Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Непрерывный ток коллектора | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Частота – переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2Н3711 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n3711-datasheets-9174.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 625 МВт | 30 В | 1В | 30 В | 100нА | 100 МГц | 180 | 30 В | 6В | 180 | |||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6249 | Аэрофлекс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 18 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3704 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/centralsemiconductor-2n3704-datasheets-9015.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 100 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 450 мА | 625 МВт | 30 В | 600мВ | 30 В | 100нА | 100 МГц | 100 | 50В | 5В | 100 | 100 МГц | |||||||||||||||||||||||
| 2Н3585 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n3585-datasheets-8924.pdf | ТО-66 | 2 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | 10 МГц | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 35 Вт | 300В | 750 мВ | 750 мВ | 2А | 10 МГц | 25 | 500В | 6В | 40 | 10 МГц | ||||||||||||||||||||||
| 2N3584 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n3584-datasheets-8799.pdf | ТО-66 | 2 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | 10 МГц | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 35 Вт | 250В | 750 мВ | 750 мВ | 2А | 10 МГц | 25 | 375В | 6В | 40 | 10 МГц | ||||||||||||||||||||||
| ТИП30С | Центральный полупроводниковый завод | $70,47 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductor-tip30c-datasheets-8791.pdf | 3 | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 260 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1А | 100В | ТО-220АБ | 3 МГц | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5339 | Аэрофлекс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | Масса | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/aeroflex-jantxv2n5339-datasheets-8660.pdf | 18 недель | 3 | Нет | 1 Вт | 100В | 5А | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3501 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n3501-datasheets-8515.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 150 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1 Вт | 150 В | 400мВ | 400мВ | 300 мА | 150 МГц | 100 | 150 В | 6В | 100 | 150 МГц | |||||||||||||||||||||||
| 2Н3442 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n3442-datasheets-8413.pdf | ТО-3 | 2 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | 80 кГц | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 117 Вт | 140 В | 5В | 5В | 10А | 0,08 МГц | 20 | 160 В | 7В | 20 | 80 кГц | ||||||||||||||||||||||
| 2Н2222 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n2222-datasheets-8399.pdf | ТО-18 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 250 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 450 мА | 500мВт | 30 В | 1,6 В | 1,6 В | 800 мА | 300 МГц | 40 | 285 нс | 60В | 5В | 35 | 250 МГц | |||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5154 | Аэрофлекс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | Масса | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/aeroflex-jantxv2n5154-datasheets-8366.pdf | 18 недель | 3 | Нет | 100мВт | 80В | 2А | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3421 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n3421-datasheets-8311.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | 200°С | -65°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 40 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1 Вт | 80В | 80В | 500нА | 40 МГц | 15 | 1200 нс | 300 нс | 125 В | 6В | 40 | 40 МГц | ||||||||||||||||||||||
| 2Н3391А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n3391a-datasheets-8084.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | НИЗКИЙ ШУМ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | 125°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 120 МГц | КРЕМНИЙ | 625 МВт | 25 В | 25 В | 100нА | 120 МГц | 250 | 25 В | 5В | 250 | 120 МГц | ||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6520 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/centralsemiconductor-2n6520-datasheets-8065.pdf | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 3 | 150°С | -65°С | 1 | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 0,5 А | 350В | ТО-92 | 40 МГц | 15 | 3500 нс | 200 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2924 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/centralsemiconductor-2n2924-datasheets-7987.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 160 МГц | КРЕМНИЙ | 0,62 Вт | 25 В | 25 В | 100нА | 160 МГц | 150 | 25 В | 5В | 150 | 160 МГц | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N4150 | Аэрофлекс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/aeroflex-jantxv2n4150-datasheets-7870.pdf | 18 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2906А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductor-2n2906a-datasheets-7867.pdf | ТО-18 | 3 | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 200 МГц | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4 Вт | 1,6 В | 60В | 600 мА | 200 МГц | 40 | 100 нс | 45нс | 60В | 5В | 75 | |||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2904А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n2904a-datasheets-7309.pdf | ТО-39 | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 200 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600мВт | 60В | 1,6 В | 600 мА | 200 МГц | 40 | 180 нс | 45нс | 60В | -5В | 75 | 200 МГц | ||||||||||||||||||||||
| 2Н2270 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n2270-datasheets-7085.pdf | ТО-39 | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | 200°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1 Вт | 45В | 900 мВ | 900 мВ | 1А | 100 МГц | 50 | 60В | 7В | 50 | 100 МГц | |||||||||||||||||||||||
| 2Н2219 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n2219-datasheets-6801.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 250 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800мВт | 30 В | 1,6 В | 1,6 В | 800 мА | 250 МГц | 30 | 285 нс | 60В | 5В | 35 | 250 МГц | ||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3767 | Аэрофлекс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/aeroflex-jantxv2n3767-datasheets-7517.pdf | ТО-66 | 18 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2218А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n2218a-datasheets-7378.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 250 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800мВт | 40В | 1В | 1В | 800 мА | 250 МГц | 40 | 285 нс | 35 нс | 75В | 6В | 20 | 250 МГц | |||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3741 | Аэрофлекс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | Масса | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/aeroflex-jantxv2n3741-datasheets-7266.pdf | ТО-66 | 18 недель | 3 | Нет | 3 Вт | 80В | 4А | 80В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н1613 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n1613-datasheets-7261.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 60 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 мА | 3 Вт | 50В | 1,5 В | 1,5 В | 500 мА | 60 МГц | 20 | 75В | 7В | 40 | 60 МГц | |||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3421 | Аэрофлекс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/aeroflex-jantxv2n3421-datasheets-6960.pdf | 18 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3053А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n3053a-datasheets-2238.pdf | ТО-39 | Без свинца | 3 | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 200°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 0,7 А | 60В | 100 МГц | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5058 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n5058-datasheets-5029.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 30 МГц | УСИЛИТЕЛЬ | 1мВт | 300В | 1В | 150 мА | 30 МГц | 35 | 300В | 7В | 160 МГц | ||||||||||||||||||||||||
| 2Н1480 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n1480-datasheets-4782.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 1,5 МГц | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 А | 5 Вт | 55В | 1,4 В | 1,4 В | 1,5 А | 1,5 МГц | 20 | 100В | 6В | 20 | 1,5 МГц | |||||||||||||||||||||||
| ТИП30А | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductor-tip30a-datasheets-3553.pdf | 3 | 9 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30 Вт | 1А | 60В | ТО-220АБ | 3 МГц | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3700 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductor-2n3700-datasheets-4702.pdf | ТО-18 | Без свинца | 3 | 15 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 400 МГц | УСИЛИТЕЛЬ | 500мВт | 500мВ | 80В | 1А | 100 МГц | 15 | 140 В | 7В | 15 |
