Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
SCRS Thyristors - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Статус Ройс Опуликовано Техниль На Это PakeT / KORPUES Колист Верна DOSTIчH SVHC Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ДАТАПЕРКЕРКИ СТАТУСА ТИП ССЕЕМы RMS Current (IRMS) Ток-ток Коунфигура Ток DerжaTTHTOK МАКСИМАЛНА NeShaviymый pk -curte cur УДЕРИВОВОЙ Potrnoe pikowowowowowowowowowowowosepowosepowose obratnoe anpprayeseenee Зapypytth На DC GATE TUCCE-MAX ШТат Potrnoe pikowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowose Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (IH) (MMAKS) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТИП СКР Naprayжeniee - na -coStoanaonik ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) Критистеска Айроф Сэма снета-с. Среднеквадратично DC Trigge Trigge-Max
C46PA C46PA Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT Создание 94 3 10 nedely TO-83 ПЕРЕДЕЛИ НЕИ 8541.30.00.80 Не Вергини В. 3 125 ° С -45 ° С 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-Mupm-H3 80000. Одинокий 4 май 800 а 100 май 1100 Скрип 75 май 1100 Станодано 100 v/sшa 80 мкс 78.5a
T607041554BT T607041554BT Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t607021534bt-datasheets-7426.pdf TO-209AB, TO-93-4, STAD 3 14 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 235а Одинокий 25 май 4000 а 150 май 400 Скрип 400 400 4000a @ 60 gц 150 май 150a Станодано 2.1 25 май
VS-ST303C08CFK1 VS-ST303C08CFK1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2011 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst303c04cfl0-datasheets-7463.pdf 620A TO-200AB, E-Puk 2 12 2 Ear99 Вес НЕИ Кони NeT -lederStva Nukahan Nukahan 1 Скрип 1,18 к.а. Одинокий 600 май 800 Скрип 1180a 600 май 6690a 7000a 200 май Станодано 2.16 50 май
T507104034AQ T507104034AQ Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t507024034aq-datasheets-7001.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 3 10 nedely 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 63а Одинокий 15 май 1000 а 150 май 1000 Скрип 1 к 1000 1000a @ 60 gц 150 май 40a Станодано 4,2 В. 15 май 200 В/С.С.А.
VS-ST300C12C0 VS-ST300C12C0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2013 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst300c04c0-datasheets-7224.pdf 650A TO-200AB, E-Puk 12 НЕИ 2 Ear99 ST300C*c Скрип 1,29 к.а. 600 май 1,2 кв Скрип 1290a 600 май 8000a 8380a 200 май Станодано 2.18 50 май
T607021564BT T607021564BT Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t607021534bt-datasheets-7426.pdf TO-209AB, TO-93-4, STAD 3 14 3 в дар Ear99 НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 235а Одинокий 25 май 4000 а 150 май 200 Скрип 200 200 4000a @ 60 gц 150 май 150a Станодано 2.1 25 май
C52T C52t Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT О 83 10 nedely Ear99 НЕИ Не 125 ° С -45 ° С Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite 110000. 10 май 1000 а 100 май Скрип 75 май 900 Станодано 200 В/С.С.А. 80 мкс
C152T C152T Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2012 /files/powerexinc-c150m-datasheets-7425.pdf До 208 г. 10 nedely Ear99 НЕИ Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite 100 а 20 май 500 май 1500 А. Скрип 900 900 100 а 1400.100 150 май Станодано 2,6 В. 10 май 200 В/С.С.А. 100 мкс
VS-81RIA80M VS-81RIA80M Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs81ria120-datasheets-6921.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 3 13 Ear99 НЕИ Вергини В. Nukahan Nukahan 1 O-Mupm-H3 125. Одинокий 200 май 800 Скрип 800 800 125. 2,5 В. 1600a 1675a 120 май 80A Станодано 1,6 В. 15 май
T607041834BT T607041834BT Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t607021834bt-datasheets-7481.pdf TO-209AB, TO-93-4, STAD 3 14 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 275A Одинокий 25 май 4500 а 400 Скрип 400 400 4500A @ 60 г -джи 150 май 175a Станодано 1,85 25 май
C50T C50T Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT Создание 94 3 10 nedely TO-83 ПЕРЕДЕЛИ НЕИ 8541.30.00.80 Не Вергини В. 3 125 ° С -45 ° С 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-Mupm-H3 110000. Одинокий 10 май 1000 а 100 май 900 Скрип 75 май 900 Станодано 200 В/С.С.А. 80 мкс 125,6a
T727024554DN T727024554DN Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t727024554dn-datasheets-7198.pdf SC-20, Stud 3 6 в дар Ear99 НЕИ 8541.30.00.80 НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-XXDB-X3 700A Одинокий 30 май 8000 а 200 Скрип 200 200 8000a @ 60 gц 150 май 450A Станодано 1,45 30 май 300 v/sшa
C180P C180p Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-c180b-datasheets-7262.pdf 1 к 235а TO-209AB, TO-93-4, STAD 3 14 НЕИ 8541.30.00.80 Вергини В. 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-Mupm-H3 235а Одинокий 6ma 3500 а 500 май 1200 Скрип 1200 3200A 3500A 150 май 150a Станодано 2,85 В. 20 май 200 В/С.С.А.
VS-ST303C08CFN1 VS-ST303C08CFN1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2011 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst303c04cfl0-datasheets-7463.pdf 620A TO-200AB, E-Puk 2 12 2 Ear99 Вес НЕИ Кони NeT -lederStva Nukahan Nukahan 1 Скрип 1,18 к.а. Одинокий 600 май 800 Скрип 1180a 600 май 6690a 7000a 200 май Станодано 2.16 50 май
CPS041-2N878-WN CPS041-2N878-WN Central Semiconductor Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2017 /files/centralsemiconductorcorp-cps041cs18bwn-datasheets-3270.pdf Умират
BT158W-1200TQ BT158W-1200TQ Weenpoluprovodonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 150 ° C TJ Трубка 247-3 1,2 кв 126А 200 май 1V 1100A 1210A 70 май 80A Станодано 1,65 В. 3MA
CR03AM-16A-A#B00 CR03AM-16A-A#B00 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C TJ 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/RENESASELECTRONICSAMERICA-CR03AM16AABD0-DATASHEETS-3388.PDF TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Ear99 3 Скрип 800 470 май 3MA 800 м 20А @ 60 г -джист 30 мк 300 май Станодано 1,8 В. 100 мк
BT169DEP Bt169dep Weenpoluprovodonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 125 ° C TJ МАССА TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400 800 май 5 май 800 м 8а 9а 200 мк 500 май Чywytelnhe 1,7 100 мк
2098 2098 Littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Neprigodnnый Rohs3
CR05AM-16A-DTB#BD0 CR05AM-16A-DTB#BD0 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C TJ 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/RENESASELECTRONICSAMERICA-CR05AM16ADTBB00-DATASHEETS-3415.PDF До-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (SFORMIROWANNE 800 470 май 3MA 800 м 10а @ 60 г -л 50 мк 300 май Станодано 1,8 В. 100 мк
NCR100-8MR NCR100-8MR Weenpoluprovodonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) /files/weensemiconductors-ncr1008mr-datasheets-3971.pdf Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 600 800 май 3MA 800 м 8а 9а 100 мк 500 май Чywytelnhe 1,7
BRX44 PBFREE Brx44 Pbfree Central Semiconductor Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА Rohs3 /files/centralsemiconductorcorp-brx46pbfree-datasheets-3280.pdf TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) E3 МАТОВОЙ ОЛОВА (SN) - C ANQUELEM (ni) BARHEROM Nukahan Nukahan Скрип 30 800 май 5 май 800 м 200 мк 500 май Станодано 1,7 1 Млокс
CSDD-12N BK CSDD-12N BK Central Semiconductor Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TJ 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/centralsemiconductorcorp-csdd12ntr13-datasheets-3397.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Сообщите В дар Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite 3MA 110 а 20 май Скрип 800 1,6 В. 800 12A 20 май 1,5 В. 110a @ 60 gц 15 май 24. Чywytelnhe 1,6 В. 10 мк 200 В/С.С.А.
CR08AS-12-BT14#F10 CR08AS-12-BT14#F10 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TJ 1 (neograniчennnый) Rohs3 243а 600 1.26a 3MA 800 м 10а @ 60 г -л 50 мк 800 май Станодано 1,5 В. 500 мк
BT149B,126 BT149B, 126 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Lenta и коробка (TB) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2001 /files/weensemiconductors-bt149g412-datasheets-6499.pdf До-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (SFORMIROWANNE 3 Ear99 8541.30.00.80 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Не Униджин Nukahan BT149 3 125 ° С Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-PBCY-T3 2013-06-14 00:00:00 Одинокий 0,1 ма 9 а 5 май 200 Скрип 200 200 800 май 5 май 800 м 8а 9а 200 мк 500 май Чywytelnhe 1,7 100 мк 500 В/С.С.А. 100 мкс
CR12FM-12B#BH0 CR12FM-12B#BH0 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 150 ° C TJ 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/renesaselectronicsamerica-cr12fm12bbb0-datasheets-3315.pdf 220-3- Nukahan 3 Nukahan Скрип 600 18.8a 15 май 1,5 В. 360a @ 60 gц 30 май 12A Станодано 1,6 В. 2MA
CR08AS-12AAT14#B10 CR08AS-12AAT14#B10 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TJ 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/renesaselectronicsamerica-cr08as12abt14b10-datasheets-3440.pdf 243а 600 1.26a 3MA 800 м 10а @ 60 г -л 100 мк 800 май Станодано 1,5 В. 500 мк
CR05AM-16A#BD0 CR05AM-16A#BD0 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C TJ 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/RENESASELECTRONICSAMERICA-CR05AM16ADTBB00-DATASHEETS-3415.PDF TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) в дар Ear99 3 Скрип 800 470 май 3MA 800 м 10а @ 60 г -л 100 мк 300 май Станодано 1,8 В.
CRD5AS-12B-T13#B00 CRD5AS-12B-T13#B00 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/RENESASELECTRONICSAMERICA-CRD5AS12BT13B00-DATASHEETS-3798.PDF TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Ear99 В дар 4 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite 2MA 90 а Охран 600 600 7,8а 3MA 800 м 90a @ 60 gц 100 мк 5A Чywytelnhe 1,8 В. 2MA
CPS053-CS18B-WN CPS053-CS18B-WN Central Semiconductor Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2017 /files/centralsemiconductorcorp-cps0532n5064wn-datasheets-3208.pdf Умират

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.