Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МУН2137Т1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mun2111t3-datasheets-0108.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | EAR99 | КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,47. | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | 230мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | Одинокий | 30 | 230мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| DTC143TSATP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dtc143tsatp-datasheets-8684.pdf | 50В | 100 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 300мВт | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| МУН5136Т1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mun5115t1-datasheets-0135.pdf | -50В | -100 мА | СК-70, СОТ-323 | Содержит свинец | 3 | нет | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | МУН51**Т | 3 | 30 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 202мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 100 кОм | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| DTD133HKT146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/rohmsemiconductor-dtd133hkt146-datasheets-8687.pdf | 50В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 59 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 3. | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТД133 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 0,3 В | 56 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 3,3 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||
| DTC363EUT106 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-dtc363ekt146-datasheets-6501.pdf | 20 В | 600 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТК363 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 80мВ | 600 мА | 200 МГц | 70 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 80 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 6,8 кОм | 6,8 кОм | |||||||||||||||||||||||
| УНР31А100Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-unr31a100l-datasheets-8488.pdf | -50В | -80мА | СОТ-723 | Содержит свинец | 100мВт | СССМини3-F1 | 100мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 80 мА | 50В | 80 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 80 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD114ESTP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dtd114estp-datasheets-8668.pdf | 50В | 500 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 300мВт | 260 | ДТД114 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 0,3 В | 56 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| DTA144ESATP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-dta144esatp-datasheets-8669.pdf | -50В | -30 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 300мВт | 260 | ДТА144 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 30 мА | 250 МГц | 68 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| DDTC124ECA-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ddtc114eca7f-datasheets-2618.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | неизвестный | 8541.21.00.75 | е0 | Оловянный свинец | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | ДДТК124 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | Не квалифицирован | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 5В | 56 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||
| DTC144TSATP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dtc144tsatp-datasheets-8671.pdf | 50В | 100 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 300мВт | 260 | DTC144 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 0,3 В | 100 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| МУН5237Т1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mun5216t1-datasheets-0161.pdf | 50В | 100 мА | СК-70, СОТ-323 | Содержит свинец | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 0,47 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | МУН52**Т | 3 | Одинокий | 30 | 202мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| DTC143ESATP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dtc143esatp-datasheets-8674.pdf | 50В | 100 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 300мВт | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 10 | 300мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| МУН2136Т1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mun2111t3-datasheets-0108.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 230мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | 30 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 230мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 100 кОм | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| МУН5236Т1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mun5216t1-datasheets-0161.pdf | 50В | 100 мА | СК-70, СОТ-323 | Содержит свинец | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | МУН52**Т | 3 | Одинокий | 30 | 202мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 100 кОм | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| МУН5137Т1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mun5115t1-datasheets-0135.pdf | -50В | -100 мА | СК-70, СОТ-323 | Содержит свинец | 3 | нет | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,47. | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | МУН51**Т | 3 | Одинокий | 30 | 202мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||
| DTA113ZSATP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/rohmsemiconductor-dta113zuat106-datasheets-1881.pdf | -50В | -100 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 300мВт | 260 | ДТА113 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 0,3 В | 33 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 33 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| ДТА143ЕКАТ246 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dta143ekat146-datasheets-2360.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 59 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 0,3 В | 30 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||
| DTC114TSATP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dtc114tsatp-datasheets-8654.pdf | 50В | 100 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 300мВт | 260 | DTC114 | 3 | Одинокий | 10 | 300мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| DTC114WSATP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dtc114wsatp-datasheets-8657.pdf | 50В | 100 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,47. | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 300мВт | 260 | DTC114 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 0,3 В | 24 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 24 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| DTC363TKT146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/rohmsemiconductor-dtc363tkt146-datasheets-8658.pdf | 30 В | 600 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | ЦИФРОВОЙ | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТК363 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 15 В | 15 В | 600 мА | 200 МГц | 0,08 В | 100 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 80 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 6,8 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| DTC124ESATP | РОМ Полупроводник | 0,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-dtc124esatp-datasheets-8665.pdf | 50В | 30 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | НПН | 300мВт | DTC124 | 3 | Одинокий | 50В | 300мВ | 30 мА | 56 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММУН2241LT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmun2231lt1-datasheets-0076.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | НПН | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | ММУН22**Л | 3 | Одинокий | 30 | 246мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | ТО-236АБ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 160 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| ММУН2212LT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmun2231lt1-datasheets-0076.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | ММУН22**Л | 3 | Одинокий | 30 | 246мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | ТО-236АБ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 60 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 60 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||
| ДТА143ЦАТП | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dta143tsatp-datasheets-8643.pdf | -50В | -100 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 300мВт | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| DTC123JSATP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dtc123jsatp-datasheets-8644.pdf | 50В | 100 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | СООТНОШЕНИЕ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 21. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 300мВт | 260 | DTC123 | 3 | Одинокий | 10 | 300мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| ДТА124ЕСАТП | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dta124esatp-datasheets-8645.pdf | -50В | -30 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 300мВт | 260 | ДТА124 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 30 мА | 250 МГц | 0,3 В | 56 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| МУН5114Т1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mun5115t1-datasheets-0135.pdf | -50В | -100 мА | Содержит свинец | 3 | нет | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,76. | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | ПНП | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | Одинокий | 30 | 202мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA143ESATP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-dta143esatp-datasheets-8649.pdf | -50В | -100 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 300мВт | НИЖНИЙ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| ДТА114ЕСАТП | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohmsemiconductor-dta114esatp-datasheets-8650.pdf | -50В | -50 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | ПНП | 300мВт | ДТА114 | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 50 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| DTA114WSATP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dta114wsatp-datasheets-8651.pdf | -50В | -100 мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,47. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 300мВт | 260 | ДТА114 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 24 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 24 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 4,7 кОм |
