Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Выходное напряжение | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Количество выходов | Мощность - Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Топология | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НСБА143TF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2116lt1g-datasheets-1549.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК144ТФ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmun2240lt1g-datasheets-6022.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 120 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТД113ЗУ-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtd143tu7f-datasheets-6235.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 3 | 19 недель | 6,010099мг | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 10 | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТД113 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | 500 мА | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 56 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| НСБК114ТФ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-nsbc114tf3t5g-datasheets-4237.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБК1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD523YMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohm-dtd523ymt2l-datasheets-4241.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,5. | Нет | 260 МГц | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТД523 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 60мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 мА | 12 В | 300мВ | 500 мА | 260 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК143ЕФ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-dtc143eet1g-datasheets-1415.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБК1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 15 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 15 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB543EMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohm-dtb543emt2l-datasheets-4219.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | Нет | 260 МГц | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТБ543 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | -60мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -500мА | 12 В | 300мВ | 500 мА | 260 МГц | 115 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 115 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| ПДТБ123ЕUX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pdtb123yuf-datasheets-5253.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 300мВт | 50В | 100 мВ | 500 мА | 140 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 40 @ 50 мА 5 В | 140 МГц | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТД543ЗМТ2Л | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohm-dtd543zmt2l-datasheets-4223.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10 | Нет | 260 МГц | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТД543 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 60мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 мА | 12 В | 300мВ | 500 мА | 260 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| РН1424ТЕ85ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | Нет | НПН | 200мВт | РН142* | Одинокий | 50В | 50В | 800 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 90 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 1 мА, 50 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА115TF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-dta115tet1g-datasheets-6478.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 6 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБА1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD723YETL | РОМ Полупроводник | 0,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-dtd723ymt2l-datasheets-3881.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,5. | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТД723 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200 мА | 30 В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 140 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA114ECAT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohmsemiconductor-dta114ecat116-datasheets-6269.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ДТА114 | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 300мВ | 50 мА | 250 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТД513ЗМТ2Л | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | 260 МГц | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 60мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 мА | 12 В | 300мВ | 500 мА | 260 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB713ZETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | 150 кГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohmsemiconductor-dtb713zmt2l-datasheets-5971.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | 35В | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТБ713 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -200мА | 1 | -30В | 260 МГц | Обратный ход | 30 В | 200 мА | 140 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК115ТФ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-dtc115tm3t5g-datasheets-5340.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБК1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2427ТЕ85ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 12 недель | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,55 | Нет | 200 МГц | 8541.21.00.75 | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -800мА | 50В | 50В | 800 мА | 200 МГц | -6В | 90 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 90 @ 100 мА 1 В | 200 МГц | 250 мВ при 1 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD743XMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohmsemiconductor-dtd743xetl-datasheets-4950.pdf | СОТ-723 | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2.1 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТД743 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 30 В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМЛ17Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 6-SMD (5 выводов), плоский вывод | 5 | Нет СВХК | 5 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | ПНП | 120 мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | 5 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 30 мА | 250 МГц | 68 | 500нА | PNP — предварительное размещение + диод | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВММУН2230LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-dtc113eet1g-datasheets-6559.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 246мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 246мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 3 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 1 кОм | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1425ТЕ85ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/toshiba-rn1425te85lf-datasheets-4216.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | Нет | НПН | 200мВт | РН142* | Одинокий | 50В | 50В | 800 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 90 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 1 мА, 50 мА | 470 Ом | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК113ЕФ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-dtc113eet1g-datasheets-6559.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | АЭК-Q101 | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 3 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 1 кОм | 1 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН2233T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmun2233lt1g-datasheets-1466.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 230мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MUN2233 | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1422ТЕ85ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/toshiba-rn1422te85lf-datasheets-4194.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | Нет | НПН | 200мВт | РН142* | Одинокий | 50В | 50В | 800 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 65 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 1 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК123JF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-dtc123jet1g-datasheets-1889.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБК1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB723YMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-dtb723ymt2l-datasheets-6204.pdf | СОТ-723 | 3 | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,5 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30 В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА124EF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mun5112t1g-datasheets-6218.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБА1* | 3 | Одинокий | 254 МВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 60 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 60 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB743EMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-dtb743emt2l-datasheets-6210.pdf | СОТ-723 | 3 | 7 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТБ743 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30 В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 115 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1421ТЕ85ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/toshiba-rn1421te85lf-datasheets-4204.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | Нет | НПН | 200мВт | РН142* | Одинокий | 50В | 50В | 800 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 60 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 2 мА, 50 мА | 1 кОм | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК124СФ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-dtc124xet1g-datasheets-0602.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 2,14. | Нет | е3 | Олово (Вс) | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм |
