Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
SCRS Thyristors - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль На Это PakeT / KORPUES Колист Верна DOSTIчH SVHC Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ ТИП ССЕЕМы RMS Current (IRMS) Ток-ток Коунфигура Ток DerжaTTHTOK МАКСИМАЛНА NeShaviymый pk -curte cur УДЕРИВОВОЙ Potrnoe pikowowowowowowowowowowowosepowosepowose obratnoe anpprayeseenee Зapypytth На DC GATE TUCCE-MAX Potrnoe pikowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowose Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (IH) (MMAKS) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТИП СКР Naprayжeniee - na -coStoanaonik ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) Критистеска Айроф Сэма снета-с. Среднеквадратично DC Trigge Trigge-Max
T507048084AQ T507048084AQ Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t507028034aq-datasheets-7167.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 3 10 nedely 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 125. Одинокий 15 май 1400 А. 150 май 400 Скрип 400 400 1400a @ 60 gц 150 май 80A Станодано 3,2 В. 15 май 200 В/С.С.А.
T507088034AQ T507088034AQ Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t507028034aq-datasheets-7167.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 3 10 nedely 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 125. Одинокий 15 май 1400 А. 150 май 800 Скрип 800 800 1400a @ 60 gц 150 май 80A Станодано 3,2 В. 15 май 200 В/С.С.А.
T727024854DN T727024854DN Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t72702484444dn-datasheets-7773.pdf SC-20, Stud 3 6 3 в дар Ear99 НЕИ НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 750A Одинокий 8000 а 200 Скрип 200 200 8000a @ 60 gц 150 май 475а Станодано 2,3 В. 30 май
T5070840B4AQ T5070840B4AQ Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t507024034aq-datasheets-7001.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 3 10 nedely 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 63а Одинокий 15 май 1000 а 800 Скрип 800 800 1000a @ 60 gц 150 май 40a Станодано 4,2 В. 15 май 200 В/С.С.А.
T627082584DN T627082584DN Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t6270225b4dn-datasheets-6938.pdf DO-200AA, A-Puk 3 6 3 в дар НЕИ НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 400A Одинокий 25 май 4500 а 800 Скрип 800 800 4500A @ 60 г -джи 150 май 250a Станодано 1,85 25 май
T6070218B4BT T6070218B4BT Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t607021834bt-datasheets-7481.pdf TO-209AB, TO-93-4, STAD 3 14 3 в дар Ear99 НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 275A Одинокий 25 май 4500 а 200 Скрип 200 200 4500A @ 60 г -джи 150 май 175a Станодано 1,85 25 май
VS-ST110S16M1PBF VS-ST110S16M1PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst110s04p1vpbf-datasheets-6923.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 14 № 209 годы (до 94) 175a 600 май 1,6 кв 175a 600 май 2270A 2380A 150 май 110a Станодано 1,52 В. 20 май
VS-ST083S08PFN0 VS-ST083S08PFN0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) В 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst083s10pfk1p-datasheets-7238.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 14 4 Ear99 НЕИ Nukahan ST083S Nukahan 135а 600 май 800 Скрип 800 2450A 2560A 200 май 85а Станодано 2.15 30 май
T500108004AQ T500108004AQ Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t500084004aq-datasheets-7390.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 3 10 nedely 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 125. Одинокий 10 май 1800 А. 1000 Скрип 1 к 1000 1800a @ 60 gц 150 май 80A Станодано 2,2 В. 10 май 100 мкс
C49D20X2 C49D20x2 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT О 83 10 nedely Станодано
C152P C152p Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2012 /files/powerexinc-c150m-datasheets-7425.pdf 1 к До 208 г. 6 Ear99 НЕИ Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite 100 а 20 май 500 май 1500 А. Скрип 1000 100 а 1400.100 150 май Станодано 2,6 В. 10 май 200 В/С.С.А. 100 мкс
C49C10 C49C10 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT Создание 94 10 nedely Станодано
C50P C50p Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT Создание 94 3 10 nedely TO-83 ПЕРЕДЕЛИ НЕИ 8541.30.00.80 Не Вергини В. 3 125 ° С -45 ° С 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-Mupm-H3 110000. Одинокий 10 май 1000 а 100 май 1000 Скрип 75 май 1000 Станодано 200 В/С.С.А. 80 мкс 125,6a
C431N1 C431N1 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2002 /files/powerexinc-c431m1-datasheets-7515.pdf TO-200AB, A-PUK 4 6 НЕИ 8541.30.00.80 НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА 4 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-CXDB-X4 950. Одинокий 45 май 8000 а 800 Скрип 800 800 7300a 8000a 150 май 600A Станодано 2,62 В. 45 май 200 В/С.С.А. 200 мкс
VS-ST300C12C0L VS-ST300C12C0L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2012 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst300c04c0-datasheets-7224.pdf TO-200AB, E-Puk 12 2 Ear99 1,29 к.а. 600 май 1,2 кв Скрип 1,2 кв 1290a 6730A 7040A 200 май 650A Станодано 2.18 50 май
C49C20X2 C49C20X2 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT О 83 10 nedely Станодано
T727044544DN T727044544DN Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t727024554dn-datasheets-7198.pdf SC-20, Stud 3 6 в дар НЕИ 8541.30.00.80 НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-XXDB-X3 700A Одинокий 30 май 8000 а 400 Скрип 400 400 8000a @ 60 gц 150 май 450A Станодано 1,45 30 май 300 v/sшa
VS-ST083S08PFM1 VS-ST083S08PFM1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) В 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst083s10pfk1p-datasheets-7238.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 14 4 НЕИ 135а 600 май 800 Скрип 800 2060a 2160a 200 май 85а Станодано 2.15 30 май
C393B C393b Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2 6 Ear99 Бы -постр НЕИ 8541.30.00.80 В дар Кони NeT -lederStva 3 125 ° С -45 ° С 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-CEDB-N2 500000. Одинокий 45 май 5500 а 1000 мат 200 Скрип 300 май 200 Станодано 200 В/С.С.А. 20 мкс 510.25a
VS-ST180S06P1V VS-ST180S06P1V Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С В 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst180s04p1vpbf-datasheets-7044.pdf TO-209AB, TO-93-4, STAD 14 TO-209AB (TO-93) 314a 600 май 600 314a 600 май 4200A 4400A 150 май 200a Станодано 1,75 В. 30 май
VS-ST083S08PFN2 VS-ST083S08PFN2 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) В 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst083s10pfk1p-datasheets-7238.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 16 Ear99 НЕИ 135а 600 май Скрип 800 135а 2060a 2160a 200 май 85а Станодано 2.15 30 май
C49D20 C49D20 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT Создание 94 10 nedely Станодано
C52P C52p Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT О 83 10 nedely Ear99 НЕИ Не 125 ° С -45 ° С Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite 110000. 10 май 1000 а 100 май Скрип 75 май 1000 Станодано 200 В/С.С.А. 80 мкс
T607041554BT T607041554BT Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t607021534bt-datasheets-7426.pdf TO-209AB, TO-93-4, STAD 3 14 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 235а Одинокий 25 май 4000 а 150 май 400 Скрип 400 400 4000a @ 60 gц 150 май 150a Станодано 2.1 25 май
VS-ST303C08CFK1 VS-ST303C08CFK1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2011 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst303c04cfl0-datasheets-7463.pdf 620A TO-200AB, E-Puk 2 12 2 Ear99 Вес НЕИ Кони NeT -lederStva Nukahan Nukahan 1 Скрип 1,18 к.а. Одинокий 600 май 800 Скрип 1180a 600 май 6690a 7000a 200 май Станодано 2.16 50 май
T507104034AQ T507104034AQ Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t507024034aq-datasheets-7001.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 3 10 nedely 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 63а Одинокий 15 май 1000 а 150 май 1000 Скрип 1 к 1000 1000a @ 60 gц 150 май 40a Станодано 4,2 В. 15 май 200 В/С.С.А.
VS-ST300C12C0 VS-ST300C12C0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2013 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst300c04c0-datasheets-7224.pdf 650A TO-200AB, E-Puk 12 НЕИ 2 Ear99 ST300C*c Скрип 1,29 к.а. 600 май 1,2 кв Скрип 1290a 600 май 8000a 8380a 200 май Станодано 2.18 50 май
T607021564BT T607021564BT Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t607021534bt-datasheets-7426.pdf TO-209AB, TO-93-4, STAD 3 14 3 в дар Ear99 НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 235а Одинокий 25 май 4000 а 150 май 200 Скрип 200 200 4000a @ 60 gц 150 май 150a Станодано 2.1 25 май
C45PA C45PA Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT О 83 10 nedely Ear99 НЕИ Не 125 ° С -45 ° С Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite 80000. 4 май 800 а 100 май Скрип 75 май 1100 Станодано 100 v/sшa 80 мкс
C185B C185b Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2001 О 93 3 14 Ear99 Бы -постр НЕИ 8541.30.00.80 Не Вергини В. 3 1 Н.Квалиирована O-Mupm-H3 Одинокий 200 Скрип 200 Станодано 20 мкс 274.75a

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.