Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Рассеиваемая мощность, окружающая среда-Макс. | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FJV4104RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2016 год | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | FJV4104 | Одинокий | 30 | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 200 МГц | -50В | -10 В | 68 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| FJX4006RTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fjx4006rtf-datasheets-8722.pdf | -50В | -100 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 36 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJX4006 | Одинокий | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 200 МГц | -50В | -10 В | 68 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| BCR148E6393HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-bcr148sh6433xtma1-datasheets-4520.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200мВт | СОТ-23-3 | 200мВт | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 70 при 5 мА 5 В | 100 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR133E6393HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-bcr133sh6327xtsa1-datasheets-8218.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200мВт | СОТ-23-3 | 200мВт | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 130 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC144TSA-AP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microcommercialco-dtc144tsaap-datasheets-8786.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий корпус (формованные выводы) | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 50В | 100 мА | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR503E6393HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bcr503e6393htsa1-datasheets-8788.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 330мВт | СОТ-23-3 | 330мВт | 50В | 300мВ | 500 мА | 50В | 500 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 40 @ 50 мА 5 В | 100 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3314RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjn3314rta-datasheets-8563.pdf | 50В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 36 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 300мВт | НИЖНИЙ | FJN3314 | Одинокий | 300мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50В | 10 В | 68 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| FJX4003RTF | ОН Полупроводник | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fjx4003rtf-datasheets-8657.pdf | -50В | -100 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJX4003 | Одинокий | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 200 МГц | -50В | -10 В | 56 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| FJV4113РМТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjv4113rmtf-datasheets-8642.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | FJV4113 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | -300мВ | 50В | 100 мА | 200 МГц | -50В | -10 В | 68 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||
| FJV3115RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjv3115rmtf-datasheets-8365.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,54. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJV3115 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50В | 10 В | 33 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 33 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| РН2118(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn2114te85lf-datasheets-6983.pdf | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV4102RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-fjv4102rmtf-datasheets-8371.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 14 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJV4102 | Одинокий | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 200 МГц | -50В | -10 В | 30 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| FJN4302RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjn4302rta-datasheets-8443.pdf | -50В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 36 недель | 240мг | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 300мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | FJN4302 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | -300мВ | 50В | 100 мА | 200 МГц | -50В | -10 В | 30 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||
| РН2106(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 100мВт | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4303RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjn4303rta-datasheets-8451.pdf | -50В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 300мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | FJN4303 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | -300мВ | 50В | 100 мА | 200 МГц | -50В | -10 В | 56 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||
| PDTC123JE,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/nexperiausainc-pdtc123jt235-datasheets-1714.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 21,36. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТК123 | 3 | 150°С | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,15 Вт | 150 мВт | 50В | 100 мА | 0,15 Вт | 0,3 В | 1 мкА | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 10 мА 5 В | 3,5 пФ | 100 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4309RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fjn4309rta-datasheets-8472.pdf | -40В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 2 недели | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 300мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | FJN4309 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 40В | 40В | 40В | 100 мА | 200 МГц | -40В | -5В | 100 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| FJV4101RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 30мг | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJV4101 | Одинокий | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | -300мВ | 50В | 100 мА | 200 МГц | -50В | -10 В | 20 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 20 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| FJV3113РМТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjv3113rmtf-datasheets-8510.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJV3113 | Одинокий | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50В | 10 В | 68 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| FJV3114RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjv3114rmtf-datasheets-8532.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJV3114 | Одинокий | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50В | 10 В | 68 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJV3103РМТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjv3103rmtf-datasheets-8539.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJV3103 | Одинокий | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50В | 10 В | 56 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| FJN4301RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-fjn4301rta-datasheets-8557.pdf | -50В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 300мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | FJN4301 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | -300мВ | 50В | 100 мА | 200 МГц | -50В | -10 В | 20 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 20 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||
| РН2107ACT(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | 3 | 200 МГц | неизвестный | ПНП | 100мВт | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 150 мВ | 80 мА | 50В | 6В | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2107CT(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2108CT(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2110КТ(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 300 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2111CT(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 300 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2101КТ(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2109CT(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2113CT(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 300 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм |
