Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Амплеон США Инк.

Амплеон США Инк. (1840 г.)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Тип монтажа Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Напряжение - номинальное Частота Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Код Pbfree ECCN-код Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминал отделки Справочный стандарт Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Тип РФ Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Количество элементов Прирост Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Коэффициент шума Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Функция DS Напряжение пробоя-мин. Технология полевых транзисторов Мощность — Выход Самый высокий частотный диапазон Текущий рейтинг (А) Код JEDEC-95 Текущий — Тест Вторичные атрибуты Максимальный ток стока (Abs) (ID) Тип транзистора Напряжение – Тест Производитель
BLF6G10LS-160RN,11 БЛФ6Г10ЛС-160РН,11 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 922,5–957,5 МГц Не соответствует требованиям RoHS 2009 год /files/ampleonusainc-blf6g10160rn112-datasheets-6564.pdf СОТ-502Б БЛФ6Г10 22,5 дБ СОТ502Б 32 Вт 39А 1,2А ЛДМОС 32В
BLF7G22L-130,118 BLF7G22L-130,118 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 2,11 ГГц~2,17 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2010 год /files/ampleonusainc-blf7g22l130118-datasheets-3758.pdf СОТ-502А 2 EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF7G22 НЕ УКАЗАН 1 18,5 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 30 Вт 28А 950 мА 28А ЛДМОС 28В
BLF6G27LS-100,112 БЛФ6Г27ЛС-100,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Трубка 1 (без ограничений) 65В 2010 год /files/nxpusainc-blf6g27ls100118-datasheets-7356.pdf СОТ-502А БЛФ6Г27 14 Вт 29А 900 мА ЛДМОС 28В
BLF7G27L-75P,112 БЛФ7Г27Л-75П,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Трубка 1 (без ограничений) 65В 2,3 ГГц~2,4 ГГц 2010 год /files/ampleonusainc-blf7g27ls75p118-datasheets-3925.pdf СОТ-1121А BLF7G27 17 дБ 12 Вт 18А 650 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLL6H0514-25,112 BLL6H0514-25,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 100В 1,2 ГГц~1,4 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-bll6h051425112-datasheets-8070.pdf СОТ467C 2 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLL6H0514 НЕ УКАЗАН 1 21 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 100В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 25 Вт 2,5 А 50 мА 2,5 А ЛДМОС 50В
BLP10H605AZ БЛП10Х605АЗ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 104В 860 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blp10h605az-datasheets-8291.pdf 12-VDFN Открытая площадка 12 13 недель да EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 22,4 дБ Р-ПДСО-Н12 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 104В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 5 Вт МО-229 30 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
BLC2425M8LS300PZ БЛК2425М8ЛС300ПЗ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 3 (168 часов) 65В 2,45 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blc2425m8ls300py-datasheets-9363.pdf СОТ1250-1 13 недель 17,5 дБ 300 Вт 20 мА LDMOS (двойной), общий источник 32В
BLF183XRSU BLF183XRSU Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 135 В 108 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blf183xrsu-datasheets-9034.pdf СОТ-1121Б 4 13 недель EAR99 неизвестный е4 ЗОЛОТО МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 28 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 135 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 350 Вт 100 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
BLF6G13L-250P,112 БЛФ6Г13Л-250П,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 100В 1,3 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blf6g13ls250pgj-datasheets-0528.pdf СОТ-1121А 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН БЛФ6Г13 НЕ УКАЗАН 2 17 дБ Р-КДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА ИСТОЧНИК N-КАНАЛЬНЫЙ 100В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 250 Вт 100 мА 42А ЛДМОС 50В
BLC10G18XS-552AVTZ BLC10G18XS-552АВТЗ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 13 недель
BLS9G3135L-400U БЛС9Г3135Л-400У Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 3,1 ГГц~3,5 ГГц https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-bls9g3135ls400u-datasheets-8038.pdf СОТ-502А 13 недель 12 дБ 400 Вт 4мкА 400 мА ЛДМОС 32В
BLF8G22LS-270GV,12 БЛФ8Г22ЛС-270ГВ,12 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Трубка 1 (без ограничений) 65В 2,11 ГГц~2,17 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf8g22ls270gvj-datasheets-8949.pdf СОТ-1244C 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН BLF8G22 НЕ УКАЗАН 1 17,3 дБ Р-CDSO-G6 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 80 Вт 2,4А ЛДМОС 28В
BLF8G19LS-170BVU БЛФ8Г19ЛС-170БВУ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 1,94–1,99 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blf8g19ls170bvu-datasheets-2984.pdf СОТ-1120Б 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА КВАД НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 18 дБ Р-CQFP-X6 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 60 Вт 1,3А LDMOS (двойной), общий источник 32В
BLC10G18XS-360AVTY BLC10G18XS-360AVTY Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1,805–1,88 ГГц /files/ampleonusainc-blc10g18xs360avtz-datasheets-9379.pdf СОТ-1258-7 13 недель 18 дБ ЛДМОС
BLC9G27XS-380AVTY BLC9G27XS-380AVTY Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 65В 2,496–2,69 ГГц /files/ampleonusainc-blc9g27xs380avtz-datasheets-9264.pdf СОТ-1258-7 13 недель 15,5 дБ 380 Вт 2,8 мкА 600 мА ЛДМОС 30 В
BLA8G1011LS-300GU БЛА8Г1011ЛС-300ГУ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 1,06 ГГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-bla8g1011ls300gu-datasheets-3150.pdf СОТ-502Э 13 недель 16,5 дБ CDFM2 300 Вт 150 мА ЛДМОС 32В
BLA6H0912LS-1000U BLA6H0912LS-1000U Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 100В 1,03 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-bla6h0912l1000u-datasheets-9047.pdf СОТ539Б 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 15,5 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 100В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1000 Вт 200 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
BLF8G10LS-160V,112 BLF8G10LS-160В,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка 1 (без ограничений) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blf8g10ls160118-datasheets-8249.pdf 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Р-CDFP-F6 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА B
BLF974PU BLF974PU Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

- 108 В 700 МГц СОТ-539А 25,7 дБ СОТ539А - 500 Вт 1,4 мкА 50 мА LDMOS (двойной), общий источник 50 В Амплеон США Инк.
BLM10D2327-60ABGZ БЛМ10Д2327-60АБГЗ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

- Поверхностный монтаж 2,3 ГГц ~ 2,7 ГГц ОМП-400-8Г-1 GSM, LTE, W-CDMA ОМП-400-8Г-1 - Амплеон США Инк.
BLP15H9S100GZ БЛП15Х9С100ГЗ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

БЛП 50 В 1 МГц ~ 1,5 ГГц СОТ-1483-1 17 дБ СОТ1483-1 - 100 Вт - ЛДМОС Амплеон США Инк.
BLM9D3538-12AMZ БЛМ9Д3538-12АМЗ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

- Амплеон США Инк.
C4H27W400AVY C4H27W400AVY Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

- 150 В 2,3 ГГц ~ 2,7 ГГц СОТ-1275-1 15 дБ ДФМ6 - 400 Вт - 200 мА 2 N-канальных (двойных) с общим источником 50 В Амплеон США Инк.
ART2K0FESU АРТ2К0ФЕСУ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

ИСКУССТВО 200 В 1 МГц ~ 400 МГц СОТ-539АН 28,9 дБ СОТ539АН - 2000 Вт 1,4 мкА 600 мА LDMOS (двойной), общий источник 65 В Амплеон США Инк.
BLP25RFE001Y BLP25RFE001Y Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 433–434,8 МГц 902–928 МГц 2,4–2,4835 ГГц /files/ampleonusainc-blp25rfe001y-datasheets-6550.pdf 28-VFQFN Открытая колодка 13 недель ИСМ Разделить на 2 SPI-интерфейс
BLF6G27-45,112 BLF6G27-45,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 2,7 ГГц Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ampleonusainc-blf6g2745112-datasheets-6367.pdf СОТ-608А БЛФ6Г27 18 дБ CDFM2 7 Вт 20А 350 мА ЛДМОС 28В
BLF6G10-160RN,112 БЛФ6Г10-160РН,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 922,5–957,5 МГц 2009 год /files/ampleonusainc-blf6g10160rn112-datasheets-6564.pdf СОТ-502А БЛФ6Г10 22,5 дБ 32 Вт 39А 1,2А ЛДМОС 32В
BLF1046,112 BLF1046,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 960 МГц 2011 год /files/ampleonusainc-blf1046135-datasheets-6578.pdf СОТ467C 14 дБ 45 Вт 4,5 А 300 мА ЛДМОС 26В
BLF861A,112 БЛФ861А,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 860 МГц Не соответствует требованиям RoHS 2011 год /files/ampleonusainc-blf861a112-datasheets-7046.pdf СОТ-540А 14,5 дБ ЛДМОСТ 150 Вт 18А LDMOS (двойной), общий источник 32В
BLL1214-35,112 БЛЛ1214-35,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 75В 1,2 ГГц~1,4 ГГц 2011 год /files/ampleonusainc-bll121435112-datasheets-7185.pdf СОТ467C 13 дБ СОТ467C 35 Вт 50 мА ЛДМОС 36В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.