-3002.pdf | 50В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТД142 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 500 мА | 50В | 50В | 40В | 500 мА | 200 МГц | 5В | 100 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 470 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2104(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 12 недель | 100мВт | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2307(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/toshiba-rn2307te85lf-datasheets-7478.pdf | СК-70, СОТ-323 | 16 недель | 3 | Нет | ПНП | 100мВт | РН230* | Одинокий | 100мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2303(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/toshiba-rn2303te85lf-datasheets-7479.pdf | СК-70, СОТ-323 | 11 недель | 3 | Нет | ПНП | 100мВт | РН230* | Одинокий | 100мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 70 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC144EM3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmun2213lt1g-datasheets-1617.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-723 | 1,25 мм | 550 мкм | 850 мкм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DTC144 | 3 | Одинокий | 40 | 260мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 6В | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC144VCAT116 | РОМ Полупроводник | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | EAR99 | ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,2. | 8541.21.00.75 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 200мВт | 250 МГц | 50В | 100 мА | 0,3 В | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 33 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC123JM3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-dtc123jet1g-datasheets-1889.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-723 | 1,25 мм | 550 мкм | 850 мкм | 50В | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,047. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DTC123 | 3 | Одинокий | 40 | 260мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 6В | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| SMMUN2213LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmun2213lt1g-datasheets-1617.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММУН22**Л | 3 | Одинокий | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTB122TC-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-ddtb142tc7f-datasheets-5025.pdf | -50В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТБ122 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | 500 мА | 50В | 50В | 40В | 500 мА | 200 МГц | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 220 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC115EM3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-dtc115eet1g-datasheets-6058.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-723 | 1,25 мм | 550 мкм | 850 мкм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DTC115 | 3 | Одинокий | 40 | 260мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 6В | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 100 кОм | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2103(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 100мВт | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА143ЗМ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmun2133lt1g-datasheets-1653.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-723 | 1,25 мм | 550 мкм | 850 мкм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 40 | 260мВт | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 6В | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА114ЕМ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmun2111lt1g-datasheets-1510.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-723 | 1,25 мм | 550 мкм | 850 мкм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Олово | Нет | е3 | ПНП | Без галогенов | ДА | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА114 | 3 | Одинокий | 40 | 260мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 6В | 35 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTC142JE-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtc122le7-datasheets-5875.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | 19 недель | 2,012816мг | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC142 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 200 МГц | 56 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 470 Ом | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТК113ТЕ-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtc144te7-datasheets-5983.pdf | СОТ-523 | 3 | 19 недель | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДТК113 | 3 | 150°С | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | НПН | 0,15 Вт | 150 мВт | 250 МГц | 50В | 100 мА | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTB142JC-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-ddtb142tc7f-datasheets-5025.pdf | -50В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 21,28. | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТБ142 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | 500 мА | 50В | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 56 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 470 Ом | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | СК-85 | Без свинца | 3 | 13 недель | 85 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,7. | Нет | 250 МГц | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 50 мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 70 мА | 250 МГц | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC024EUBTL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СК-85 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | 250 МГц | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 50 мВ | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 150 мВ | 30 мА | 250 МГц | NPN — предварительный смещенный | 60 при 5 мА 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1313(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | СК-70, СОТ-323 | 11 недель | 3 | Нет | НПН | 150 мВт | РН131* | Одинокий | 100мВт | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 120 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1312(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | 3 | Нет | НПН | 150 мВт | РН131* | Одинокий | 100мВт | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 120 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1305,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 12 недель | 28,009329мг | 3 | НПН | 100мВт | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 50В | 5В | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2311(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | СК-70, СОТ-323 | 11 недель | 3 | Нет | ПНП | 100мВт | РН231* | Одинокий | 100мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 120 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм |
