Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходное напряжение | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МУН2241Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-dtc115tm3t5g-datasheets-5340.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 338мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 230мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 100 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA143TUBTL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-dta143tkat146-datasheets-4119.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 250 МГц | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | -5В | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА113ЗТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-pdta113zs126-datasheets-8949.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Олово | Нет | е3 | ПНП | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТА113 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | ПНП — предварительный смещенный | 35 @ 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADTA144EUAQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-adta144euaq13-datasheets-1310.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 13 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПНП | 330мВт | 250 МГц | 68 | 50В | 100 мА | ПНП — предварительный смещенный | 250 МГц | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1414,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | НПН | 200мВт | 100 мА | 50В | 100 мА | 5В | 50 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУН2136Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-dta115eet1g-datasheets-0616.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,09 мм | 1,5 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 7,994566мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 230мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 100 кОм | 100 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC143ТУБТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СК-85 | Без свинца | 3 | 10 недель | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 250 МГц | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Ф3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 5В | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2102,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 12 недель | 100мВт | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADTA144ECAQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-adta144ecaq13-datasheets-1308.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПНП | 310мВт | 250 МГц | 68 | 50В | 100 мА | ПНП — предварительный смещенный | 250 МГц | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADTA114ECAQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1; ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПНП | 310мВт | 250 МГц | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2116,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn2114te85lf-datasheets-6983.pdf | СК-75, СОТ-416 | 18 недель | ПНП | 100мВт | ССМ | -100 мА | 100мВт | -50В | 50В | 100 мА | -7В | 50 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТК115ЕМБ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | ПДТК115 | 3 | Одинокий | 1 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 150 мВ | 20 мА | 230 МГц | 1 мкА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 5 В | 230 МГц | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 100 кОм | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC124EKAT246 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-dtc124ekat146-datasheets-1521.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC124 | 3 | 150°С | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 200мВт | 50В | 300мВ | 30 мА | 250 МГц | 0,3 В | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА144ВМБ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,21. | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | НИЖНИЙ | ПДТА144 | 3 | Одинокий | 1 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 150 мВ | 100 мА | 180 МГц | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 40 при 5 мА 5 В | 180 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA143ZUBTL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohmsemiconductor-dta143zuat106-datasheets-2343.pdf | СК-85 | Без свинца | 3 | 10 недель | 85 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10 | Нет | 250 МГц | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Ф3 | -100мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА115ТМБ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | НИЖНИЙ | ПДТА115 | 3 | Одинокий | 1 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 150 мВ | 100 мА | 180 МГц | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 180 МГц | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА114ТМБ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 250мВт | НИЖНИЙ | ПДТА114 | 3 | Одинокий | 1 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 180 МГц | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 200 @ 1 мА 5 В | 180 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1409,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | НПН | 200мВт | S-Мини | 100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 100 мА | 15 В | 70 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2306,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 16 недель | 28,009329мг | 3 | ПНП | 100мВт | Одинокий | УСМ | -100 мА | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | -50В | -5В | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1408,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | НПН | 200мВт | 100 мА | 50В | 100 мА | 7В | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУН2236Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-dtc115eet1g-datasheets-6058.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 338мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 230мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 100 кОм | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC114TMB,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | НИЖНИЙ | ПДТК114 | 3 | Одинокий | 1 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 150 мВ | 100 мА | 230 МГц | 1 мкА | NPN — предварительный смещенный | 200 @ 1 мА 5 В | 230 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА124ТУАТ106 | РОМ Полупроводник | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | -50В | -100 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА124 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | -5В | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА144ТКАТ146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 59 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА144 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Г3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 0,3 В | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА144ВМБ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,47. | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | НИЖНИЙ | ПДТА144 | 3 | Одинокий | 1 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 150 мВ | 100 мА | 180 МГц | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 60 при 5 мА 5 В | 180 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC114ТУБТЛ | РОМ Полупроводник | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-dtc114tuat106-datasheets-4222.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 250 МГц | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DTC114 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 5В | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА115ЕМБ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | НИЖНИЙ | ПДТА115 | 3 | Одинокий | 1 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 150 мВ | 20 мА | 180 МГц | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 5 В | 180 МГц | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 100 кОм | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА113ЕМБ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | НИЖНИЙ | ПДТА113 | 3 | Одинокий | 1 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 150 мВ | 100 мА | 180 МГц | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 40 мА 5 В | 180 МГц | 150 мВ при 1,5 мА, 30 мА | 1 кОм | 1 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА144ЕМБ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | НИЖНИЙ | ПДТА144 | 3 | Одинокий | 1 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 150 мВ | 100 мА | 180 МГц | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 5 В | 180 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА124ЕМБ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | НИЖНИЙ | ПДТА124 | 3 | Одинокий | 1 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 150 мВ | 100 мА | 180 МГц | 100нА | ПНП — предварительный смещенный | 60 при 5 мА 5 В | 180 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм |
