Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактRF MOSFET транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Упаковка | Статус RoHS | Техническая спецификация | Материал | Количество контактов | Конфигурация | Тип канала | Режим работы | ECCN (США) | Минимальная рабочая температура (°C) | Максимальная рабочая температура (°C) | Поставщик пакета | Монтаж | Высота упаковки | Качество упаковки | Ширина упаковки | PCB изменена | ХТС | Максимальная рассеиваемая мощность (мВт) | Военный | Выходная мощность (Вт) | Максимальное напряжение источника стока (В) | Максимальное напряжение источника затвора (В) | Технология процесса | Режим канала канала | Количество элементов на чипе | Типичное уровень мощности (дБ) | Максимальная частота (МГц) | Минимальная частота (МГц) | Типичная эффективность дренажа (%) | Максимальное пороговое напряжение затвора (В) | Максимальный КСВ | Максимальный ток утечки источника затвора (нА) | Максимальный IDSS (мкА) | Максимальный непрерывный ток стока (А) | Максимальное сопротивление источника стока (мОм) | Типичная входная емкость при Vds (пФ) | Типичная емкость обратного переноса при Vds (пФ) | Типичная выходная емкость при Vds (пФ) | Типичная прямая проводимость (S) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЛП10Х610 | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ampleon-blp10h610-datasheets-3828.pdf | 12 | Двойной общий источник | Н | CW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF248,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не подтвержден | /files/nxpsemiconductors-blf248112-datasheets-9846.pdf | 5 | Двойной общий источник | Н | Класс АБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ300 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Коробка | Соответствует RoHS | /files/microsemi-arf300-datasheets-4006.pdf | 6 | Одиночный четырехъядерный источник | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК241-ГР | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | не соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-2sk241gr-datasheets-1000.pdf | Си | 3 | Одинокий | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ31150Н | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Лента и катушка | Соответствует RoHS | /files/nxpsemiconductors-aft31150n-datasheets-7860.pdf | 3 | Одинокий | Н | Пульс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ7Г10ЛС-250 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ampleon-blf7g10l250118-datasheets-7079.pdf | 3 | Одинокий | Н | 2-несущий W-CDMA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D1003UK | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicssemelab-d1003uk-datasheets-7315.pdf | Си | 4 | Одиночный внешний вид | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ 2030W E6814 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | Соответствует RoHS | /files/infineontechnologiesag-bf2030we6814-datasheets-1974.pdf | Си | 4 | Одиночные двойные ворота | Н | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА0912-250Р | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не подтвержден | /files/ampleon-bla0912250r-datasheets-9046.pdf | 3 | Одинокий | Н | TCAS|JTIDS|Режим-С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2282UK.F | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicssemelab-d2282uk-datasheets-2995.pdf | Си | 4 | Одиночный двойной дренаж | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| У309-Е3 | Вишай | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | JFET | Соответствует RoHS | /files/vishay-j309tr1e3-datasheets-4901.pdf | 3 | Одинокий | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9G20LS-361АВТ | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | /files/ampleon-blc9g20ls361avt-datasheets-7564.pdf | Двойной общий источник | Н | 1 несущая W-CDMA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J310-E3 | Вишай | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | JFET | Соответствует RoHS | /files/vishay-j309tr1e3-datasheets-4901.pdf | 3 | Одинокий | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF369,112 | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Да, с исключениями | /files/nxpsemiconductors-blf369112-datasheets-7425.pdf | 5 | Двойной общий источник | Н | CW Класс-AB|Импульсный РЧ Класс-AB|2-тональный Класс-AB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3СК293 | Торекс Полупроводник, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | Соответствует RoHS | /files/toshiba-3sk293te85lf-datasheets-3993.pdf | Си | 4 | Одиночные двойные ворота | Н | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ10Х6600ПС | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleon-blf10h6600ps-datasheets-1036.pdf | 5 | Двойной общий источник | Н | Импульсный радиочастотный класс-AB|2-тональный класс-AB | EAR99 | -65 | 225 | СОТ-539Б | Поверхностный монтаж | 4,7 (макс.) | 32,77 (Макс) | 10,29 (макс.) | 5 | Нет | 600 (тип.) | 110 | 11 | ЛДМОС | Улучшение | 1 | 20,8|19,8 | 1000 | 400 | 58 | 2.4 | 40 | 280 | 2,8 | 143 (типичное) при 6,15 В | 220@50В | 1,2 при 50 В | 74@50В | ||||||||||
| БЛФ6Г10-135РН,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Соответствует RoHS | /files/ampleon-blf6g10ls135rn11-datasheets-9627.pdf | 3 | Одинокий | Н | 2-несущий W-CDMA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS7G2729L-350P | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ampleon-bls7g2729ls350p1-datasheets-4479.pdf | 5 | Двойной общий источник | Н | Импульсный РЧ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3СК126-И(ТЭ85Л,Ф) | Торекс Полупроводник, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | Соответствует RoHS | /files/toshiba-3sk126ote85lf-datasheets-9676.pdf | Си | 4 | Одиночные двойные ворота | Н | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-140AVJ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/nxpsemiconductors-blc8g27ls140avj-datasheets-9893.pdf | 7 | Двойной общий источник | Н | 1 несущая W-CDMA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D1002UK | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicssemelab-d1002uk-datasheets-2341.pdf | Си | 4 | Одиночный внешний вид | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП7Г10С-160П | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | /files/ampleon-blp7g10s160p-datasheets-1680.pdf | 4 | Двойной общий источник | Н | Импульсный CW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ6Г27ЛС-75,118 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | Соответствует RoHS | /files/nxpsemiconductors-blf6g2775112-datasheets-4060.pdf | 3 | Одинокий | Н | 1 несущественная N-CDMA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д1017УК.02 | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicssemelab-d1017uk-datasheets-6997.pdf | Си | 4 | Одиночный внешний вид | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D5030UK | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicssemelab-d5030uk-datasheets-7459.pdf | Си | 5 | Двойной общий источник | EAR99 | -65 | 200 | Дело ДР | Винт | 5.08 | 34.03 | 10.16 | 5 | 8541.29.00.95 | 583000 | Нет | 125 | ±20 | ДМОС | 2 | 16 (мин) | 250 | 1 | 50 (мин) | 7 | 20 | 1000 | 8000 | 24 | 480 (макс.) при 50 В | 12 (макс.) при 50 В | 200 (Макс) при 50 В | 6,4 (мин) | ||||||||||
| D5028UK | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicssemelab-d5028uk-datasheets-4889.pdf | Си | 5 | Двойной общий источник | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2006UK | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicssemelab-d2006uk-datasheets-4765.pdf | Си | 5 | Двойной общий источник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF871,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Соответствует RoHS | /files/ampleon-blf871112-datasheets-5339.pdf | 3 | Одинокий | Н | CW Класс-AB|DVB-T|2-тональный Класс-AB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ8С9260ХСР5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | Соответствует RoHS | /files/nxpsemiconductors-mrf8s9260hsr5-datasheets-1133.pdf | 3 | Одинокий | Н | 1 несущая W-CDMA|CDMA|GSM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ881С,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Соответствует RoHS | /files/ampleon-blf881s112-datasheets-8973.pdf | 3 | Одинокий | Н | DVB-T|2-тональный класс-AB |
