Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НСБА123EF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nsvmun5131t1g-datasheets-5034.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 13 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | Нет | 254 МВт | Одинокий | СОТ-1123 | 254 МВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 8 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD713ZETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohmsemiconductor-dtd713zmt2l-datasheets-4982.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТД713 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200 мА | 30В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 140 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК144ВФ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mmun2237lt1g-datasheets-3744.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,47. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБК1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1423ТЕ85ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | Нет | НПН | 200мВт | РН142* | Одинокий | 50В | 50В | 800мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 1 мА, 50 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTB114EUX | Нексперия США Инк. | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pdtb123yuf-datasheets-5253.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 300мВт | 50В | 100 мВ | 500 мА | 140 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 140 МГц | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTB113ZUX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pdtb123yuf-datasheets-5253.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 10. | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 300мВт | 50В | 100 мВ | 500 мА | 140 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 140 МГц | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА144ВКАТ146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 50В | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,21. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА144 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 300мВ | 30 мА | 250 МГц | 33 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 33 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| DTD543EMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohm-dtd543emt2l-datasheets-4172.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | Нет | 260 МГц | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТД543 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 60мВ | УСИЛИТЕЛЬ | 500 мА | 12 В | 300мВ | 500 мА | 260 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 115 @ 100 мА 2 В | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD543XMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | СОТ-723 | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2.1 | Нет | 260 МГц | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТД543 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 60мВ | УСИЛИТЕЛЬ | 500 мА | 12 В | 300мВ | 500 мА | 260 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD543XETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2.1 | Нет | 260 МГц | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТД543 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | УСИЛИТЕЛЬ | 500 мА | 12 В | 300мВ | 500 мА | 260 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК124СФ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-dtc124xet1g-datasheets-0602.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 2,14. | Нет | е3 | Олово (Вс) | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА114YF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-dta114yet1g-datasheets-3438.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,7. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБА1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК123ЕФ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2231lt1g-datasheets-1634.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 8 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА123JF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mun5135t1g-datasheets-0687.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБА1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB743ZETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohmsemiconductor-dtb743zetl-datasheets-6095.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТБ743 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2421(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 14 недель | неизвестный | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,2 Вт | 200мВт | 50В | 800мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 60 @ 100 мА 1 В | 200 МГц | 250 мВ при 2 мА, 50 мА | 1 кОм | 1 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА114TF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mmun2115lt1g-datasheets-3243.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБА1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВММУН2131LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nsvmun5131t1g-datasheets-5034.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 8 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB543ZETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohm-dtb543zetl-datasheets-4160.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10 | Нет | 260 МГц | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТБ543 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | -60мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -500мА | 12 В | 300мВ | 500 мА | 260 МГц | 140 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА113EF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-dta113em3t5g-datasheets-5357.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | АЭК-Q101 | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 3 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 1 кОм | 1 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТА123ЕЕ-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddta144ee7-datasheets-5912.pdf | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | 3 | 18 недель | 2,012816мг | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДТА123 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | Не квалифицированный | 100 мА | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 20 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 20 @ 20 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTD113EUX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300мВт | 50В | 100 мВ | 500 мА | 225 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 33 @ 50 мА 5 В | 225 МГц | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 1 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТБ143ECT216 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohmsemiconductor-dtb143ect216-datasheets-6080.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТБ143 | 3 | 10 | 200мВт | 1 | Не квалифицированный | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 200 МГц | 47 | 500 мкА ИКБО | 47 @ 50 мА 5 В | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМУН2240Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-mmun2240lt1g-datasheets-6022.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 230мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 120 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SDTC124EET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2212lt1g-datasheets-1623.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 60 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 60 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВДТА143ЗЕТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmun2133lt1g-datasheets-1653.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 10. | Нет | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB743XETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/rohmsemiconductor-dtb743xetl-datasheets-6089.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2.1 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТБ743 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 30В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА144WF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmun2137lt1g-datasheets-6063.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,47. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБА1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА124ТЭТЛ | РОМ Полупроводник | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | -50В | -100 мА | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА124 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2318(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | 3 | Нет | ПНП | 100мВт | РН231* | Одинокий | 100мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 50 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 10 кОм |
