Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Непрерывный ток коллектора | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Время нарастания-Макс. | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Время падения-Макс (тс) | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6052 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n6052-datasheets-2795.pdf | ТО-3 | 39,36 мм | 11,43 мм | 26,67 мм | 2 | 12 недель | 6.40101г | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 12А | 150 Вт | 100В | 3В | 12А | 4 МГц | 750 | 100В | 5В | 750 | 4 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4104 | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3439 | Центральные технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | 200°С | -65°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 5 Вт | 1А | 350В | ТО-39 | 15 МГц | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5962 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductor-2n5962-datasheets-2116.pdf | ТО-92 | 3 | 12 недель | нет | НИЗКИЙ ШУМ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 100 МГц | 625 МВт | 200 мВ | 45В | 50 мА | 100 МГц | 600 | 45В | 8В | 450 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПС650 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/centralsemiconductor-mps650-datasheets-2080.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 75 МГц | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 625 МВт | 40В | 500мВ | 500мВ | 2А | 75 МГц | 40 | 60В | 5В | 40 | 75 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5884 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n5884-datasheets-8100.pdf | ТО-3 | 2 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | 4 МГц | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200 Вт | 80В | 1В | 4В | 25А | 4 МГц | 20 | 80В | 5В | 35 | 4 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5401 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n5401-datasheets-1849.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 300 МГц | УСИЛИТЕЛЬ | -600мА | 625 МВт | 150 В | 500мВ | 500мВ | 600 мА | 100 МГц | 60 | 160 В | 5В | 50 | 300 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5301 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n5301-datasheets-1781.pdf | ТО-3 | 2 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | 4 МГц | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 200 Вт | 40В | 4В | 40В | 30А | 4 МГц | 15 | 40В | 15 | 4 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5232А | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n5232a-datasheets-1679.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | УСИЛИТЕЛЬ | 625 МВт | 50В | 125 мВ | 100 мА | 250 | 70В | 5В | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3947 | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductor-2n3947-datasheets-1590.pdf | 3 | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 200°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,36 Вт | 0,2 А | 40В | ТО-18 | 300 МГц | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5209 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n5209-datasheets-1565.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 30 МГц | 350 мВт | 50В | 700мВ | 700мВ | 50 мА | 30 МГц | 100 | 50В | 4,5 В | 100 | 30 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5172 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/centralsemiconductor-2n5172-datasheets-6627.pdf | ТО-92 | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 200 МГц | 450 мА | 625 МВт | 25 В | 250 мВ | 250 мВ | 100 мА | 200 МГц | 100 | 25 В | 5В | 100 | 200 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5089 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n5089-datasheets-1243.pdf | ТО-226-3 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 50 МГц | УСИЛИТЕЛЬ | 50 мА | 625 МВт | ТО-92 | 25 В | 500мВ | 500мВ | 50 мА | 50 МГц | 400 | 30 В | 4,5 В | 50 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5088 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n5088-datasheets-1149.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 50 МГц | УСИЛИТЕЛЬ | 100 мА | 625 МВт | 30 В | 500мВ | 500мВ | 50 мА | 50 МГц | 300 | 35В | 4,5 В | 300 | 50 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5087 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n5087-datasheets-5898.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 40 МГц | УСИЛИТЕЛЬ | 50 мА | 625 МВт | 50В | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 40 МГц | 250 | 50В | 3В | 250 | 40 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4923 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n4923-datasheets-0762.pdf | ТО-126 | 3 | 10 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 3 МГц | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 450 мА | 30 Вт | 80В | 600мВ | 80В | 1А | 3 МГц | 10 | 80В | 5В | 40 | 3 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4237 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n4237-datasheets-0671.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 2 МГц | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 6 Вт | 40В | 600мВ | 3А | 2 МГц | 30 | 50В | 6В | 30 | 2 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4403 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n4403-datasheets-4469.pdf | ТО-92 | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 200 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600 мА | 625 МВт | 40В | 750 мВ | 750 мВ | 600 мА | 200 МГц | 100 | 255 нс | 35 нс | 40В | 5В | 30 | 200 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4918 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/centralsemiconductor-2n4918-datasheets-0539.pdf | ТО-126 | 3 | 12 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 3 МГц | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3А | 30 Вт | 600мВ | 40В | 1А | 3 МГц | 10 | 40В | 5В | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4401 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n4401-datasheets-0444.pdf | ТО-226-3 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 250 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600 мА | 625 МВт | ТО-92 | 40В | 750 мВ | 750 мВ | 600 мА | 250 МГц | 100 | 255 нс | 35 нс | 60В | 6В | 250 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6678 | Аэрофлекс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | Масса | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/aeroflex-jantxv2n6678-datasheets-0397.pdf | 2 | 18 недель | 3 | Нет | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | О-МБФМ-П2 | ОДИНОКИЙ | НПН | 3 Вт | ТО-204АА | 400В | 15А | 8 | 600 нс | 700 нс | 650В | 1 В | 500 нс | 500пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4398 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n4398-datasheets-3959.pdf | ТО-3 | Без свинца | 2 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | 4 МГц | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 5 Вт | 40В | 4В | 4В | 30А | 4 МГц | 15 | 40В | 15 | 4 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4234 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n4234-datasheets-0254.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1 Вт | 40В | 600мВ | 1А | 3 МГц | 30 | 40В | -7В | 30 | 3 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП30Б | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductor-tip30b-datasheets-0190.pdf | 3 | 5 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30 Вт | 1А | 80В | ТО-220АБ | 3 МГц | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4126 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n4126-datasheets-3473.pdf | ТО-92 | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 250 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200 мА | 625 МВт | 25 В | 400мВ | 25 В | 50нА | 250 МГц | 120 | 25 В | 4В | 120 | 250 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4037 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/centralsemiconductor-2n4037-datasheets-3282.pdf | ТО-39 | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 60 МГц | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1 Вт | 40В | 1,4 В | 1,4 В | 1А | 60 МГц | 50 | 60В | 7В | 50 | 60 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2102 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n2102-datasheets-9834.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 60 МГц | УСИЛИТЕЛЬ | 1А | 1 Вт | 65В | 500мВ | 65В | 1А | 60 МГц | 10 | 120 В | 7В | 10 | 60 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4013 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n4013-datasheets-9610.pdf | ТО-18 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 200°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,5 Вт | 30 В | 420 мВ | 30 В | 1,7 мкА | 300 МГц | 60 | 35 нс | 50В | 6В | 60 | 300 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3903 | Центральный полупроводниковый завод | $14,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n3903-datasheets-9419.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 250 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200 мА | 625 МВт | 40В | 300мВ | 40В | 50нА | 250 МГц | 15 | 225 нс | 70нс | 60В | 6В | 20 | 250 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3791 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n3791-datasheets-9347.pdf | ТО-3 | 2 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | 4 МГц | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 Вт | 60В | 1В | 1В | 10А | 4 МГц | 30 | 60В | 7В | 50 | 4 МГц |
