РЧ МОП-транзисторы(4200)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Ряд	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Напряжение - номинальное	Частота	Режим работы	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Количество окончаний	Срок выполнения заказа на заводе	ECCN-код	Код HTS	Код JESD-609	Терминальные отделки	Поверхностный монтаж	Положение терминала	Терминальная форма	Пиковая температура оплавления (Цел)	Базовый номер детали	Рабочая температура (макс.)	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Количество элементов	Подкатегория	Прирост	Статус квалификации	Код JESD-30	Поставщик пакета оборудования	Материал транзисторного элемента	Конфигурация	Соединение корпуса	Применение транзистора	Полярность/Тип канала	Рассеиваемая мощность-Макс (Абс)	DS Напряжение проба-мин.	Технология полевых транзисторов	Мощность — Выход	Текущий рейтинг (А)	Текущий — Тест	Тип транзистора	Напряжение – Тест
PTFB192503EL-V1-R0	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	65В	1,99 ГГц		Соответствует RoHS			Н-33288-6																19 дБ												50 Вт		1,9 А	ЛДМОС	30В
А3Т21Х400В23СР6	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный				Соответствует ROHS3		/files/nxpusainc-a3t21h400w23sr6-datasheets-3846.pdf			10 недель								260			40
PTRA083818NF-V1-R5	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	105В	733–805 МГц		Соответствует RoHS			HBSOF-6-2		12 недель														18,6 дБ			ПГ-ХБСОФ-6-2									275 Вт	10 мкА	200 мА	ЛДМОС	48В
PTFB212503FL-V2-R0	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	65В	2,17 ГГц		Соответствует RoHS			2-Flatpack, выводы плавников, фланцевые		12 недель														18,1 дБ			Н-34288-4/2									55 Вт		1,85 А	ЛДМОС	30В
А2Т18С165-12СР3	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	65В	1805–1995 ГГц		Соответствует ROHS3	2011 г.	/files/nxpusainc-a2t18s16512sr3-datasheets-3741.pdf	НИ-780-2С2Л		10 недель	EAR99							НЕ УКАЗАН			НЕ УКАЗАН			18 дБ												148 Вт	10 мкА	800мА	ЛДМОС	28В
PTFB192503FL-V2-R0	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	65В	1,99 ГГц		Соответствует RoHS			2-Flatpack, выводы плавников, фланцевые																19 дБ			Н-34288-4/2									50 Вт		1,9 А	ЛДМОС	30В
А2Т09ВД250НР1	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	105В	920 МГц		Соответствует ROHS3	2015 год	/files/nxpusainc-a2t09vd250nr1-datasheets-3743.pdf	Вариант ТО-270-6, плоские выводы		10 недель	EAR99	8541.29.00.75												22,5 дБ												65 Вт		1А	ЛДМОС (двойной)	48В
АФТ18С230СР3	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	65В	1,88 ГГц		Соответствует ROHS3	2001 г.		НИ-780С		10 недель	EAR99	8541.29.00.75						260		150°С	40		Полевой транзистор общего назначения	19 дБ					Одинокий			Н-КАНАЛЬНЫЙ			МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК	50 Вт		1,8 А	ЛДМОС	28В
АФТ23С160В02СР3	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	65В	2,4 ГГц		Соответствует ROHS3	2013 год		НИ-780С		10 недель	EAR99	8541.29.00.40						260		125°С	40		Полевой транзистор общего назначения	17,9 дБ					Одинокий			Н-КАНАЛЬНЫЙ			МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК	45 Вт		1,1А	ЛДМОС	28В
PTRA093302FC-V1-R2	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	105В	768 МГц		Соответствует RoHS			Н-37248-4		12 недель														17,25 дБ			Н-37248-4									79 Вт	10 мкА	400 мА	ЛДМОС	48В
PTFB241402FC-V1-R250	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать
А3Т21Х360В23СР6	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	65В	2,11 ГГц~2,2 ГГц		Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/nxpusainc-a3t21h360w23sr6-datasheets-3782.pdf	АКП-1230С-4Л2С		10 недель	EAR99							260			40			16,4 дБ												328 Вт	10 мкА	600 мА	ЛДМОС (двойной)	28В
АФТ09С200В02ГНР3	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	70В	960 МГц		Соответствует ROHS3	2009 год		ОМ-780-2Г		10 недель	EAR99	8541.29.00.40	е3	Олово (Вс)				260			40			19,2 дБ												56 Вт		1,4 А	ЛДМОС	28В
MRFE6VP6300HSR5	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	130 В	230 МГц	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2006 г.		НИ-780С-4	4	10 недель	EAR99	8541.29.00.75			ДА		ПЛОСКИЙ	260	MRFE6VP6300	225°С	40	2	Полевой транзистор общего назначения	26,5 дБ	Не квалифицированный	Р-CDFP-F4		КРЕМНИЙ	ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА	ИСТОЧНИК	УСИЛИТЕЛЬ	Н-КАНАЛЬНЫЙ		130 В	МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК	300 Вт		100 мА	ЛДМОС (двойной)	50В
PTRA094808NF-V1-R5	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	105В	859 МГц~960 МГц		Соответствует RoHS			HBSOF-6-2		12 недель														17,5 дБ			ПГ-ХБСОФ-6-2									300 Вт	10 мкА	450 мА	ЛДМОС	48В
А2Т09ВД300НР1	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	105В	920 МГц		Соответствует ROHS3	2015 год	/files/nxpusainc-a2t09vd300nr1-datasheets-3786.pdf	Вариант ТО-270-6, плоские выводы		10 недель	EAR99	8541.29.00.75												21,5 дБ												79 Вт		1,2А	ЛДМОС (двойной)	48В
GTVA262711FA-V2-R2	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Ган	Лента и катушка (TR)		125 В	2,62 ГГц~2,69 ГГц					H-87265J-2																18 дБ			H-87265J-2									70 Вт		320 мА	ХЕМТ	48В
GTVA261701FA-V1-R0	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Соответствует RoHS					12 недель
АФТ23Х200-4С2ЛР6	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	65В	2,3 ГГц		Соответствует ROHS3	2006 г.		НИ-1230-4ЛС2Л		10 недель	EAR99	8541.29.00.40						260		150°С	40		Полевой транзистор общего назначения	15,3 дБ								Н-КАНАЛЬНЫЙ	294 Вт		МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК	45 Вт		500 мА	ЛДМОС (двойной)	28В
А2В09Х300-04НР3	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	105В	720–960 МГц		Соответствует ROHS3	2014 год	/files/nxpusainc-a2v09h30004nr3-datasheets-3756.pdf	ОМ-780-4Л		10 недель	EAR99							260			40			19,7 дБ												53 дБм	10 мкА	400 мА	ЛДМОС	48В
MRF8S18210WHSR3	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	65В	1,93 ГГц		Соответствует ROHS3	2006 г.		НИ-880XS		10 недель	EAR99	8541.29.00.75			ДА			260	МРФ8С18210	125°С	40		Полевой транзистор общего назначения	17,8 дБ					Одинокий						МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК	50 Вт		1,3А	N-канал	30В
МРФ8С9232НР3	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	70В	960 МГц	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2006 г.		ОМ-780-2	2	10 недель	EAR99	8541.29.00.75	е3	МАТОВАЯ ТУНКА	ДА	ДВОЙНОЙ	ПЛОСКИЙ	260		225°С	40	1	Полевой транзистор общего назначения	18,1 дБ		Р-ПДФП-Ф2		КРЕМНИЙ	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	УСИЛИТЕЛЬ			70В	МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК	63 Вт		1,4 А	N-канал	28В
PTRA084808NF-V1-R5	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)		105В	734 МГц~821 МГц		Соответствует RoHS			HBSOF-6-2		12 недель														18,2 дБ			ПГ-ХБСОФ-6-2									550 Вт	10 мкА	450 мА	LDMOS (двойной), общий источник	48В
GTVA262711FA-V2-R0	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Ган	Лента и катушка (TR)		125 В	2,62 ГГц~2,69 ГГц					H-87265J-2																18 дБ			H-87265J-2									70 Вт		320 мА	ХЕМТ	48В
А2Т18С162В31СР3	NXP США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	65В	1,84 ГГц		Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/nxpusainc-a2t18s162w31sr3-datasheets-3736.pdf	НИ-780С-2Л2ЛА		10 недель	EAR99	8541.29.00.75						НЕ УКАЗАН			НЕ УКАЗАН			20,1 дБ												32 Вт		1А	ЛДМОС	28В
MRF8P20140WHSR3	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	65В	1,88–1,91 ГГц	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2006 г.		НИ-780С-4	4	10 недель	EAR99	8541.29.00.75			ДА		ПЛОСКИЙ	260	МРФ8П20140	125°С	40	2	Полевой транзистор общего назначения	16 дБ	Не квалифицированный	Р-CDFP-F4		КРЕМНИЙ	ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА	ИСТОЧНИК	УСИЛИТЕЛЬ	Н-КАНАЛЬНЫЙ		65В	МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК	24 Вт		500 мА	ЛДМОС (двойной)	28В
PTFB201402FC-V1-R0	Кри/Вулфспид	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать				65В	2,01 ГГц~2,025 ГГц					Н-37248-4																16 дБ			Н-37248-4									140 Вт	10 мкА	650 мА	LDMOS (двойной), общий источник	28В
АФТ21С232СР3	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	65В	2,11 ГГц		Соответствует ROHS3	2013 год		НИ-780С		10 недель	EAR99	8541.29.00.40						260		150°С	40		Полевой транзистор общего назначения	16,7 дБ					Одинокий			Н-КАНАЛЬНЫЙ	161 Вт		МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК	50 Вт		1,5 А	ЛДМОС	28В
А2Т23Х160-24СР3	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	65В	2,3 ГГц		Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/nxpusainc-a2t23h16024sr3-datasheets-3711.pdf	НИ-780С-4Л2Л		10 недель	EAR99	8541.29.00.75												17,7 дБ												28 Вт		350 мА	ЛДМОС (двойной)	28В
А2Т18Х160-24СР3	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Лента и катушка (TR)	Непригодный	65В	1,81 ГГц		Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/nxpusainc-a2t18h16024sr3-datasheets-3713.pdf	НИ-780С-4Л2Л		10 недель	EAR99	8541.29.00.75						НЕ УКАЗАН			НЕ УКАЗАН			17,9 дБ												28 Вт		400 мА	ЛДМОС (двойной)	28В

РЧ МОП-транзисторы(4200)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии