Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактRF MOSFET транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Напряжение - номинальное | Частота | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Материал | Количество контактов | Прирост | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Конфигурация | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Тип канала | Текущий — Тест | Режим работы | Тип транзистора | Напряжение – Тест | Производитель | ECCN (США) | Минимальная рабочая температура (°C) | Максимальная рабочая температура (°C) | Поставщик пакета | Монтаж | Высота упаковки | Качество упаковки | Ширина упаковки | PCB изменена | ХТС | Максимальная рассеиваемая мощность (мВт) | Военный | Выходная мощность (Вт) | Максимальное напряжение источника стока (В) | Максимальное напряжение источника затвора (В) | Технология процесса | Режим канала канала | Количество элементов на чипе | Типичное уровень мощности (дБ) | Максимальная частота (МГц) | Минимальная частота (МГц) | Типичная эффективность дренажа (%) | Максимальный КСВ | Максимальный непрерывный ток стока (А) | Типичная входная емкость при Vds (пФ) | Типичная емкость обратного переноса при Vds (пФ) | Типичная выходная емкость при Vds (пФ) | Типичная прямая проводимость (S) | Сертифицировано AEC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НТЕ221 | НТЭ Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 20 В | - | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 20 дБ | ТО-72 | 5 дБ | - | 18 мА | 10 мА | N-канал | 13 В | НТЭ Электроникс, Инк. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ275Л | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 500 МГц | 333-04 | 8,8 дБ | 333-04, Стиль 2 | - | 100 Вт | 13А | 100 мА | N-канал | 28 В | Технологические решения МАКОМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ175ГУ | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 225 МГц | 375-04 | 14 дБ | 375-04, Стиль 2 | - | 200 Вт | 26А | 100 мА | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 28 В | Технологические решения МАКОМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ136Y | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 400 МГц | 319Б-02 | 14 дБ | 319Б-02, Стиль 1 | 1 дБ | 30 Вт | 5А | 25 мА | N-канал | 28 В | Технологические решения МАКОМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ150 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 В | 30 МГц ~ 150 МГц | 211-11, Стиль 2 | 8 дБ ~ 17 дБ | 211-11, Стиль 2 | - | 150 Вт | 16А | 250 мА | N-канал | 50 В | Технологические решения МАКОМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ173 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 150 МГц | 211-11, Стиль 2 | 13 дБ | 211-11, Стиль 2 | 1,5 дБ | 80 Вт | 9А | 50 мА | N-канал | 28 В | Технологические решения МАКОМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ134 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 400 МГц | 211-07 | 10,6 дБ ~ 14 дБ | 211-07, Стиль 2 | 2 дБ | 5 Вт | 900 мА | 50 мА | N-канал | 28 В | Технологические решения МАКОМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ158 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ТМОС? | 65 В | 500 МГц | 305А-01 | 18 дБ | 305А-01, Стиль 2 | - | 2 Вт | 500 мА | 25 мА | N-канал | 28 В | Технологические решения МАКОМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ175ГВ | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 225 МГц | 375-04 | 14 дБ | 375-04, Стиль 2 | - | 200 Вт | 26А | 100 мА | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 28 В | Технологические решения МАКОМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9H10XS-606AZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | СОТ-1250-4 | СОТ1250-4 | Амплеон США Инк. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9H10XS-505AZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | СОТ-1273-1 | СОТ1273-1 | Амплеон США Инк. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП10Х690П | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | /files/ampleon-blp10h690p-datasheets-0678.pdf | 4 | Двойной общий источник | Н | Импульсный РЧ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF182XR | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Соответствует RoHS | /files/ampleon-blf182xr-datasheets-9747.pdf | 5 | Двойной общий источник | Н | Импульсный РЧ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D1007UK | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicssemelab-d1007uk-datasheets-5145.pdf | Си | 5 | Двойной общий источник | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF989EU | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Соответствует RoHS | /files/ampleon-blf989s-datasheets-2833.pdf | 5 | Двойной общий источник | Н | Класс AB|DVB-T OFDM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF548,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не подтвержден | /files/ampleon-blf548112-datasheets-3348.pdf | 5 | Двойной общий источник | Н | CW Класс-Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF647P | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/nxpsemiconductors-blf647p-datasheets-0484.pdf | 5 | Двойной общий источник | Н | CW Класс-B|Импульсный РЧ|Класс-AB|2-тональный класс-AB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ6Г20-45 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /fileon-blf6g20s45112-datasheets-0465.pdf | 3 | Одинокий | Н | 2-несущий W-CDMA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ300 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Коробка | Соответствует RoHS | /files/microsemi-arf300-datasheets-4006.pdf | 6 | Одиночный четырехъядерный источник | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д2021УКТР | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicssemelab-d2021uk-datasheets-1064.pdf | Си | 8 | Одиночный двойной сток, двойной затвор, четырехканальный источник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D1094UK | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicssemelab-d1094uk-datasheets-1337.pdf | Си | 6 | Одиночный четырехъядерный источник | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2002UK | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicssemelab-d2002uk04-datasheets-2416.pdf | Си | 3 | Одинокий | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ988С,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Соответствует RoHS | /files/ampleon-blf988s112-datasheets-0063.pdf | 5 | Двойной общий источник | Н | Импульсный радиочастотный класс-AB|2-тональный класс-AB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2214UK | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicssemelab-d2214uk-datasheets-1707.pdf | Си | 3 | Одинокий | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F180101SV1XT | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | /files/infineontechnologiesag-f180101sv1xt-datasheets-1450.pdf | 3 | Одинокий | Н | CW|W-CDMA|2-тональный|EDGE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛЛ1214-35,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Поставщик не подтвержден | /files/ampleon-bll121435112-datasheets-2015.pdf | 3 | Одинокий | Н | Класс АБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DE275X2-501N16A | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/ixys-de275x2501n16a-datasheets-5816.pdf | 8 | Одинокий | Н | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛК2425М10LS250Y | Амплеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Лента и катушка | /files/ampleon-blc2425m10ls250-datasheets-7288.pdf | 3 | Одинокий | Н | Импульсный радиочастотный класс AB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5486-D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | JFET | Лента и катушка | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-2n5486d74z-datasheets-6163.pdf | 3 | Одинокий | Н | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2203UK | ТТ Электроникс / Семелаб | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicssemelab-d2203uk-datasheets-4088.pdf | Си | 5 | Двойной общий источник | Н | EAR99 | -65 | 200 | Дело DQ | Винт | 4,82 | 18,9 | 6.35 | 5 | 8541.29.00.95 | 35000 | Нет | 5 | 40 | ±20 | ДМОС | Улучшение | 2 | 10 (мин) | 1000 | 1 | 40 (мин) | 20 (мин) | 2 | 12 (макс.) при 12,5 В | 1 (макс.) при 12,5 В | 10 (макс.) при 12,5 В | 0,18 (мин) | Нет |
