| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF5S19060MBR1 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 1,93–1,99 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-mrf5s19060mbr1-datasheets-5946.pdf | ТО-272ББ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МРФ5С19060 | 14 дБ | 12 Вт | 750 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S19130HSR5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 1,93–1,99 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nxpusainc-mrf5s19130hr5-datasheets-5945.pdf | НИ-880С | МРФ5С19130 | 13 дБ | 26 Вт | 1,2А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ4Г20-110Б,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 1,93–1,99 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nxpusainc-blf4g20110b112-datasheets-5923.pdf | СОТ-502А | 2 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLF4G20 | 2 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 13,5 дБ | Не квалифицированный | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 Вт | 12А | 700 мА | 12А | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||
| МРФ377HR3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 860 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nxpusainc-mrf377hr5-datasheets-5855.pdf | НИ-860С3 | 18,2 дБ | 45 Вт | 17А | 2А | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ373АЛСР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70В | 860 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nxpusainc-mrf373alsr1-datasheets-5927.pdf | НИ-360С | МРФ373 | 18,2 дБ | 75 Вт | 200 мА | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 375-0001 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF4G10LS-120,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 920 МГц~960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nxpusainc-blf4g10ls120112-datasheets-5887.pdf | СОТ-502Б | 2 | EAR99 | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 19 дБ | Не квалифицированный | Р-CDFP-F2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 48 Вт | 12А | 650 мА | 12А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||
| БФ245С,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 30В | 100 МГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/nxpusainc-bf245a126-datasheets-7317.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | БФ245 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | 2013-06-14 00:00:00 | 1,5 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,3 Вт | 30В | СОЕДИНЕНИЕ | 25 мА | 0,025А | N-канальный JFET | 15 В | ||||||||||||||
| БФ245А,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 30В | 100 МГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/nxpusainc-bf245a126-datasheets-7317.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | БФ245 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | 1,5 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,3 Вт | 30В | СОЕДИНЕНИЕ | 6,5 мА | 0,025А | N-канальный JFET | 15 В | |||||||||||||||
| IXЖ16Н60 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 600В | /files/ixysrf-ixzh16n60-datasheets-5899.pdf | ТО-247-3 | 350 Вт | 1 мА | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S18170HR3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 1,81 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nxpusainc-mrf7s18170hr3-datasheets-5901.pdf | НИ-880 | EAR99 | МРФ7С18170 | 17,5 дБ | 50 Вт | 1,4 А | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ904АВР,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 7В | 200 МГц | ДВОЙНЫЕ ВОРОТА, РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/nxpusainc-bf904awr115-datasheets-5903.pdf | СК-82А, СОТ-343 | 4 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФ904 | 4 | 150°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | 1 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | 0,2 Вт | 7В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 мА | 10 мА | 0,03 А | 0,035 пФ | N-канальный двойной клапан | 5В | |||||||||||
| БФ245Б,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 30В | 100 МГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/nxpusainc-bf245a126-datasheets-7317.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | БФ245 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | 1,5 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,3 Вт | 30В | СОЕДИНЕНИЕ | 15 мА | 0,025А | N-канальный JFET | 15 В | |||||||||||||||
| BLF1820-90,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 65В | 2 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nxpusainc-blf182090112-datasheets-5914.pdf | СОТ-502А | 2 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | 200°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 дБ | Не квалифицированный | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 90 Вт | 12А | 750 мА | 12А | ЛДМОС | 26В | ||||||||||||||||
| МРФ5П20180HR5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 1,93–1,99 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-mrf5p20180hr5-datasheets-5916.pdf | НИ-1230 | 14 дБ | 38 Вт | 1,6А | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ4Г22С-100,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 2,11 ГГц~2,17 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nxpusainc-blf4g22s100112-datasheets-5854.pdf | СОТ-502Б | 2 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 200°С | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 13,5 дБ | Не квалифицированный | Р-CDFP-F2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 25 Вт | 12А | 900 мА | 12А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||
| МРФ377HR5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 860 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-mrf377hr5-datasheets-5855.pdf | НИ-860С3 | 18,2 дБ | 45 Вт | 2А | ЛДМОС | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| А2Т18С160В31ГСР3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Непригодный | 65В | 1,88 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nxpusainc-afic10275nr1-datasheets-8471.pdf | НИ-780ГС-2Л2ЛА | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | 260 | 40 | 19,9 дБ | 32 Вт | 1А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ8С7170НР3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70В | 748 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | ОМ-780-2 | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 225°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 19,5 дБ | Не квалифицированный | Р-ПДФП-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 70В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 50 Вт | 1,2А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||
| PTFC262157FH-V1-R250 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 12 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFA041501E-V4-R250 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 470 МГц | Соответствует RoHS | /files/creewolfspeed-ptfa041501ev4r0-datasheets-3838.pdf | 2-плоская упаковка, поводки для плавников | PTFA041501 | 21 дБ | 150 Вт | 900 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ09С220-02НР3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70В | 920 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-aft09s22002nr3-datasheets-4343.pdf | ОМ-780-2 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | 260 | 40 | 19,5 дБ | 54 Вт | 1,4 А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GTVA261802FC-V1-R2 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | 125 В | 2,62 ГГц~2,69 ГГц | H-37248C-4 | 16,8 дБ | H-37248C-4 | 170 Вт | 160 мА | ХЕМТ | 48В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFB212503FL-V2-R250 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,17 ГГц | Соответствует RoHS | 2-Flatpack, выводы плавников, фланцевые | 12 недель | 18,1 дБ | Н-34288-4/2 | 55 Вт | 1,85 А | ЛДМОС | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| А2Т18С260-12СР3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Непригодный | 65В | 1805–1995 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/nxpusainc-a2t18s26012sr3-datasheets-4303.pdf | НИ-780-2С2Л | 10 недель | EAR99 | 260 | 40 | 18,9 дБ | 257 Вт | 10 мкА | 1,4 А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8P20165WHR3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Непригодный | 65В | 1,98–2,01 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nxpusainc-mrf8p20165whsr3-datasheets-7427.pdf | НИ780-4 | 4 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | ДА | ПЛОСКИЙ | 260 | МРФ8П20165 | 125°С | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 14,8 дБ | Не квалифицированный | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 37 Вт | 550 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | |||||||||||||||||
| PXAC192908FV-V1-R250 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 12 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ26Х200В03СР6 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Непригодный | 65В | 2,5 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | НИ-1230-4С | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.40 | 260 | 225°С | 40 | Полевой транзистор общего назначения | 14,1 дБ | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 45 Вт | 500 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ1201ВР,115 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 10 В | 400 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-bf1201wr115-datasheets-4064.pdf | СК-82А, СОТ-343 | 29 дБ | СМПАК-4 | 1 дБ | 30 мА | 15 мА | N-канальный двойной клапан | 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTVA042502FC-V1-R250 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 12 недель |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.