Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НСБК143ТФ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2216lt1g-datasheets-1516.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB723YETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-dtb723ymt2l-datasheets-6204.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,5 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30 В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТК144ТЕ-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtc144te7-datasheets-5983.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | 19 недель | 2,012816мг | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДТК144 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 2,5 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTA144EUA-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddta143eua7-datasheets-5275.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | 6,010099мг | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 68 | 68 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМЛ20Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 50В | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 2 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 80 | 500нА | NPN — предварительное размещение + диод | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD743ZMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohmsemiconductor-dtd743zetl-datasheets-6072.pdf | СОТ-723 | 3 | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТД743 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB523YMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohm-dtb523ymt2l-datasheets-4269.pdf | СОТ-723 | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,5. | Нет | 260 МГц | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТБ523 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | -60мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -500мА | 12 В | 300мВ | 500 мА | 260 МГц | 140 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТБ143ТКТ146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | -40В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 7 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТБ143 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -500мА | 40В | 40В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | -5В | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV3105RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fjv3105rmtf-datasheets-6380.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 13 недель | 30мг | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJV3105 | Одинокий | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50В | 10 В | 30 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NSB9435T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-nsb9435t1g-datasheets-6394.pdf | -30В | 3мА | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 2 недели | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 720 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 30 В | 30 В | 3А | 110 МГц | 125 | ПНП — предварительный смещенный | 125 @ 800 мА 1 В | 110 МГц | 550 мВ при 300 мА, 3 А | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTA113ZCA-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-ddta143zca7-datasheets-5261.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 10 | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 33 | -300мВ | 33 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТК144ЭЛП-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtc144elp7-datasheets-6420.pdf | 3-УФДФН | 1 мм | 470 мкм | 600 мкм | 3 | 19 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НПН | 250мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | ДДТК144 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD122JKT146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dtd122jkt146-datasheets-6422.pdf | 50В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТД122 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 500 мА | 250 МГц | 47 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 47 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 220 Ом | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB122JKT146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohmsemiconductor-dtb122jkt146-datasheets-6327.pdf | -50В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 50В | Без свинца | 3 | 7 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТБ122 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 500 мА | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -500мА | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 47 | 10 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 47 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 220 Ом | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB743ZMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohm-dtb743zmt2l-datasheets-4259.pdf | СОТ-723 | 3 | 7 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТБ743 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30 В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДРДПБ26W-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesinc-drdpb26w7-datasheets-4260.pdf | 50В | 600 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 19 недель | 6,010099мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДРДПБ26 | 6 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600 мА | 50В | 50В | 300мВ | 600 мА | 200 МГц | 47 | 500нА | PNP — предварительное размещение + диод | 47 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 220 Ом | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1427ТЕ85ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | неизвестный | РН142* | 200мВт | 50В | 800 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 90 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 1 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН2112T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mun5112t1g-datasheets-6218.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 2 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 230мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 230мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 60 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТА114YLP-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-ddta114ylp7-datasheets-6341.pdf | 3-УФДФН | 1 мм | 470 мкм | 600 мкм | 3 | 19 недель | 3 | да | EAR99 | КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 4,7, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ. | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ПНП | 250мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | ДДТА114 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 250 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UNR9111J0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/panasonic-unr9111j0l-datasheets-4266.pdf | -50В | -100 мА | СК-89, СОТ-490 | 125 МВт | ССМини3-F1 | 125 МВт | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 80 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА124XF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmun2134lt1g-datasheets-6010.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 13 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 254 МВт | 3 | Одинокий | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTB743XMT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/rohm-dtb743xmt2l-datasheets-4246.pdf | СОТ-723 | 3 | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2.1 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТБ743 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 30 В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТК113ТЛП-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ddtc113tlp7-datasheets-6315.pdf | 3-УФДФН | 1 мм | 470 мкм | 600 мкм | 3 | 15 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НПН | 250мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | ДДТК113 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 250 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УНР221Т00Л | Электронные компоненты Panasonic | 0,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-unr221d00l-datasheets-6464.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Содержит свинец | 200мВт | Мини3-G1 | 200мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 150 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UNRF2A100A | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/panasonic-unrf2a100a-datasheets-4250.pdf | 50В | 80 мА | СК-101, СОТ-883 | Без свинца | 3 недели | 100мВт | МЛ3-Н2 | 100мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 80 мА | 50В | 80 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 150 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC314TKT146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohmsemiconductor-dtc314tkt146-datasheets-6321.pdf | 15 В | 600 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 50В | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН, ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC314 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600 мА | 15 В | 15 В | 15 В | 600 мА | 200 МГц | 5В | 0,08 В | 100 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 80 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТБ114ТКТ146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | -50В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 59 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТБ114 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Г3 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 500 мА | 200 МГц | 0,3 В | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА123TF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mmun2138lt1g-datasheets-6239.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 6 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБА1* | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1426ТЕ85ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/toshiba-rn1426te85lf-datasheets-4229.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | Нет | НПН | 200мВт | РН142* | Одинокий | 50В | 50В | 800 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 90 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 1 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА144TF3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-dta144tm3t5g-datasheets-5287.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | АЭК-Q101 | ДА | 254 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 120 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм |
