Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Амплеон США Инк.

Амплеон США Инк. (1840 г.)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Напряжение - номинальное Частота Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ECCN-код Достичь кода соответствия Справочный стандарт Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Количество элементов Прирост Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала DS Напряжение пробоя-мин. Технология полевых транзисторов Мощность — Выход Мощность - Макс. Текущий рейтинг (А) Код JEDEC-95 Текущий — Тест Максимальный ток стока (Abs) (ID) Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Тип транзистора Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Напряжение – Тест
BLW96/01,112 BLW96/01,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 200°С ТДж Поднос 1 (без ограничений) 1998 год /files/ampleonusainc-blw9601112-datasheets-7823.pdf СОТ-121Б CRFM4 340 Вт 55В 12А НПН 15 @ 7А 5В 235 МГц
BLF6G10-45,135 БЛФ6Г10-45,135 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 922,5–957,5 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2013 год /files/ampleonusainc-blf6g1045135-datasheets-6225.pdf СОТ-608А 2 EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН БЛФ6Г10 НЕ УКАЗАН 1 22,5 дБ С-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1 Вт 13А 350 мА 13А ЛДМОС 28В
BLF3G21-30,112 BLF3G21-30,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 2 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/ampleonusainc-blf3g2130112-datasheets-6574.pdf СОТ467C 2 EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 245 BLF3G21 30 1 13,5 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 30 Вт 4,5 А 450 мА 4,5 А ЛДМОС 26В
BLF6G27-135,112 BLF6G27-135,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 2008 год СОТ-502А БЛФ6Г27 ЛДМОСТ 20 Вт 34А 1,2А ЛДМОС 32В
BLF6G20LS-140,112 БЛФ6Г20ЛС-140,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 1,93–1,99 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2009 год /files/ampleonusainc-blf6g20ls140118-datasheets-7022.pdf СОТ-502Б 2 EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН БЛФ6Г20 НЕ УКАЗАН 1 16,5 дБ Р-CDFP-F2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 35,5 Вт 39А 39А ЛДМОС 28В
BLF6G27-10,112 BLF6G27-10,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Масса 1 (без ограничений) 65В 2,5 ГГц~2,7 ГГц Не соответствует требованиям RoHS 2011 год СОТ-975Б БЛФ6Г27 19 дБ CDFM2 2 Вт 3,5 А 130 мА ЛДМОС 28В
BLS9G2735LS-50U BLS9G2735LS-50U Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 32В 2,7 ГГц~3,5 ГГц /files/ampleonusainc-bls9g2735ls50u-datasheets-7656.pdf СОТ-1135Б 13 недель 12 дБ 50 Вт ЛДМОС
BLF8G10LS-300PU БЛФ8Г10ЛС-300ПУ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 760,5–800,5 МГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blf8g10ls300pu-datasheets-7720.pdf СОТ539Б 13 недель BLF8G10 20,5 дБ СОТ539Б 65 Вт LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLP8G10S-45PY БЛП8Г10С-45ПY Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 952,5–957,5 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. /files/nxpusainc-blp8g10s45pgj-datasheets-7516.pdf СОТ-1223-1 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН БЛП8Г10 НЕ УКАЗАН 2 20,8 дБ Р-ПДФП-Ф4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2,5 Вт 224 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLS9G3135LS-400U BLS9G3135LS-400U Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 3,1 ГГц~3,5 ГГц /files/ampleonusainc-bls9g3135ls400u-datasheets-8038.pdf СОТ-502Б 13 недель 12 дБ 400 Вт 4мкА 400 мА ЛДМОС 32В
BLP05H675XRY BLP05H675XRY Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 135 В 108 МГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blp05h675xrgy-datasheets-8027.pdf СОТ-1223-2 13 недель 27 дБ 4-HSOPF 75 Вт 20 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
BLF8G22LS-205VJ BLF8G22LS-205VJ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 2,11 ГГц~2,17 ГГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blf8g22ls205vu-datasheets-7605.pdf СОТ-1239Б 13 недель 18,3 дБ CDFM6 50,1 Вт 1,2А ЛДМОС 28В
BLS7G2729L-350P,11 BLS7G2729L-350P,11 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 2,7 ГГц~2,9 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-bls7g2729ls350p1-datasheets-8550.pdf СОТ539А 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 13 дБ Р-КДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 350 Вт 200 мА LDMOS (двойной), общий источник 32В
BLP7G22-05Z БЛП7Г22-05З Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,14 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blp7g2205z-datasheets-9003.pdf 12-VDFN Открытая площадка 12 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН БЛП7Г22 НЕ УКАЗАН 1 16 дБ Р-ПДСО-Н12 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1 Вт МО-229 55 мА ЛДМОС 28В
BLF2425M9L30J BLF2425M9L30J Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 2,45 ГГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blf2425m9ls30j-datasheets-9130.pdf СОТ-1135А 13 недель 18,5 дБ СОТ1135А 30 Вт 20 мА ЛДМОС 32В
BLF8G10LS-270V,118 BLF8G10LS-270В,118 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 871,5–891,5 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf8g10ls270gv12-datasheets-7992.pdf СОТ-1244Б 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF8G10 НЕ УКАЗАН 1 19,5 дБ Р-CDFP-F6 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 67 Вт ЛДМОС 28В
BLP0427M9S20Z БЛП0427М9С20З Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 400 МГц~2,7 ГГц Соответствует ROHS3 /files/ampleonusainc-blp0427m9s20z-datasheets-9400.pdf СОТ-1482-1 13 недель 19 дБ 20 Вт 1,4 мкА 100 мА ЛДМОС 28В
BLP05H6150XRY BLP05H6150XRY Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 135 В 108 МГц Не соответствует требованиям RoHS 2011 год /files/ampleonusainc-blp05h6150xrgy-datasheets-8080.pdf СОТ-1223-2 13 недель 27 дБ 4-HSOPF 150 Вт 100 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
BLF8G20LS-400PGVJ BLF8G20LS-400PGVJ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год /files/ampleonusainc-blf8g20ls400pvu-datasheets-0059.pdf СОТ-1242C 8 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН BLF8G20 НЕ УКАЗАН 2 19 дБ Р-CDSO-G8 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 95 Вт 3,4А LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLL8H0514LS-130U BLL8H0514LS-130U Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 100В 1,2 ГГц~1,4 ГГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-bll8h0514ls130u-datasheets-0494.pdf СОТ-1135Б 13 недель 17 дБ CDFM2 130 Вт 50 мА ЛДМОС 50В
BLF8G27LS-100J BLF8G27LS-100J Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 2,5 ГГц~2,7 ГГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blf8g27ls100u-datasheets-7994.pdf СОТ-502Б 13 недель BLF8G27 17 дБ СОТ502Б 25 Вт 900 мА ЛДМОС 28В
BLA6G1011LS-200RG, БЛА6Г1011ЛС-200РГ, Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 1,03–1,09 ГГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-bla6g1011200r112-datasheets-0884.pdf СОТ-502С 13 недель EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН БЛА6Г1011 НЕ УКАЗАН 20 дБ 200 Вт 49А 100 мА ЛДМОС 28В
BLF9G38LS-90PU БЛФ9Г38ЛС-90ПУ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 3,4 ГГц~3,6 ГГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blf9g38ls90pj-datasheets-8318.pdf СОТ-1121Б 13 недель 15 дБ ЛДМОСТ 20 Вт 600 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLF7G21LS-160P,118 БЛФ7Г21ЛС-160П,118 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 1,93–1,99 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2010 год /files/ampleonusainc-blf7g21ls160p118-datasheets-1268.pdf СОТ-1121Б 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF7G21 НЕ УКАЗАН 2 18 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 45 Вт 32,5А 1,08А 32,5А LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLF6G15L-40BRN,112 БЛФ6Г15Л-40БРН,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Трубка 1 (без ограничений) 65В 1,47–1,51 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ampleonusainc-blf6g15l40brn118-datasheets-1236.pdf СОТ-1112А 6 EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА КВАД НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН БЛФ6Г15 НЕ УКАЗАН 2 22 дБ S-CQFM-X6 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2,5 Вт 11А 330 мА 11А LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLF6G15LS-500H,112 BLF6G15LS-500H,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 100В 1,45–1,49 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2010 год /files/ampleonusainc-blf6g15l500h112-datasheets-1320.pdf СОТ539Б 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН БЛФ6Г15 НЕ УКАЗАН 2 16 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 100В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 65 Вт 45А 1,3А 45А LDMOS (двойной), общий источник 50В
BLF25M612G,112 БЛФ25М612Г,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 2,45 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2011 год /files/ampleonusainc-blf25m612g112-datasheets-1730.pdf СОТ-975С 2 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН БЛФ25М612 НЕ УКАЗАН 1 19 дБ С-CDSO-G2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 12 Вт 10 мА ЛДМОС 28В
BLF8G27LS-140V,112 BLF8G27LS-140В,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 2,63–2,69 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2011 год /files/ampleonusainc-blf8g27ls140v112-datasheets-1801.pdf СОТ-1120Б 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА КВАД НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН BLF8G27 НЕ УКАЗАН 1 17,4 дБ Р-CQFP-X6 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 45 Вт 1,3А ЛДМОС 32В
BLF2425M7LS100J BLF2425M7LS100J Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 2,3 ГГц~2,4 ГГц Не соответствует требованиям RoHS 2010 год /files/ampleonusainc-blf2425m7l100u-datasheets-1832.pdf СОТ-502Б 13 недель BLF2425 18 дБ СОТ502Б 20 Вт 900 мА ЛДМОС 28В
BLF8G20LS-260A,112 БЛФ8Г20ЛС-260А,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Трубка 1 (без ограничений) 65В 1,88 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2011 год /files/ampleonusainc-blf8g20ls260a118-datasheets-1790.pdf СОТ539Б 4 EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF8G20 НЕ УКАЗАН 2 15,9 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 50 Вт 750 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.