Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Амплеон США Инк.

Амплеон США Инк. (1840 г.)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Напряжение - номинальное Частота Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ECCN-код Достичь кода соответствия Справочный стандарт Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Количество элементов Прирост Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала DS Напряжение пробоя-мин. Технология полевых транзисторов Мощность — Выход Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Максимальный ток стока (Abs) (ID) Тип транзистора Напряжение – Тест
BLP8G21S-160PVY БЛП8Г21С-160ПВИ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 1,88–1,92 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blp8g21s160pvy-datasheets-8025.pdf СОТ-1221-1 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 17,5 дБ Р-ПДФП-Ф6 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 20 Вт 600 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLM7G1822S-80ABY БЛМ7Г1822С-80АБИ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,17 ГГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blm7g1822s80aby-datasheets-8037.pdf СОТ-1211-2 13 недель 31 дБ 16-ХСОПФ 4 Вт 40 мА ЛДМОС (двойной) 28В
BLF8G38LS-75VJ БЛФ8Г38ЛС-75ВДЖ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 3,4 ГГц~3,6 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf8g38ls75vu-datasheets-7748.pdf СОТ-1239Б 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА КВАД НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 15,5 дБ Р-CQFP-X6 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 20 Вт 600 мА ЛДМОС 30 В
BLS7G3135LS-350P,1 BLS7G3135LS-350P,1 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 3,5 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-bls7g3135ls350p1-datasheets-8552.pdf СОТ539Б 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 10 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 320 Вт 200 мА LDMOS (двойной), общий источник 32В
BLF879P,112 БЛФ879П,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 104В 860 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2010 год /files/ampleonusainc-blf879p112-datasheets-8962.pdf СОТ539А 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 21 дБ Р-КДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 104В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 200 Вт 1,3А LDMOS (двойной), общий источник 42В
BLF8G24LS-100GVJ БЛФ8Г24ЛС-100ГВДЖ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 2,3 ГГц~2,4 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2014 год /files/ampleonusainc-blf8g24ls100vu-datasheets-7649.pdf СОТ-1244C 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 18 дБ Р-CDSO-G6 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 25 Вт 900 мА ЛДМОС 28В
BLF6G27LS-40P,118 БЛФ6Г27ЛС-40П,118 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 2,5 ГГц~2,7 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf6g27ls40p118-datasheets-9222.pdf СОТ-1121Б 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН БЛФ6Г27 НЕ УКАЗАН 2 17,5 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 12 Вт 450 мА 15,5 А LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLC9G20LS-160PVY BLC9G20LS-160PVY Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 65В 1,805–2 ГГц /files/ampleonusainc-blc9g20ls160pvz-datasheets-7668.pdf СОТ1275-1 13 недель 20 дБ 38 Вт 1,4 мкА 860 мА ЛДМОС 28В
BLM10D3438-35ABZ БЛМ10Д3438-35АБЗ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) /files/ampleonusainc-blm10d343835abz-datasheets-9767.pdf 13 недель
BLC9H10XS-300PY BLC9H10XS-300PY Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 108В 600 МГц~960 МГц /files/ampleonusainc-blc9h10xs300py-datasheets-0075.pdf СОТ1273-1 13 недель 21 дБ 300 Вт 1,4 мкА 600 мА ЛДМОС 50В
BLF0910H6LS500U BLF0910H6LS500U Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 2,5 ГГц~2,69 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf0910h6ls500u-datasheets-0468.pdf СОТ1275-1 13 недель 14,8 дБ 150 Вт 400 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLF2425M9LS30U BLF2425M9LS30U Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 2,45 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf2425m9ls30j-datasheets-9130.pdf СОТ-1135Б 13 недель 18,5 дБ 30 Вт 20 мА ЛДМОС 32В
BLS6G3135S-20,112 BLS6G3135S-20,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 60В 3,1 ГГц~3,5 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/ampleonusainc-bls6g313520112-datasheets-1042.pdf СОТ-608Б 2 13 недель EAR99 МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLS6G3135 НЕ УКАЗАН 1 15,5 дБ S-CDFP-F2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 60В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 20 Вт 2.1А 50 мА 2.1А ЛДМОС 32В
BLC9G24XS-170AVZ BLC9G24XS-170AVZ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 3 (168 часов) 65В 2,3 ГГц~2,4 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blc9g24xs170avy-datasheets-9470.pdf СОТ1275-3 13 недель 15,5 дБ 170 Вт 250 мА LDMOS (двойной), общий источник 30 В
BLF6G10L-260PBM:11 BLF6G10L-260PBM:11 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 2011 год СОТ-1110А БЛФ6Г10 40 Вт 64А 1,8 А ЛДМОС (двойной) 28В
BLF6G15L-500H,112 БЛФ6Г15Л-500Х,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 100В 1,45–1,49 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ampleonusainc-blf6g15l500h112-datasheets-1320.pdf СОТ539А 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН БЛФ6Г15 НЕ УКАЗАН 2 16 дБ Р-КДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 100В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 65 Вт 45А 1,3А 45А LDMOS (двойной), общий источник 50В
BLL6G1214LS-250,11 BLL6G1214LS-250,11 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 89В 1,2 ГГц~1,4 ГГц Не соответствует требованиям RoHS 2015 год СОТ-502Б 15 дБ СОТ502Б 250 Вт 150 мА ЛДМОС 36В
BLF2425M7LS140,112 BLF2425M7LS140,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 2,45 ГГц Не соответствует требованиям RoHS 2011 год /files/ampleonusainc-blf2425m7l140118-datasheets-1643.pdf СОТ-502Б 13 недель BLF2425 18,5 дБ СОТ502Б 140 Вт 1,3А ЛДМОС 28В
BLF7G24L-160P,112 БЛФ7Г24Л-160П,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Трубка 1 (без ограничений) 65В 2,3 ГГц~2,4 ГГц 2011 год /files/ampleonusainc-blf7g24ls160p118-datasheets-1759.pdf СОТ539А BLF7G24 18,5 дБ СОТ539А 30 Вт 1,2А LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLF6G27L-50BN,112 БЛФ6Г27Л-50БН,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 2,5 ГГц~2,7 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2010 год /files/ampleonusainc-blf6g27l50bn118-datasheets-1379.pdf СОТ-1112А 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА КВАД НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН БЛФ6Г27 НЕ УКАЗАН 2 16,5 дБ S-CQFM-X6 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 3 Вт 430 мА 12А LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLF6G15LS-250PBRN, БЛФ6Г15ЛС-250ПБРН, Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 1,47–1,51 ГГц Не соответствует требованиям RoHS 2011 год /files/ampleonusainc-blf6g15ls250pbrn-datasheets-1452.pdf СОТ-1110Б 13 недель EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН БЛФ6Г15 НЕ УКАЗАН 18,5 дБ 60 Вт 64А 1,41А 28В
BLF6G27-10GHJ BLF6G27-10GHJ Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 2,5 ГГц~2,7 ГГц Не соответствует требованиям RoHS СОТ-975С 19 дБ CDFM2 2 Вт 3,5 А 130 мА ЛДМОС 28В
BLF6G05LS-200RN,11 BLF6G05LS-200RN,11 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 460–470 МГц /files/ampleonusainc-blf6g05ls200rn11-datasheets-2901.pdf СОТ-502Б 24 дБ ЛДМОСТ 40 Вт 49А 1,4 А ЛДМОС 28В
BLF6G10LS-160,112 БЛФ6Г10ЛС-160,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 2014 год СОТ-502Б БЛФ6Г10 СОТ502Б ЛДМОС
BLF6G22LS-180RN:11 BLF6G22LS-180RN:11 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 2,11 ГГц~2,17 ГГц 2008 год /files/ampleonusainc-blf6g22180rn112-datasheets-3208.pdf СОТ-502Б БЛФ6Г22 16 дБ СОТ502Б 40 Вт 49А 1,4 А ЛДМОС 30 В
BLA1011S-200R,112 БЛА1011С-200Р,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Масса 1 (без ограничений) 75В 1,03–1,09 ГГц 2010 год /files/ampleonusainc-bla1011200r112-datasheets-3698.pdf СОТ-502Б БЛА1011 13 дБ 200 Вт 150 мА ЛДМОС 36В
BLF7G20L-200,112 BLF7G20L-200,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Трубка 1 (без ограничений) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц Не соответствует требованиям RoHS 2011 год /files/ampleonusainc-blf7g20ls200118-datasheets-0228.pdf СОТ-502А BLF7G20 18 дБ ЛДМОСТ 55 Вт 1,62А ЛДМОС 28В
BLF3G22-30,135 BLF3G22-30,135 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 65В 2,17 ГГц 2007 год /files/ampleonusainc-blf3g2230112-datasheets-3731.pdf СОТ-608А 14 дБ 6 Вт 12А 450 мА ЛДМОС 28В
BLF642,112 BLF642,112 Амплеон США Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 65В 1,3 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blf642112-datasheets-8079.pdf СОТ467C 2 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 19 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 35 Вт 200 мА ЛДМОС 32В
BLF578,112 BLF578,112 Амплеон США Инк. $228,64
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поднос 1 (без ограничений) 110 В 225 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf578112-datasheets-8297.pdf СОТ539А 4 13 недель EAR99 МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 24 дБ Р-КДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ N-КАНАЛЬНЫЙ 110 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1200 Вт 88А 40 мА 88А LDMOS (двойной), общий источник 50В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.