Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактRF MOSFET транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Выходная мощность | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Минимальное напряжение проба | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип транзистора | Напряжение - Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NE4210S01 | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Полоска | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | 4В | 12 ГГц | Соответствует RoHS | 4-СМД | 4 | 13 дБ | 0,5 дБ | 70 мА | 3В | 15 мА | 10 мА | HFET | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE5550779A-T1-A | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 30В | 900 МГц | Соответствует RoHS | 2,1А | 4-SMD, плоские выводы | 4 | Нет | NE5550 | 1 | 22 дБ | 2,1А | 6В | 38,5 дБм | 140 мА | ЛДМОС | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9G27LS-150AVZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,5 ГГц~2,69 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blc9g27ls150avz-datasheets-2068.pdf | СОТ1275-1 | 15 дБ | ДФМ6 | 150 Вт | 400 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP7G07S-140PY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 724–769 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/nxpusainc-blp7g07s140p118-datasheets-7486.pdf | СОТ-1223-1 | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLP7G07 | НЕ УКАЗАН | 2 | 20,9 дБ | Р-ПДФП-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35 Вт | 1,2А | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛМ7Г22С-60ПБГЙ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,14 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blm7g22s60pby-datasheets-8122.pdf | СОТ-1212-2 | 31,5 дБ | 16-ХСОП | 1,6 Вт | 75 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3СК263-5-ТГ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-3sk2635tge-datasheets-2074.pdf | 30 мА | ТО-253-4, ТО-253АА | Без свинца | 4 недели | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | 200мВт | 4 | Двойной | 200мВт | 1 | 21 дБ | 2,2 дБ | 30 мА | 8В | 15 В | 10 мА | N-канальный двойной клапан | 6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF9G24LS-230VJ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ6Г15ЛС-250ПБРН, | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 1,47–1,51 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf6g15ls250pbrn-datasheets-1452.pdf | СОТ-1110Б | 13 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | БЛФ6Г15 | НЕ УКАЗАН | 18,5 дБ | 60 Вт | 64А | 1,41А | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВММК-1225-ТР2Г | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 5В | 12 ГГц | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/broadcomlimited-vmmk1225tr2g-datasheets-2099.pdf | 50 мА | 0402 (1005 Метрическая единица) | 11 дБ | 0402 | 1 дБ | 50 мА | 20 мА | Э-pHEMT | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE5550234-T1-AZ | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 30В | 900 МГц | Соответствует RoHS | 600 мА | ТО-243АА | Без свинца | 3 | Нет | NE5550 | 23,5 дБ | 600 мА | 6В | 32,2 дБ | 40 мА | N-канал | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9G24LS-170AVY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | ДФМ6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВММК-1225-ТР1Г | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 5В | 12 ГГц | Соответствует RoHS | 2016 год | 0402 (1005 Метрическая единица) | EAR99 | совместимый | 8542.33.00.01 | 11 дБ | 1 дБ | 8 дБм | 50 мА | 20 мА | Э-pHEMT | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ9Г24ЛС-150ВУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE3511S02-T1C-A | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | 4В | 12 ГГц | Соответствует RoHS | 70 мА | 4-SMD, плоские выводы | Без свинца | 4 | Нет | 165мВт | 13,5 дБ | S02 | 0,3 дБ | 165мВт | 70 мА | -3В | 4В | 70 мА | 4В | 10 мА | HFET | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ9Г24ЛС-230ВУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE5550979A-А | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 30В | 900 МГц | Соответствует RoHS | 3А | 4-SMD, плоские выводы | 4 | Нет | NE5550 | 22 дБ | 79А | 3А | 6В | 38,6 дБм | 3А | 200 мА | ЛДМОС | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ8Г27ЛС-140В,118 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,63–2,69 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf8g27ls140v112-datasheets-1801.pdf | СОТ-1120Б | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | КВАД | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | BLF8G27 | НЕ УКАЗАН | 1 | 17,4 дБ | Р-CQFP-X6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 45 Вт | 1,3А | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ8Г20ЛС-260А,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 65В | 1,88 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf8g20ls260a118-datasheets-1790.pdf | СОТ539Б | 4 | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLF8G20 | НЕ УКАЗАН | 2 | 15,9 дБ | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 50 Вт | 750 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFB093608FVV2XWSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | 12 недель | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE3210S01 | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Полоска | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | 12 ГГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 15 мА | 4-СМД | 4 | 1 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 165мВт | РАДИАЛЬНЫЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 165мВт | 1 | 13,5 дБ | О-ПРДБ-Г4 | 0,35 дБ | 70 мА | -3В | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 4В | ГЕТЕРО-ПЕРЕХОД | 10 мА | 4В | HFET | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G24LS-240AVZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,3 ГГц~2,4 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/nxpusainc-blc8g24ls240avj-datasheets-7589.pdf | СОТ-1252-1 | 8 | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 14,5 дБ | Р-ПДФП-Ф8 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 56 Вт | 500 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3819 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n3819-datasheets-1999.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 6 недель | 453,59237мг | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 360мВт | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | 20 мА | 25 В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | 0,02 А | 4 пФ | N-канальный JFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5486 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 400 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n5486-datasheets-1957.pdf | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | 453,59237мг | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 310мВт | 3 | Одинокий | 310мВт | 4 дБ | 30 мА | -25В | 25 В | 4мА | 150Ом | N-канальный JFET | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAGX-000035-015000 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 95°С | -40°С | 65В | 0 Гц~3 ГГц | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/macomtechnologysolutions-magxl20035015000-datasheets-0969.pdf | 800мА | 13,97 мм | 3,25 мм | 4,06 мм | 10,3 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор RF, малый сигнал | 15,5 дБ | 800мА | -3В | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 500мВт | 15 мА | ХЕМТ | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATF-38143-TR1G | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 160°С | -65°С | 2 ГГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2012 год | 4,5 В | 145 мА | СК-82А, СОТ-343 | Без свинца | 4 | 6 недель | 4 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 580мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | НЕ УКАЗАН | 1 | Малые радиочастотные сигналы на полевых транзисторах | 16 дБ | Не квалифицированный | 0,4 дБ | 145 мА | -4В | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 4,5 В | ВЫСОКАЯ ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ | 12 дБм | 10 мА | ФЭМТ ФТ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НПТ35050AB | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 100 В | 3,3 ГГц~3,8 ГГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | 19,5А | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 12 дБ | 6 Вт | 750 мА | ХЕМТ | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДНЯО2022 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 3 (168 часов) | 160 В | 0 Гц~2 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/macomtechnologysolutions-npt2022smbppr-datasheets-2396.pdf | 14А | ТО-272ВС | 3 недели | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 17 дБ | 100 Вт | 600 мА | ХЕМТ | 48В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G20LS-400AVZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 1,81 ГГц~1,88 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blc8g20ls400avy-datasheets-9934.pdf | СОТ-1258-3 | 13 недель | 15,5 дБ | СОТ-1258-3 | 85 Вт | 800мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4340 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | 1 кГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n4340-datasheets-1969.pdf | -50В | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Без свинца | 3 | 8 недель | 2 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-MBCY-W3 | 1 дБ | -50В | УСИЛИТЕЛЬ | 0,3 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 1,5 кОм | N-канальный JFET | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAGX-000035-045000 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 0 Гц~3,5 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/macomtechnologysolutions-magxs10035045000-datasheets-1204.pdf | 3А | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 18 дБ | 900мВт | 100 мА | ХЕМТ | 50В |
