Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| РН1102КТ(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1103cttpl3-datasheets-8129.pdf | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 60 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1110КТ(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1110cttpl3-datasheets-8219.pdf | СК-101, СОТ-883 | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 300 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1106КТ(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1103cttpl3-datasheets-8129.pdf | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1111КТ(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1111cttpl3-datasheets-8233.pdf | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 300 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1109(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1107lfct-datasheets-4668.pdf | СК-75, СОТ-416 | НПН | 100мВт | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 15 В | 70 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1112(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1117(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 16 недель | да | НПН | 100мВт | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 15 В | 30 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV3101RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjv3101rmtf-datasheets-8135.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 36 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJV3101 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50В | 10 В | 20 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 20 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||
| РН1101КТ(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1103lfct-datasheets-3362.pdf | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV3110RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjv3110rmtf-datasheets-8143.pdf | 40В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | FJV3110 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 40В | 40В | 300мВ | 40В | 100 мА | 250 МГц | 40В | 10 В | 100 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fjv3102rmtf-datasheets-7944.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 14 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJV3102 | Одинокий | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50В | 10 В | 30 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| РН1103CT(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1103cttpl3-datasheets-8129.pdf | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1118(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | неизвестный | НПН | 100мВт | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 25 В | 50 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3303RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjn3303rta-datasheets-8160.pdf | 50В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 300мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | FJN3303 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50В | 10 В | 56 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||
| РН1104КТ(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1107КТ(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1108cttpl3-datasheets-8212.pdf | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3302RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjn3302rta-datasheets-7956.pdf | 50В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 1,7 мм | 780 мкм | 980 мкм | Без свинца | 3 | 14 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 300мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | FJN3302 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50В | 10 В | 30 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||
| РН2304(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/toshiba-rn2304te85lf-datasheets-4435.pdf | СК-70, СОТ-323 | 16 недель | 3 | Нет | ПНП | 100мВт | РН230* | Одинокий | 100мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2313(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | СК-70, СОТ-323 | 11 недель | 3 | Нет | ПНП | 100мВт | РН231* | Одинокий | 100мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 120 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR 148W H6433 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcr148sh6433xtma1-datasheets-4520.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | совместимый | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCR148 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250мВт | 100 МГц | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 70 при 5 мА 5 В | 100 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДРА9А24Е0Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-dra9a24e0l-datasheets-7988.pdf | СК-89, СОТ-490 | 1,6 мм | 600 мкм | 850 мкм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | неизвестный | 8541.21.00.95 | 125 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДРА9А | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 50В | -250мВ | 250 мВ | 80 мА | -6В | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 60 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1106МФВ(ТЛ3,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1106mfvtl3t-datasheets-7998.pdf | СОТ-723 | 3 | НПН | 150 мВт | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 5В | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB113ESTP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dtb113estp-datasheets-7962.pdf | -50В | -500мА | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 300мВт | 260 | ДТБ113 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 0,3 В | 33 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 33 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2404ТЕ85ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 11 недель | 3 | неизвестный | ПНП | 200мВт | Двойной | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | -100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | -10 В | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДРА5114Т0Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-dra5114t0l-datasheets-7885.pdf | СК-85 | 3 | 12 недель | EAR99 | 8541.21.00.95 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДРА5114 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДРК9А14Е0Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-drc9a14e0l-datasheets-8017.pdf | СК-89, СОТ-490 | 1,6 мм | 600 мкм | 850 мкм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | неизвестный | 8541.21.00.95 | 125 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДРА9А | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 50В | 250 мВ | 250 мВ | 80 мА | 6В | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV3104RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fjv3104rmtf-datasheets-7974.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | FJV3104 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50В | 10 В | 68 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||
| RN1441ATE85LF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | НПН | 200мВт | Одинокий | S-Мини | 300 мА | 200мВт | 20 В | 20 В | 100 мВ | 300 мА | 20 В | 300 мА | 25 В | 200 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 200 @ 4 мА 2 В | 30 МГц | 100 мВ при 3 мА, 30 мА | 5,6 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДРА9А14Y0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-dra9a14y0l-datasheets-8049.pdf | СК-89, СОТ-490 | 1,6 мм | 600 мкм | 850 мкм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7. | неизвестный | 8541.21.00.95 | 125 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДРА9А | НЕ УКАЗАН | 1 | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 50В | -250мВ | 250 мВ | 80 мА | -6В | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДРК9А43Е0Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-drc9a43e0l-datasheets-8055.pdf | СК-89, СОТ-490 | 1,6 мм | 600 мкм | 850 мкм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | неизвестный | 8541.21.00.95 | 125 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДРА9А | НЕ УКАЗАН | 1 | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 50В | 250 мВ | 250 мВ | 80 мА | 6В | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 20 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм |
