Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходное напряжение | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DDTC114GCA-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-ddtc124gca7-datasheets-5236.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДТК114 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 30 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA123JQAZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pdta123jqaz-datasheets-2216.pdf | 3-XDFN Открытая площадка | 3 | 4 недели | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 21. | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 280мВт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 280мВт | 50В | 100 мВ | 100 мА | 180 МГц | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 10 мА 5 В | 180 МГц | 100 мВ @ 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТК114ТМ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nexperiausainc-pdtc114tu115-datasheets-3657.pdf | СК-101, СОТ-883 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 250мВт | НИЖНИЙ | 260 | ПДТК114 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 1 мкА | NPN — предварительный смещенный | 200 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA114EQAZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pdta114eqaz-datasheets-2240.pdf | 3-XDFN Открытая площадка | 3 | 4 недели | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 280мВт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 280мВт | 50В | 150 мВ | 100 мА | 180 МГц | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 180 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADTA114EUAQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-adta114euaq13-datasheets-1528.pdf | СК-70, СОТ-323 | 13 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | 330мВт | 50В | 100 мА | ПНП — предварительный смещенный | 250 МГц | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА143ТЕБТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-dta143tkat146-datasheets-4119.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 250 МГц | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | -5В | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1315,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | 3 | Нет | Одинокий | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2402,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | Нет | Одинокий | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADTC144EUAQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-adtc144euaq13-datasheets-1372.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 13 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | НПН | 330мВт | 250 МГц | 80 | 50В | 100 мА | NPN — предварительный смещенный | 250 МГц | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMUN2216LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2216lt1g-datasheets-1516.pdf | ТО-236, СК-59, вариант СОТ-23-3, 3-СМД | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | АЭК-Q101 | Без галогенов | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММУН22**Л | 3 | Одинокий | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2112,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 16 недель | ПНП | 100мВт | -100 мА | -50В | 50В | 100 мА | -5В | 120 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1307,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | 3 | Нет | Одинокий | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1304,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | 3 | Нет | Одинокий | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1403,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | Нет | Одинокий | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2403,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | Нет | Одинокий | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC143XEBTL | РОМ Полупроводник | 0,01 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-dtc143xkat146-datasheets-4420.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 10 недель | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2.1 | Нет | 250 МГц | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Ф3 | 100 мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA143XEBTL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-dta143xuat106-datasheets-7494.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2.1 | Нет | 250 МГц | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | -100мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADTC143ZCAQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,47; ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | НПН | 310мВт | 250 МГц | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1405,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshiba-rn1405lf-datasheets-5477.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | EAR99 | Нет | РН140* | Одинокий | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТА114ГСА-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-ddta114gca7-datasheets-2870.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДТА114 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| RN1101,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1103lfct-datasheets-3362.pdf | СК-75, СОТ-416 | 16 недель | 100мВт | ССМ | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA123JKAT246 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohmsemiconductor-dta123jkat146-datasheets-4196.pdf | СОТ-346 | 3 | да | EAR99 | СООТНОШЕНИЕ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 21. | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА123 | 3 | 150°С | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200мВт | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 0,3 В | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2115,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-rn2114te85lf-datasheets-6983.pdf | СК-75, СОТ-416 | 18 недель | ПНП | 100мВт | -100 мА | -50В | 50В | 100 мА | -6В | 50 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВММУН2113LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2113lt1g-datasheets-1641.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 246мВт | ТО-236АБ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2116,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn2114te85lf-datasheets-6983.pdf | СК-75, СОТ-416 | 18 недель | ПНП | 100мВт | ССМ | -100 мА | 100мВт | -50В | 50В | 100 мА | -7В | 50 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1309,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1109,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 12 недель | 100мВт | 100мВт | 50В | 300мВ | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADTC114EUAQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-adtc114euaq13-datasheets-1288.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 13 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | НПН | 330мВт | 250 МГц | 30 | 50В | 100 мА | NPN — предварительный смещенный | 250 МГц | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2409,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn2409lf-datasheets-2016.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | ПНП | 200мВт | -100 мА | -50В | 50В | 100 мА | -15В | 70 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА114ТУБТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-dta114tkat146-datasheets-1543.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 250 МГц | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА114 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | -5В | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм |
